薄膜集成電路工藝

整個電路的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及其間的互連線,全部用厚度在1微米以下的金屬、半導體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質(zhì)薄膜,并通過真空蒸發(fā)工藝、濺射工藝和電鍍等工藝重疊構(gòu)成。用這種工藝制成的集成電路稱薄膜集成電路。

薄膜集成電路中的晶體管采用薄膜工藝制作, 它的材料結(jié)構(gòu)有兩種形式:①薄膜場效應硫化鎘和硒化鎘晶體管,還可采用碲、銦、砷、氧化鎳等材料制作晶體管;②薄膜熱電子放大器。薄膜晶體管的可靠性差,無法與硅平面工藝制作的晶體管相比,因而完全由薄膜構(gòu)成的電路尚無普遍的實用價值。

實際應用的薄膜集成電路均采用混合工藝,也就是用薄膜技術(shù)在玻璃、微晶玻璃、鍍釉或拋光氧化鋁陶瓷基片上制備無源元件和電路元件間的互連線,再將集成電路、晶體管、二極管等有源器件的芯片和不便用薄膜工藝制作的功率電阻、大電容值的電容器、電感等元件用熱壓焊接、超聲焊接、梁式引線或凸點倒裝焊接等方式組裝成一塊完整電路。

集成電路工藝造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
(除稅)
工程建議價
(除稅)
行情 品牌 單位 稅率 供應商 報價日期
HL隔氣壓供水罐 凈重(kg):1327;壓力等級(MPa):0.6;品種:立式隔氣壓水罐;總?cè)莘e(m3):8;罐體高度(mm):3500 查看價格 查看價格

江洋

13% 上海江洋泵業(yè)制造有限公司(江西工廠)
HL隔氣壓供水罐 凈重(kg):1610;壓力等級(MPa):1.6;品種:立式隔氣壓水罐;總?cè)莘e(m3):5;罐體高度(mm):3400 查看價格 查看價格

江洋

13% 上海江洋泵業(yè)制造有限公司(江西工廠)
HL隔氣壓供水罐 凈重(kg):975;壓力等級(MPa):1;品種:立式隔氣壓水罐;總?cè)莘e(m3):3.4;罐體高度(mm):3100 查看價格 查看價格

江洋

13% 上海江洋泵業(yè)制造有限公司(江西工廠)
HL隔氣壓供水罐 凈重(kg):686;壓力等級(MPa):1;品種:立式隔氣壓水罐;總?cè)莘e(m3):2.3;罐體高度(mm):2900 查看價格 查看價格

江洋

13% 上海江洋泵業(yè)制造有限公司(江西工廠)
HL隔氣壓供水罐 凈重(kg):613;壓力等級(MPa):1.6;品種:立式隔氣壓水罐;總?cè)莘e(m3):1.4;罐體高度(mm):2600 查看價格 查看價格

江洋

13% 上海江洋泵業(yè)制造有限公司(江西工廠)
HL隔氣壓供水罐 凈重(kg):450;壓力等級(MPa):1.6;品種:立式隔氣壓水罐;總?cè)莘e(m3):0.8;罐體高度(mm):2300 查看價格 查看價格

江洋

13% 上海江洋泵業(yè)制造有限公司(江西工廠)
HL隔氣壓供水罐 凈重(kg):263;壓力等級(MPa):1;品種:立式隔氣壓水罐;總?cè)莘e(m3):0.34;罐體高度(mm):1700 查看價格 查看價格

江洋

13% 上海江洋泵業(yè)制造有限公司(江西工廠)
HL隔氣壓供水罐 凈重(kg):134;壓力等級(MPa):1.6;品種:立式隔氣壓水罐;總?cè)莘e(m3):0.13;罐體高度(mm):1500 查看價格 查看價格

江洋

13% 上海江洋泵業(yè)制造有限公司(江西工廠)
材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
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含稅
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行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
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kW·h 梅州市大埔縣2022年2季度信息價
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kW·h 梅州市蕉嶺縣2022年2季度信息價
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kW·h 梅州市大埔縣2022年1季度信息價
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kW·h 梅州市蕉嶺縣2022年1季度信息價
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kW·h 梅州市大埔縣2021年3季度信息價
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kW·h 梅州市大埔縣2021年1季度信息價
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kW·h 梅州市大埔縣2020年3季度信息價
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kW·h 梅州市大埔縣2019年2季度信息價
材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
(元)
供應商 報價地區(qū) 最新報價時間
集成電路控制中心 800×800×1500|1臺 1 查看價格 百海( 深圳) 水處理有限公司 廣東   2021-06-15
集成電路測試儀 1ST6500|7臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-11-02
集成電路測試儀 1CT-33C|4臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-08-05
集成電路測試儀 GUT-660A|9臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-07-31
集成電路測試儀 GVT-6600|4臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-04-07
集成電路在線測試系統(tǒng) TH2424|5832臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-10-22
集成電路測試儀 SIMI-100|3臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-03-31
工藝欄桿 嚴格工藝需求制作|650m 3 查看價格 佛山市匠心雕琢景觀雕塑有限公司 廣東   2022-02-15

單片集成電路工藝

利用研磨、拋光、氧化、擴散、光刻、外延生長、蒸發(fā)等一整套平面工藝技術(shù),在一小塊硅單晶片上同時制造晶體管、二極管、電阻和電容等元件,并且采用一定的隔離技術(shù)使各元件在電性能上互相隔離。然后在硅片表面蒸發(fā)鋁層并用光刻技術(shù)刻蝕成互連圖形,使元件按需要互連成完整電路,制成半導體單片集成電路。隨著單片集成電路從小、中規(guī)模發(fā)展到大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路,平面工藝技術(shù)也隨之得到發(fā)展。例如,擴散摻雜改用離子注入摻雜工藝;紫外光常規(guī)光刻發(fā)展到一整套微細加工技術(shù),如采用電子束曝光制版、等離子刻蝕、反應離子銑等;外延生長又采用超高真空分子束外延技術(shù);采用化學汽相淀積工藝制造多晶硅、二氧化硅和表面鈍化薄膜;互連細線除采用鋁或金以外,還采用了化學汽相淀積重摻雜多晶硅薄膜和貴金屬硅化物薄膜,以及多層互連結(jié)構(gòu)等工藝。

厚膜集成電路工藝

用絲網(wǎng)印刷工藝將電阻、介質(zhì)和導體涂料淀積在氧化鋁、氧化鈹陶瓷或碳化硅襯底上。淀積過程是使用一細目絲網(wǎng),制作各種膜的圖案。這種圖案用照相方法制成,凡是不淀積涂料的地方,均用乳膠阻住網(wǎng)孔。氧化鋁基片經(jīng)過清洗后印刷導電涂料,制成內(nèi)連接線、電阻終端焊接區(qū)、芯片粘附區(qū)、電容器的底電極和導體膜。制件經(jīng)干燥后,在750~950℃間的溫度焙燒成形,揮發(fā)掉膠合劑,燒結(jié)導體材料,隨后用印刷和燒成工藝制出電阻、電容、跨接、絕緣體和色封層。有源器件用低共熔焊、再流焊、低熔點凸點倒裝焊或梁式引線等工藝制作,然后裝在燒好的基片上,焊上引線便制成厚膜電路。厚膜電路的膜層厚度一般為 7~40微米。用厚膜工藝制備多層布線的工藝比較方便,多層工藝相容性好,可以大大提高二次集成的組裝密度。此外,等離子噴涂、火焰噴涂、印貼工藝等都是新的厚膜工藝技術(shù)。與薄膜集成電路相仿,厚膜集成電路由于厚膜晶體管尚不能實用,實際上也是采用混合工藝。

集成電路工藝薄膜工藝常見問題

  • bopp薄膜的生產(chǎn)工藝

    BOPP薄膜生產(chǎn)工藝流程如下圖到目前為止,BOPP生產(chǎn)線最寬的幅度為11米多,具體是多少我還不清楚。現(xiàn)在中國工廠安裝的BOPP生產(chǎn)線寬幅大多為8.3米或8.4米。詳細內(nèi)容可看視頻教程

  • 集成電路查詢網(wǎng)

    MC3361是美國MOTOROLA公司生產(chǎn)的單片窄帶調(diào)頻接收電路,主要應用于語音通訊的無線接收機。片內(nèi)包含振蕩電路、混頻電路、限幅放大器、積分鑒頻器、濾波器、抑制器、掃描控制器及靜噪開關(guān)電路。主要應用...

  • 集成電路的用途

    集成電路的種類與用途  作者:陳建新  在電子行業(yè),集成電路的應用非常廣泛,每年都有許許多多通用或?qū)S玫募呻娐繁谎邪l(fā)與生產(chǎn)出來,本文將對集成電路的知識作一全面的闡述?! ∫?、 集成...

單片集成電路和薄膜與厚膜集成電路這三種工藝方式各有特點,可以互相補充。通用電路和標準電路的數(shù)量大,可采用單片集成電路。需要量少的或是非標準電路,一般選用混合工藝方式,也就是采用標準化的單片集成電路,加上有源和無源元件的混合集成電路。厚膜、薄膜集成電路在某些應用中是互相交叉的。厚膜工藝所用工藝設備比較簡易,電路設計靈活,生產(chǎn)周期短,散熱良好,所以在高壓、大功率和無源元件公差要求不太苛刻的電路中使用較為廣泛。另外,由于厚膜電路在工藝制造上容易實現(xiàn)多層布線,在超出單片集成電路能力所及的較復雜的應用方面,可將大規(guī)模集成電路芯片組裝成超大規(guī)模集成電路,也可將單功能或多功能單片集成電路芯片組裝成多功能的部件甚至小的整機。

單片集成電路除向更高集成度發(fā)展外,也正在向著大功率、線性、高頻電路和模擬電路方面發(fā)展。不過,在微波集成電路、較大功率集成電路方面,薄膜、厚膜混合集成電路還具有優(yōu)越性。在具體的選用上,往往將各類單片集成電路和厚膜、薄膜集成工藝結(jié)合在一起,特別如精密電阻網(wǎng)絡和阻容網(wǎng)絡基片粘貼于由厚膜電阻和導帶組裝成的基片上,裝成一個復雜的完整的電路。必要時甚至可配接上個別超小型元件,組成部件或整機。2100433B

集成電路工藝薄膜工藝文獻

《集成電路工藝原理(芯片制造)》課程試題庫 《集成電路工藝原理(芯片制造)》課程試題庫

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《集成電路工藝原理(芯片制造)》課程試題庫

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集成電路工藝原理與實踐課程體系改革與探索 集成電路工藝原理與實踐課程體系改革與探索

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頁數(shù): 3頁

評分: 4.4

根據(jù)現(xiàn)有的教學平臺、微電子技術(shù)人才的培養(yǎng)要求,整合優(yōu)勢資源,構(gòu)建集半導體工藝原理、器件模擬與仿真和半導體工藝實踐為一體的集成電路工藝原理與實踐課程體系。在不斷整合、修正和完善課程體系教學內(nèi)容、制定合理規(guī)范考核機制的基礎上,有效地提升任課教師的理論、實踐教學能力,為培養(yǎng)具有提出問題、分析問題和解決問題能力及創(chuàng)新思維的微電子技術(shù)專業(yè)人才打下堅實的基礎。

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本書系根據(jù)美國1967年出版的《Integrated Circuit Technology》一書譯出。其主要特點是結(jié)合集成電路的主要工序,對所使用的各種設備作了介紹。這其中包括外延擴散、真空系統(tǒng)、制版、金屬化、劃片、焊接、最后封裝、紅外線分析、電子束加工、自動測試、電路失效機理分析等設備以及生產(chǎn)線上的各種輔助設施。

本書涉及面廣,比較易懂,可供從事這方面工作的工人、技術(shù)人員參考。

雙極型集成電路工藝制備

是利用PN結(jié)隔離技術(shù)制備雙極型集成電路倒相器的工藝流程, 圖中包括一個NPN晶體管和一個負載電阻R。原始材料是直徑為75~150毫米摻P型雜質(zhì)的硅單晶棒,電阻率ρ=10歐·厘米左右。其工藝流程是:先經(jīng)過切片、研磨和拋光等工藝(是硅片制備工藝)制備成厚度約300~500微米的圓形硅片作為襯底,然后進行外延生長、氧化、光刻、擴散、蒸發(fā)、壓焊和多次硅片清洗,最后進行表面鈍化和成品封裝。

制作雙極型集成電路芯片需要經(jīng)過 5次氧化,對氧化硅 (SiO2)薄層進行5次光刻,刻蝕出供擴散摻雜用的圖形窗口。最后還經(jīng)過兩次光刻,刻蝕出金屬鋁互連布線和鈍化后用于壓焊點的窗口。因此,整套雙極型集成電路掩模版共有 7塊。即使通常省去鈍化工藝,也需要進行6次光刻,需要6塊掩模版。

第一章 擴散和外延設備

第二章 真空系統(tǒng)

第三章 光掩模

第四章 金屬化、劃片和電路組裝設備

第五章 電子束裝置

第六章 最后金屬封裝和塑料封裝

第七章 紅外檢驗和掩模對準

第八章 絲網(wǎng)漏印電路的制造

第九章 集成電路的自動測試設備

第十章 集成電路的新型測試儀表

第十一章 失效機理的研究與分析

第十二章 微型電子器件工廠的生產(chǎn)設施 2100433B

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