靜電感應(yīng)晶閘管

靜電感應(yīng)晶閘管SITH(Static Induction Thyristor)誕生于1972年，是在SIT的漏極層上附加一層與漏極層導(dǎo)電類型不同的發(fā)射極層而得到的。因?yàn)槠涔ぷ髟硪才cSIT類似，門極和陽(yáng)極電壓均能通過(guò)電場(chǎng)控制陽(yáng)極電流，因此SITH又被稱為場(chǎng)控晶閘管(Field Controlled Thyristor--FCT)。由于比SIT多了一個(gè)具有少子注入功能的PN結(jié)，因而SITH是兩種載流子導(dǎo)電的雙極型器件，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，通態(tài)壓降低、通流能力強(qiáng)。其很多特性與GTO類似，但開(kāi)關(guān)速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。

SITH一般也是正常導(dǎo)通型，但也有正常關(guān)斷型。此外，其制造工藝比GTO復(fù)雜得多，電流關(guān)斷增益較小，因而其應(yīng)用范圍還有待拓展。

靜電感應(yīng)是一種導(dǎo)體因受外電場(chǎng)的影響而在表面不同的部分出現(xiàn)正負(fù)電荷的現(xiàn)象。一般在其附近帶電體的電場(chǎng)作用下，導(dǎo)體中的自由電子進(jìn)行重新分布，直至導(dǎo)體內(nèi)的電場(chǎng)的強(qiáng)度減小到零為止。結(jié)果靠近帶電體的一端出現(xiàn)與它異號(hào)的電荷，另一端出現(xiàn)與它同號(hào)的電荷。當(dāng)發(fā)生靜電感應(yīng)時(shí)，由靜電感應(yīng)所得的感應(yīng)電荷，必為同時(shí)產(chǎn)生，且正、負(fù)電量相等。當(dāng)帶電體被移開(kāi)時(shí)，導(dǎo)體上的電荷將恢復(fù)原來(lái)不帶電的狀態(tài)。

晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管(SCR)、雙向晶閘管(TRIAC)、逆導(dǎo)晶閘管(RCT)、門極關(guān)斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管、溫控晶閘管(TT國(guó)外，TTS國(guó)內(nèi))和光控晶閘管(LTT)等多種。

晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。

晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、中功率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝。

晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管，快速晶閘管包括所有專為快速應(yīng)用而設(shè)計(jì)的晶閘管，有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管，可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中。(備注:高頻不能等同于快速晶閘管)

如橡膠棒X原已帶有負(fù)電荷，可稱為施感電荷，若將導(dǎo)體D接近帶電體X時(shí)，由于同種電荷相斥、異種電荷相吸，于是X上的負(fù)電荷在D中所建立的電場(chǎng)將自由電子推斥至D的遠(yuǎn)棒一邊，并把等量的正電荷遺留在D的近棒一邊，直至D中電場(chǎng)強(qiáng)度為零。如果有一條接地引線接觸到導(dǎo)體D，則會(huì)有若干電子流向大地。導(dǎo)體D因失去電子而帶正電荷，這種電荷稱為感生電荷。利用靜電感應(yīng)使金屬導(dǎo)體帶電的過(guò)程叫做感應(yīng)起電。

靜電感應(yīng)產(chǎn)生的原因:放入電場(chǎng)中的導(dǎo)體，其中的自由電荷在電場(chǎng)力的作用下發(fā)生定向移動(dòng)使導(dǎo)體兩端分別出現(xiàn)等量異種電荷--感應(yīng)電荷。故導(dǎo)體中的自由電荷受到電場(chǎng)力的作用而定向移動(dòng)是產(chǎn)生靜電感應(yīng)的原因。

利用靜電感應(yīng)現(xiàn)象可以使導(dǎo)體帶電。早期的一些靜電感應(yīng)起電機(jī)就是根據(jù)這個(gè)原理制成的。