晶粒邊界

沿ZnO晶粒邊界的Bi連續(xù)性也利用EDS繪圖技術(shù)證實(shí)試樣為商用ZnO壓敏電阻，含0.5%Bi2O3和少量其他過(guò)渡金屬氧化物添加物，按傳統(tǒng)的ZnO壓敏陶瓷工藝混合制備，在1150℃下燒結(jié)5h，按—75℃/h速度冷卻，在550℃下熱處理，將燒結(jié)的試樣中心切割，經(jīng)離子減薄用于TEM分析采用兩種透射電子顯微鏡，用于觀測(cè)晶粒邊界附近的微觀結(jié)構(gòu)，以及FE—TEM-2010F。

乳膠漆為了達(dá)到分析目的，前者可以分辨空間為0.17nm，后者可分辨空間為0.19nm，后者還具有EDS點(diǎn)分析的功能及空間分辨小于1nm繪圖分析功能。結(jié)晶相僅存在無(wú)定形相的一側(cè)，該相的另一側(cè)直接與ZnO晶粒接觸。這些結(jié)果證明，在寬度小于4nm的晶粒邊界，Bi-O結(jié)晶相是不存在的。

在該觀察到ZnO晶粒間無(wú)第二相，既不結(jié)晶的，也無(wú)定形的在晶界邊界寬度小于4nm的所有晶粒邊界觀察到的均是無(wú)定形的。表明：1.晶粒相是無(wú)定形的。

Bi偏析于晶粒邊界內(nèi)而在離ZnO晶粒表面0.5~1.0nm一側(cè)是不存在的；3. Zn存在于晶界無(wú)定型層中。X光譜探測(cè)出Bi、O和Zn的特征線(xiàn)譜，Zn的特征X光被Bi的特征X光熒光激發(fā)是肯定的兩個(gè)ZnO晶粒彼此直接接觸的結(jié)晶面，這表明在晶粒邊界不存在晶界相，用EDS分析了化學(xué)成分，這三個(gè)點(diǎn)位于與ZnO晶粒邊界的垂直的間距離1mm處。過(guò)氯乙烯漆在ZnO-ZnO晶粒邊界的第二點(diǎn)在直徑1mm的區(qū)域內(nèi)測(cè)得Bi占9%，剩余的是Zn。2100433B

ZnO壓敏電阻的晶粒涂料邊界從結(jié)晶的Bi-O變化到無(wú)定形相，最終變化為ZnO-ZnO晶粒沒(méi)有任何第二相。這種變化看來(lái)決定于晶粒邊界的總厚度。

結(jié)晶相和無(wú)定形相存在于Bi-O相寬度15~50nm處的點(diǎn)所以，采用高分辨率的HREM沿ZnO晶粒邊界從三角結(jié)點(diǎn)到無(wú)第二相的點(diǎn)處追蹤觀測(cè)了Bi—相的形態(tài)。Bi偏析區(qū)范圍還采用具有能量彌散X衍射光譜的場(chǎng)致發(fā)射型TEM進(jìn)行了精確分析。

晶粒石灰?guī)r基本上全由晶粒組成，幾乎不含其他結(jié)構(gòu)組分。它又可根據(jù)晶粒的粗細(xì)，再進(jìn)一步劃分為粗晶石灰?guī)r、中晶石灰?guī)r、細(xì)晶石灰?guī)r、粉晶石灰?guī)r、泥晶石灰?guī)r等，

福克(Folk,1959,1962)把泥晶石灰?guī)r稱(chēng)作微晶石灰?guī)r，國(guó)內(nèi)也有不少人這么稱(chēng)呼它?？梢岳^續(xù)使用微晶石灰?guī)r這一術(shù)語(yǔ)。但應(yīng)明確，這里的微晶在粒級(jí)上屬于泥晶的范疇。

此處的泥晶石灰?guī)r與顆粒-灰泥石灰?guī)r中的灰泥石灰?guī)r是同一種巖石，叫灰泥石灰?guī)r或叫泥晶石灰?guī)r均可，當(dāng)然也可以叫微晶石灰?guī)r。

除泥晶石灰?guī)r外，其他較粗的晶粒石灰?guī)r大都是次生變化的產(chǎn)物，即重結(jié)晶作用或交代作用的產(chǎn)物。 2100433B

陶瓷主要由晶粒構(gòu)成，且因陶瓷中的晶粒取向是隨機(jī)的，不同的晶粒取向各異，故在晶粒與晶粒之間形成大量的晶界。相鄰晶粒由于取向度的差異造成原子間距的不同， 在晶界處結(jié)合時(shí)，形成晶格畸變或界面位錯(cuò)而在晶界處造成應(yīng)力。同時(shí)，由于晶體的各向異性，在陶瓷燒成后的冷卻過(guò)程中，晶界上會(huì)出現(xiàn)很大的晶界熱應(yīng)力，其晶界熱應(yīng)力的大小與晶粒大小成正比。晶界應(yīng)力的存在將使晶界處出現(xiàn)微裂紋，從而大大降低陶瓷的斷裂強(qiáng)度。因此，陶瓷中一般要求盡可能小的晶粒尺寸。

超細(xì)晶粒硬質(zhì)合金是相對(duì)細(xì)晶粒及亞微細(xì)晶粒硬質(zhì)合金來(lái)說(shuō)的，其晶粒尺寸在0.5微米以下。超細(xì)晶粒硬質(zhì)合金與普通硬質(zhì)合金在硬度相同的條件下，強(qiáng)度較高；強(qiáng)度相同的情況下，硬度較高。主要是因?yàn)椋毫Ｗ幼冃?、WC與WC之間的鈷會(huì)變薄，從而抵抗塑性變形的抗彎強(qiáng)度增加。