介質(zhì)損耗因數(shù)介質(zhì)損耗角δ

在交變電場作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數(shù)角Φ的余角δ)。 簡稱介損角。

又稱介質(zhì)損耗因數(shù)，是指介質(zhì)損耗角正切值，簡稱介損角正切。介質(zhì)損耗因數(shù)的定義如下:

如果取得試品的電流相量和電壓相量，則可以得到如下相量圖：總電流可以分解為電容電流Ic和電阻電流IR合成，因此：這正是損失角δ=(90°-Φ)的正切值?，F(xiàn)在的數(shù)字化儀器從本質(zhì)上講，是通過測量δ或者Φ得到介損因數(shù)。 測量介損對判斷電氣設(shè)備的絕緣狀況是一種傳統(tǒng)的、十分有效的方法。絕緣能力的下降直接反映為介損增大。進一步就可以分析絕緣下降的原因，如：絕緣受潮、絕緣油受污染、老化變質(zhì)等等。測量介損的同時，也能得到試品的電容量。如果多個電容屏中的一個或幾個發(fā)生短路、斷路，電容量就有明顯的變化，因此電容量也是一個重要參數(shù)。 4、功率因數(shù)cosΦ功率因數(shù)是功率因數(shù)角Φ的余弦值，意義為被測試品的總視在功率S中有功功率P所占的比重。功率因數(shù)的定義如下:有的介損測試儀習(xí)慣顯示功率因數(shù)(PF:cosΦ)，而不是介質(zhì)損耗因數(shù)(DF:tgδ)。一般cosΦ window.rsInsertData = window['rsInsertData'] || []; var rsdataList = {"foot":[{"fentryTableId":35381,"fentryTableName":"高電壓技術(shù)","fentryTableType":1,"entryId":2675357,"templateId":0,"entryTitle":"高電壓技術(shù)","isManual":0,"isExpand":1}],"top":[]}; if (rsdataList.top || rsdataList.foot) { rsInsertData.push([3826245, rsdataList]); }

dielectric loss factor measurement

對反映絕緣材料或電器絕緣介質(zhì)中能量損耗特性因數(shù)的測量。當(dāng)對絕緣物質(zhì)施加交流電壓時，由于漏電及極化過程，絕緣物質(zhì)中將有有功電流流動，并產(chǎn)生能量損耗。與此同時，絕緣物質(zhì)中還有電容性的無功電流流過。有功電流與無功電流之比即稱為介質(zhì)損耗因數(shù)。它不受絕緣尺寸的影響，是絕緣物質(zhì)本身的特性參數(shù)。

測量介質(zhì)損耗因數(shù)最常用的儀器是西林電橋。西林電橋用于在交流電壓下測量絕緣材料或電器設(shè)備的電容值和介質(zhì)損耗因數(shù)值。西林電橋的基本回路，其中Z1(被試品)和C0(無損耗標(biāo)準(zhǔn)電容)是高壓臂；R3(可調(diào)無感電阻)、R4(無感電阻)和C4（可調(diào)電容）是低壓臂。高壓臂是一些互相獨立的部件，它們所能承受的電壓決定了電橋的工作電壓。低壓臂組裝在一起，調(diào)節(jié)R3及C4值可使電橋平衡。

電橋平衡時，由

可分別求得待測電容量C及介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ,其中ω為電源角頻率。

電橋在高電壓下工作時，要正確選擇低壓臂的參數(shù)，使正常情況下低壓臂上的壓降不超過幾伏。低壓臂要并聯(lián)一放電管，以防止高壓臂擊穿或閃絡(luò)而在B或C點出現(xiàn)高電位。

當(dāng)被試品電容量較大時,流過R3的電流將很大，R3旁要并聯(lián)分流電阻。當(dāng)被試品的一端無法對地絕緣時，可采用反接線。要注意此時橋體（低壓臂）處于高電位，應(yīng)在絕緣臺上的屏蔽籠內(nèi)等電位操作或用絕緣件操作。

為減小電磁干擾的影響,可改變電源電壓的相位;也可將指零儀正、反接各測一次，再按有關(guān)公式求出準(zhǔn)確的C和tgδ。

電介質(zhì)在外電場作用下，其內(nèi)部會有發(fā)熱現(xiàn)象，這說明有部分電能已轉(zhuǎn)化為熱能耗散掉，電介質(zhì)在電場作用下，在單位時間內(nèi)因發(fā)熱而消耗的能量稱為電介質(zhì)的損耗功率，或簡稱介質(zhì)損耗（diclectric loss）。介質(zhì)損耗是應(yīng)用于交流電場中電介質(zhì)的重要品質(zhì)指標(biāo)之一。介質(zhì)損耗不但消耗了電能，而且使元件發(fā)熱影響其正常工作。如果介電損耗較大，甚至?xí)鸾橘|(zhì)的過熱而絕緣破壞，所以從這種意義上講，介質(zhì)損耗越小越好。