常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
可控硅的主要廠家
主要廠家品牌:ST,NXP/PHILIPS,NEC,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,TOSHIBA,JX,SANREX,SANKEN,SEMIKRON,EUPEC,IR等。
普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道,晶閘管G、K之間是一個PN結(a),相當于一個二極管,G為正極、K為負極,所以,按照測試二極管的方法,找出三個極中的兩個極,測它的正、反向電阻,電阻小時,萬用表黑表筆接的是控制極G,紅表筆接的是陰極K,剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管的好壞,可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關S,按一下按鈕開關SB,燈泡發(fā)光就是好的,不發(fā)光就是壞的。
鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據(jù)P-N結的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)。
控制極與陰極之間是一個P-N結,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時,萬用表應放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。
可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等??煽毓韬推渌雽w器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業(yè)、農業(yè)、交通運輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。
可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等??煽毓韬推渌雽w器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業(yè)、農業(yè)、交通運輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。
可控硅開關輸出量可連續(xù)變化,復合開關輸出不連續(xù),為階梯式變化。
無觸點可控硅開關的特點,等電位過零技術,實現(xiàn)電壓過零時導通、電流為零時切除,確保投入無沖擊涌流、切除無過電壓。2、選用優(yōu)質大功率、高耐壓(反向耐壓1600V)可控硅模塊,經多年實際項目運行,其工作穩(wěn)定...
雙向可控硅又稱為雙向晶閘管 普通晶閘管(VS)實質上屬于直流控制器件。要控制交流負載,必須將兩只晶閘管反極性并聯(lián),讓每只SCR控制一個半波,為此需兩套獨立的觸發(fā)電路,使用不夠方便。 雙向晶閘管...
按關斷、導通及控制方式分類
可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆 導可控硅、門極關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
按引腳和極性分類
可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
按封裝形式分類
可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
按電流容量分類
可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
按關斷速度分類
可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。
可控硅開關分類方法
可控硅有多種分類方法。
(一)按關斷、導通及控制方式分類:可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
(五)按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。
普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道,晶閘管G、K之間是一個PN結(a),相當于一個二極管,G為正極、K為負極,所以,按照測試二極管的方法,找出三個極中的兩個極,測它的正、反向電阻,電阻小時,萬用表黑表筆接的是控制極G,紅表筆接的是陰極K,剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管的好壞,可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關S,按一下按鈕開關SB,燈泡發(fā)光就是好的,不發(fā)光就是壞的。
鑒別原理
鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據(jù)P-N結的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)。
鑒別注意事項
控制極與陰極之間是一個P-N結,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時,萬用表應放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。
常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
可控硅的主要廠家品牌:ST,NXP/PHILIPS,NEC,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,TOSHIBA,JX,SANREX,SANKEN,SEMIKRON,EUPEC,IR等。
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頁數(shù): 3頁
評分: 4.7
本文介紹了雙向可控硅開關柜的工作原理和結構特點及其應用。通過對雙向可控硅開關柜和接觸器控制盤的對比分析,展現(xiàn)了采用雙向可控硅開關柜的經濟效益。
可控硅開關圖
復合開關圖
可控硅開關和復合開關是現(xiàn)在無功補償裝置主要的投切元件,那么兩者到底區(qū)別在哪里呢?
可控硅開關也叫調節(jié)器,采用大功率反并聯(lián)晶閘管模塊、隔離電路、觸發(fā)電路、保護電路及散熱裝置等元件組成。容易受涌流的沖擊而損壞,因此可控硅必須過零觸發(fā),當可控硅兩端電壓為零的瞬間發(fā)出觸發(fā)信號。過零觸發(fā)技術可以實現(xiàn)無涌流投入電容器,另外由于可控硅的觸發(fā)次數(shù)沒有限制,可以實現(xiàn)準動態(tài)補償(響應時間在毫秒級)。可控硅導通電壓降約為1V左右,損耗很大(以每相額定電流為60A為例,則三相三控可控硅額定導通損耗為60×1×3=180W),必須加裝大面積的散熱片和冷卻風機。晶閘管對電壓變化率(dv/dt)非常敏感,遇到操作過電壓及雷擊等電壓突變的情況很容易誤導通而被涌流損壞,即使安裝避雷器也無濟于事,因為避雷器只能限制電壓的峰值,并不能降低電壓變化率。可控硅開關反應速度快,重復投切時間短適用于負荷(軋機、點焊機、行吊等)頻繁變化的場合。
復合開關,把磁保持和可控硅開關二者巧妙地結合來,優(yōu)勢互補,發(fā)揮磁保持繼電器運行功耗小和可控硅開關過零投切的優(yōu)點,是一個較為理想的投切元件。這種投切開關不但抑制了涌流、避免了拉弧而且功耗較低,不需要加裝散熱器和冷卻風扇。要把二者結合起來的關鍵是相互之間的時序配合必須默契,可控硅開關負責控制電容器的投入和切除,磁保持繼電器負責保持電容器投入后的接通,當磁保持投入后可控硅開關就立即退出運行,這樣就避免了可控硅元件的發(fā)熱。復合開關適用于負荷變化不快的城網(wǎng)、農網(wǎng)、房地產等場合?,F(xiàn)已批量用于山東電網(wǎng)戶外JP柜中。
根據(jù)以上對比可以發(fā)現(xiàn)兩者區(qū)別如下
額定電壓:低壓系統(tǒng)450V及以下
額定頻率:50Hz
控制容量:三相60Kvar及以下,單相20Kvar及以下。
安裝海拔:2000米及以下
運行環(huán)境:溫度-25℃~+45℃,相對濕度不超過90%,周圍環(huán)境應有良好的通風條件。
控制電壓:DC +12V
控制電流:20mA
投入涌流:小于2In
投切次數(shù):大于50萬次
可控硅無觸點開關:由大功率反并聯(lián)晶閘管模塊、光電隔離電路、觸發(fā)電路、保護電路、散熱裝置等組成。用于低壓400V系統(tǒng)容性負載的通斷控制,無沖擊涌流,無過壓,工作時無噪音,允許頻繁投切,安裝、接線簡單方便,特別適合配套快速投切SVC低壓動態(tài)無功補償裝置使用。