數(shù)字觸發(fā)器的特征是用計(jì)時(shí)鐘脈沖數(shù)的辦法來(lái)實(shí)現(xiàn)移相,該數(shù)字觸發(fā)器的時(shí)鐘脈沖振蕩器是一種電壓控制的振蕩器,輸出脈沖頻率受α移相控制電壓Vk的控制,Vk降低,則振蕩頻率升高,而計(jì)數(shù)器的記數(shù)量是固定的.
中文名稱 | 可控硅中頻電源 | 流程 | 交流→直流→交流 |
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領(lǐng)域 | 物理 | 特點(diǎn) | 串、并聯(lián)諧振 |
把三相工頻交流電源經(jīng)過(guò)三相橋式整流,變?yōu)榭烧{(diào)的直流電源,再經(jīng)電抗濾波,
濾波后輸至單相逆變橋,經(jīng)脈沖控制,使單相橋?qū)蔷€交替開關(guān)成為單相1000赫茲的中頻電流,諧振回路由感應(yīng)線圈和補(bǔ)償電容組成,
將電流送到感應(yīng)圈,而使感應(yīng)器中的金屬爐料產(chǎn)生中頻渦流,爐料隨之加熱乃至熔化
數(shù)字觸發(fā)器的特征是用計(jì)時(shí)鐘脈沖數(shù)的辦法來(lái)實(shí)現(xiàn)移相,該數(shù)字觸發(fā)器的時(shí)鐘脈沖振蕩器是一種電壓控制的振蕩器,輸出脈沖頻率受α移相控制電壓Vk的控制,Vk降低,則振蕩頻率升高,而計(jì)數(shù)器的記數(shù)量是固定的(256),計(jì)數(shù)器脈沖頻率高,意味著記一定脈沖數(shù)所需要的時(shí)間短,也即延時(shí)時(shí)間短,α角小,反之α角大。計(jì)數(shù)器開始計(jì)數(shù)時(shí)刻同樣受同步信號(hào)控制,在α= 0°時(shí)開始計(jì)數(shù)。
現(xiàn)假設(shè)在某Vk值時(shí),根據(jù)壓控振蕩器的控制電壓與頻率間的關(guān)系確定輸出振蕩頻率為25KHZ,則在計(jì)數(shù)到256個(gè)脈沖所需要的時(shí)間為(1/25000)×256=10.2(ms),相當(dāng)于180°電角度,該觸發(fā)器的計(jì)數(shù)清零脈沖在同步電壓(線電壓)的30°處,這相當(dāng)于三相全控橋式整流電路的β=30°位置,從清零脈沖起,延時(shí)10.2 ms產(chǎn)生輸出脈沖,也即接近于三相橋式整流電路某一相晶閘管α=150°位置,如果需要得到準(zhǔn)確的α=150°觸發(fā)脈沖,可以略微調(diào)節(jié)一下電位器W4。顯然,有三套相同的觸發(fā)電路,而壓控振蕩器和Uk控制電壓為公用,這樣在一個(gè)周期中產(chǎn)生6個(gè)相位差60°的觸發(fā)脈沖。
數(shù)字觸發(fā)器的優(yōu)點(diǎn)是工作穩(wěn)定,特別是用HTL或CMOS數(shù)字集成電路,可以有很強(qiáng)的抗干擾能力。
IC16A及其周圍電路構(gòu)成電壓--頻率轉(zhuǎn)換器,其輸出信號(hào)的周期隨調(diào)節(jié)器的輸出電壓VK而線性變化。這里W4微調(diào)電位器是最低輸出頻率調(diào)節(jié)(相當(dāng)于模擬電路鋸齒波幅值調(diào)節(jié))。
由交流→直流→交流,負(fù)載采用并聯(lián)諧振(雙供電),串、并聯(lián)諧振(單供電)。
雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件,也稱雙向晶閘管,在單片機(jī)控制系統(tǒng)中,可作為功率驅(qū)動(dòng)器件,由于雙向可控硅沒有反向耐壓?jiǎn)栴},控制電路簡(jiǎn)單,因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率...
可控硅穩(wěn)壓電源、這種這種穩(wěn)壓電源結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,價(jià)格低廉,但可靠性差。因?yàn)樗强刻妓⒌囊苿?dòng)(滑動(dòng)或滾動(dòng))來(lái)穩(wěn)壓的,如圖2所示。控制電路根據(jù)輸出設(shè)定的情況,來(lái)控制M點(diǎn)上下移動(dòng),以使輸出電壓符合負(fù)載的要求。這種...
可控硅穩(wěn)壓電源的原理: 可控硅直流穩(wěn)壓電源,以其強(qiáng)大的輸出功率,晶體管線性直流電源和開關(guān)電源無(wú)法取代。晶體管線性直流電源以其精度高,性能優(yōu)越而被廣泛應(yīng)用。開關(guān)電源因省去了笨重的工頻變壓器而使體積和重量...
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KGPS系列感應(yīng)加熱用 可控硅變頻裝臵 (全集成化恒功率型) 使 用 說(shuō) 明 書 二 零 一 一 年 三 月 2 目 錄 第一章 前言???????????????????????( 1) 1.1 型號(hào)含義???? ,,,, ??????????????????( 1) 1.2 KGPS系列可控硅中頻電源的基本參數(shù)? ,,,, ?????????( 3) 1.3 部分 GWJ系列快速熔煉(鋼)爐技術(shù)參數(shù)??? ,,, ??????( 3) 1.4 安裝使用條件????????????????????????( 4) 1.5 冷卻水???????????????????????????( 5) 1.6 產(chǎn)品執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)????????????????????????( 6) 第二章 可控硅中頻電源的工作原理?????????????( 6) 2.1 三相全控橋整流電路的工作原理????????
可控硅分類
可控硅有多種分類方法。
(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
(五)按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。
(六)過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā),必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅。
(七)非過(guò)零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見的是移相觸發(fā),即通過(guò)改變正弦交流電的導(dǎo)通角(角相位),來(lái)改變輸出百分比。
可控硅發(fā)變壓器與可控硅配套使用,通常接在可控硅設(shè)備中控制觸發(fā)單元與可控硅控制極之間,一方面?zhèn)鬟f觸發(fā)脈沖,另一方面對(duì)強(qiáng)弱電之間起到可靠的隔離作用。 kcb系列觸發(fā)變壓器可廣泛應(yīng)用于: ● 調(diào)壓、調(diào)速設(shè)備 ● 整流設(shè)備 ● 電焊機(jī) ● 逆變變頻設(shè)備 ● 電梯 ● 自控裝置 ● 中頻電源 ● 其它可控硅裝置
按一機(jī)部IBI144一75的規(guī)定,普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號(hào)采用如下格式標(biāo)注:
額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè),如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí),1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志,如表1-6所示。
通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,用宇毋表示,如表1一所示。
例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V,管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。
綜上所述,小結(jié)如下:
(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,有三個(gè)電極,用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由
PNPN四層組成
(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽(yáng)極電壓;(2)受正向門極電壓。
(3)可控硅導(dǎo)通后,當(dāng)陽(yáng)極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷。
(4)可控硅的特性主要是:1.陽(yáng)極伏安特性曲線,2.門極伏安特性區(qū)。
(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個(gè)參致: