L3鋁合金

化學(xué)成分：

硅 Si ：0.25

鐵 Fe： 0.40

銅 Cu ：0.05

鎂 Mg：0.05

鋅 Zn：0.07

錳 Mn：0.05

鈦 Ti ：0.05

鋁 Al ：99.50注：?jiǎn)蝹€(gè)：0.05

力學(xué)性能：

抗拉強(qiáng)度 σb (MPa)：60～100

伸長(zhǎng)率 δ/（%）：≥23

伸長(zhǎng)率 50mm/（%）：≥25

注 ：管材室溫縱向力學(xué)性能

試樣尺寸：所有壁厚

熱處理規(guī)范：

1)快速退火:加熱溫度350～410℃;隨材料有效厚度的不同,保溫時(shí)間在30～120min之間;空氣或水冷。2)高溫退火:加熱溫度 350～500℃;成品厚度≥6mm時(shí),保溫時(shí)間為10～30min、<6mm時(shí),熱透為止;空冷。3)低溫退火:加熱溫度150～250℃;保溫時(shí)間為 2～3h;空氣或水冷。

狀態(tài)：管材室溫縱向力學(xué)性能（所有 .O態(tài)）

材料名稱：1050A 舊稱：L3

標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 4437.1-2000

特性及適用范圍：

工業(yè)純鋁都具有可塑性高、耐蝕、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性好的特點(diǎn)，但強(qiáng)度低，不能通過(guò)熱處理強(qiáng)化，可切削性不好；可接受接觸焊.氣焊。

降低內(nèi)存延遲和提升大數(shù)據(jù)量計(jì)算能力對(duì)游戲都很有幫助。而在服務(wù)器領(lǐng)域增加L3緩存在性能方面仍然有顯著的提升。比方具有較大L3緩存的配置利用物理內(nèi)存會(huì)更有效，故它比較慢的磁盤I/O子系統(tǒng)可以處理更多的數(shù)據(jù)請(qǐng)求。具有較大L3緩存的處理器提供更有效的文件系統(tǒng)緩存行為及較短消息和處理器隊(duì)列長(zhǎng)度。

其實(shí)最早的L3緩存被應(yīng)用在AMD發(fā)布的K6-III處理器上，當(dāng)時(shí)的L3緩存受限于制造工藝，并沒(méi)有被集成進(jìn)芯片內(nèi)部，而是集成在主板上。在只能夠和系統(tǒng)總線頻率同步的L3緩存同主內(nèi)存其實(shí)差不了多少。后來(lái)使用L3緩存的是英特爾為服務(wù)器市場(chǎng)所推出的Itanium處理器。接著就是P4EE和至強(qiáng)MP。Intel還打算推出一款9MB L3緩存的Itanium2處理器，和以后24MB L3緩存的雙核心Itanium2處理器。

但基本上L3緩存對(duì)處理器的性能提高顯得不是很重要，比方配備1MB L3緩存的Xeon MP處理器卻仍然不是Opteron的對(duì)手，由此可見(jiàn)前端總線的增加，要比緩存增加帶來(lái)更有效的性能提升。

L3緩存已被部分應(yīng)用于中高端桌面級(jí)處理器中，比如Intel的酷睿i系列和奔騰G系列,AMD的羿龍2全部配備了大小不一的L3緩存，這一舉措標(biāo)志著L3緩存的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，CPU的運(yùn)算效率和響應(yīng)速度也將進(jìn)一步提升。2100433B