將兩個(gè)P區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極,稱(chēng)為柵極,在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極,分別稱(chēng)為源極和漏極,很薄的N區(qū)稱(chēng)為導(dǎo)電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器。
柵極簡(jiǎn)稱(chēng)為G,源極簡(jiǎn)稱(chēng)為S,漏極簡(jiǎn)稱(chēng)為D 。
一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱(chēng)為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
在兩個(gè)高摻雜的P區(qū)中間,夾著一層低摻雜的N區(qū)(N區(qū)一般做得很?。纬闪藘蓚€(gè)PN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個(gè)歐姆接觸電極,在兩個(gè)P區(qū)上也做上歐姆電極,并把這兩P區(qū)連起來(lái),就構(gòu)成了一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管 。
漏極概述
一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱(chēng)為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者
在兩個(gè)高摻雜的P區(qū)中間,夾著一層低摻雜的N區(qū)(N區(qū)一般做得很薄),形成了兩個(gè)PN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個(gè)歐姆接觸電極,在兩個(gè)P區(qū)上也做上歐姆電極,并把這兩P區(qū)連起來(lái),就構(gòu)成了一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管。
N型導(dǎo)電溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電路符號(hào)。
將兩個(gè)P區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極,稱(chēng)為柵極,在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極,分別稱(chēng)為源極和漏極,很薄的N區(qū)稱(chēng)為導(dǎo)電溝道。共漏極放大電路--源極輸出器
柵極簡(jiǎn)稱(chēng)為G ,源極簡(jiǎn)稱(chēng)為S,漏極簡(jiǎn)稱(chēng)為D。
場(chǎng)效應(yīng)管N溝道和P溝道怎樣區(qū)分??
區(qū)分方法:場(chǎng)效應(yīng)管的極性判斷,管型判斷(如圖)G極與D極和S極正反向均為∞
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理
原理:兩種溝道都是利用多數(shù)載流子的定向移動(dòng)來(lái)導(dǎo)電,N溝道的多數(shù)載流子是電子,p溝道是空穴,當(dāng)溝道中有電場(chǎng)時(shí),就會(huì)有大量載流子,形成通路,,電場(chǎng)消失,溝道消失。增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管是高電平導(dǎo)通(高電平時(shí)形成溝...
如果要通用要把原理搞清楚,如果是做開(kāi)關(guān)管用,它就相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)關(guān),打開(kāi)方式是控制柵極電壓,n MOS需要Vgs大于導(dǎo)通電壓時(shí)管子才導(dǎo)通,換成P MOS則相反,需要Vgs小于導(dǎo)通電壓,漏源兩極才導(dǎo)通。柵極...
1.利用外部電路的驅(qū)動(dòng)能力,減少I(mǎi)C內(nèi)部的驅(qū)動(dòng),?或驅(qū)動(dòng)比芯片電源電壓高的負(fù)載。??
2.可以將多個(gè)開(kāi)漏輸出的Pin,連接到一條線上。通過(guò)一只上拉電阻,在不增加任何器件的情況下,形成“與邏輯”關(guān)系。這也是I2C,SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。??
3.由于漏級(jí)開(kāi)路,所以后級(jí)電路必須接一上拉電阻,上拉電阻的電源電壓就可以決定輸出電平。這樣就可以進(jìn)行任意電平的轉(zhuǎn)換了。??
4.源極開(kāi)路提供了靈活的輸出方式,但是也有其弱點(diǎn),就是帶來(lái)上升沿的延時(shí)。因?yàn)樯仙厥峭ㄟ^(guò)外接上拉無(wú)源電阻對(duì)負(fù)載充電,所以當(dāng)電阻選擇小時(shí)延時(shí)就小,但功耗大;反之延時(shí)大功耗小。所以如果對(duì)延時(shí)有要求,則建議用下降沿輸出 。2100433B
格式:pdf
大?。?span id="hvwevlw" class="single-tag-height">521KB
頁(yè)數(shù): 未知
評(píng)分: 4.5
設(shè)計(jì)了一款55V N溝道溝槽型功率器件。通過(guò)對(duì)元胞與邊端進(jìn)行理論分析,結(jié)合實(shí)際工藝,對(duì)元胞與邊端進(jìn)行合理優(yōu)化。通過(guò)對(duì)流片測(cè)試數(shù)據(jù)的分析,最終實(shí)現(xiàn)擊穿電壓為69.562V、閾值電壓2.85V、特征導(dǎo)通電阻537.8 mΩ·cm2的功率器件設(shè)計(jì)。仿真與流片的擊穿電壓偏差1.5%、閾值電壓偏差2.4%、導(dǎo)通電阻偏差0.83%,器件具有較高的可靠性。
格式:pdf
大?。?span id="7tvp7cx" class="single-tag-height">521KB
頁(yè)數(shù): 1頁(yè)
評(píng)分: 4.3
幾款不錯(cuò)的場(chǎng)效應(yīng)管功放電路圖 幾款不錯(cuò)的場(chǎng)效應(yīng)管功放電路圖 場(chǎng)效應(yīng)管多管并聯(lián)輸出, 500W。 場(chǎng)管跟普功率最大不同就是場(chǎng)管是用電壓驅(qū)動(dòng), 在驅(qū)動(dòng)級(jí)上有些不一樣, 沒(méi)弄過(guò)場(chǎng)管功放, 音質(zhì)怎要看你設(shè)計(jì)和工藝! IRFB33N15D 是一顆非常好的 MOS 管,其導(dǎo)通內(nèi)阻低達(dá) 56m,最大電流為 33A,耐壓卻 有 150V,常用于 DC/DC 的變換器中,當(dāng)然,在數(shù)字功放中,也經(jīng)常應(yīng)用。 其也有不足的地方,其輸入電容為 2020pF,和常見(jiàn)的 MOS 管一樣,在驅(qū)動(dòng)它時(shí),就要采 用特殊電路來(lái)驅(qū)動(dòng),如同你的電路中的 R29和 D3 并聯(lián)電路,也是業(yè)界慣用手法,其作用 是: 當(dāng)沒(méi)有 R29時(shí),Q7的柵極直接接前面的 IC 引腳,其內(nèi)部都是圖騰柱電路, 由于是容性負(fù) 載,都會(huì)有振蕩產(chǎn)生,從而使驅(qū)動(dòng)波形出現(xiàn)振鈴現(xiàn)象,產(chǎn)生的后時(shí)是, MOS 管開(kāi)啟不夠, 內(nèi)阻大,效率低。 串入 R29可以消除這種振蕩
開(kāi)漏極就是漏極開(kāi)路,漏極開(kāi)路是驅(qū)動(dòng)電路的輸出三極管的集電極開(kāi)路,可以通過(guò)外接的上拉電阻提高驅(qū)動(dòng)能力。
特點(diǎn)
組成開(kāi)漏形式的電路有以下幾個(gè)特點(diǎn)
1. 利用外部電路的驅(qū)動(dòng)能力,減少I(mǎi)C內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)。當(dāng)IC內(nèi)部MOSFET導(dǎo)通時(shí),驅(qū)動(dòng)電流是從外部的VCC流經(jīng)R pull-up ,MOSFET到GND。IC內(nèi)部?jī)H需很小的柵極驅(qū)動(dòng)電流。
2. 可以將多個(gè)開(kāi)漏輸出的Pin,連接到一條線上。形成“與邏輯”關(guān)系。當(dāng)PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一個(gè)變低后,開(kāi)漏線上的邏輯就為0了。這也是I2C,SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。
3. 可以利用改變上拉電源的電壓,改變傳輸電平。IC的邏輯電平由電源Vcc1決定,而輸出高電平則由Vcc2決定。這樣我們就可以用低電平邏輯控制輸出高電平邏輯了。
4. 開(kāi)漏Pin不連接外部的上拉電阻,則只能輸出低電平。
5. 標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)漏腳一般只有輸出的能力。添加其它的判斷電路,才能具備雙向輸入、輸出的能力。2100433B
除跨導(dǎo)Gfs、開(kāi)啟電壓UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外還有:
(1)漏極電壓UDS——電力MOSFET電壓定額
(2)漏極直流電流ID和漏極脈沖電流幅值IDM——電力MOSFET電流定額
(3)柵源電壓UGS—— UGS>20V將導(dǎo)致絕緣層擊穿 。
(4)極間電容——極間電容CGS、CGD和CDS
間加正向電壓使N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子-電子由源極出發(fā),經(jīng)過(guò)溝道到達(dá)漏極形成漏極電流ID。
NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng)),只要柵極電壓大于參數(shù)手冊(cè)中給定的Vgs就可以了,漏極D接電源,源極S接地。需要注意的是Vgs指的是柵極G與源極S的壓差,所以當(dāng)NMOS作為高端驅(qū)動(dòng)時(shí)候,當(dāng)漏極D與源極S導(dǎo)通時(shí),漏極D與源極S電勢(shì)相等,那么柵極G必須高于源極S與漏極D電壓,漏極D與源極S才能繼續(xù)導(dǎo)通。2100433B