不致使閥從斷態(tài)轉(zhuǎn)至通態(tài)的最大門極電壓。

中文名稱：門極不觸發(fā)電壓；英文名稱：gatenon-triggervoltage；2100433B

門極不觸發(fā)電壓造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
（除稅）		 工程建議價
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報價日期
電源觸發(fā)盒 品種:電源觸發(fā)盒;類別:配件單元2; 查看價格 查看價格

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材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價		 含稅
信息價		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
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材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
（元）		 供應(yīng)商 報價地區(qū) 最新報價時間
電壓變送器 電壓變送器|1支 1 查看價格 廣東春雷環(huán)境工程有限公司 廣西  玉林市 2017-12-05
電壓并列裝置 電壓并列裝置|1套 1 查看價格 中建普聯(lián)    2014-08-01
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電壓轉(zhuǎn)換 LW8-10YH3/3|1個 1 查看價格 重慶華美電氣有限公司 四川   2018-01-09
欠電壓 QSM1QS90、 225型(3極)|7167個 1 查看價格 澳洲奇勝電器(北京)有限公司 北京  北京市 2015-12-16
欠電壓 QSM1QS90、800型(4極)|2815個 1 查看價格 澳洲奇勝電器(北京)有限公司 北京  北京市 2015-12-02
欠電壓 QSM1QS90 、100型(3極)|2224個 1 查看價格 澳洲奇勝電器(北京)有限公司 北京  北京市 2015-10-24
欠電壓 QSM1QS90 、225型(4極)|915個 1 查看價格 澳洲奇勝電器(北京)有限公司 北京  北京市 2015-08-19

門極不觸發(fā)電壓簡介常見問題

  • 數(shù)字電壓表的簡介

    在電量測量中，電壓、電流和頻率是最基本的三個被測量，其中電壓量的測量最為經(jīng)常。而且隨著電子技術(shù)的發(fā)展，更是經(jīng)常需要測量高精度的電壓，所以數(shù)字電壓表是一種必不可少的測量儀器。數(shù)字電壓表（DigitalV...

  • 發(fā)電機無電壓輸出

    1 引出線斷了2 無勵磁電壓和電流3 定子線圈內(nèi)部斷線4 轉(zhuǎn)子和定子線圈匝間短路或?qū)Φ囟搪? 轉(zhuǎn)子掃膛6 轉(zhuǎn)速達不到額定值.發(fā)電機（英文名稱：Generators）是將其他形式的能源轉(zhuǎn)換成電能的機械...

  • 光伏發(fā)電電壓

    具體數(shù)值可以參考產(chǎn)品相應(yīng)的工作電壓參數(shù)。不同規(guī)格的光伏板，電壓也不同，單個硅太陽能電池片的輸出電壓約0.4伏，必須把若干太陽能電池片經(jīng)過串聯(lián)后才能達到可供使用的電壓，并聯(lián)后才能輸出較大的電流。多個太陽...

門極不觸發(fā)電壓簡介文獻

低觸發(fā)電壓的可控硅結(jié)構(gòu)保護電路設(shè)計的詳細介紹 低觸發(fā)電壓的可控硅結(jié)構(gòu)保護電路設(shè)計的詳細介紹

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評分： 4.3

低觸發(fā)電壓的可控硅結(jié)構(gòu)保護電路設(shè)計的詳細介紹 低觸發(fā)電壓的可控硅 ESD 保護結(jié)構(gòu)的設(shè)計 摘要：當(dāng)前的集成電路設(shè)計中大量采用了可控硅的設(shè)計結(jié)構(gòu)來進行 ESD 的保護，但是一 般的 SCR 保護結(jié)構(gòu)很難滿足現(xiàn)在低電壓，以及一些特殊要求的集成電路 ESD 保護的要 求。研究一種低觸發(fā)電壓的可控硅結(jié)構(gòu)保護電路，通過和工藝寄生參數(shù)的結(jié)合，滿足了低 觸發(fā)電壓的設(shè)計要求。 關(guān)鍵詞：集成電路設(shè)計；靜電保護；可控硅結(jié)構(gòu)；觸發(fā)電流 1 引言 靜電放電（ ESD）對 CMOS 集成電路的可靠性構(gòu)成了很大威脅 [1]。隨著集成電路設(shè)計水 平的提高和應(yīng)用領(lǐng)域的擴大，對于 CMOS 集成電路來說，由于特征尺寸較小，電源電壓 較低，ESD 保護僅僅采用傳統(tǒng)的二極管結(jié)構(gòu)已經(jīng)不能滿足要求。 目前廣泛使用的 ESD 保 護電路中，可控硅（ SCR）結(jié)構(gòu)具有單位面積下最高的 ESD 保護性能 [2]，同時具有很好 的大電流特

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低抖動快前沿高電壓重復(fù)率觸發(fā)器 低抖動快前沿高電壓重復(fù)率觸發(fā)器

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評分： 4.5

介紹了一種低抖動、快前沿高電壓重復(fù)率觸發(fā)器,輸出參數(shù)為:重復(fù)率可達100pulse/s,輸出時延約225ns,抖動約1ns,前沿約26ns,脈寬約70ns,高阻負載上電脈沖的峰值可達-40kV,重復(fù)率為50pulse/s時,峰值可達-51kV,單次工作時的峰值可達-60kV。該觸發(fā)器主要由控制單元、高壓供電單元與脈沖形成單元構(gòu)成,脈沖形成單元采用了低電感電容對負載快放電的結(jié)構(gòu),建立開關(guān)為氫閘流管。實驗發(fā)現(xiàn),氫閘流管存在微導(dǎo)通狀態(tài),開關(guān)的通道電阻及維持的時間與開關(guān)極間的電勢差有關(guān);電勢差越高,通道電阻越小,微導(dǎo)通狀態(tài)維持的時間越長。此外,氫閘流管的導(dǎo)通性能受燈絲加熱電源的影響明顯,當(dāng)加熱電壓較低時,氫閘流管導(dǎo)通緩慢,延時與抖動較大,當(dāng)加熱電壓過高時,氫閘流管易于發(fā)生自擊穿。

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產(chǎn)生門極觸發(fā)電流所必需的最小門極電壓。

中文名稱：門極觸發(fā)電壓；英文名稱：gatetriggervoltage；定義：產(chǎn)生門極觸發(fā)電流所必需的最小門極電壓。2100433B

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與均勻及稍不均勻電場不同，在極不均勻電場中，各種電壓下空氣間隙擊穿電壓的差別比較明顯，分散性也較大。當(dāng)電場分布不對稱時，極性效應(yīng)顯著，正極性時空氣間隙的擊穿電壓低于負極性擊穿電壓。通常選擇棒-板電極和棒-棒電極作為典型電極，分別代表了不對稱分布和對稱分布極不均勻電場的極端情況。在沒有合適的試驗數(shù)據(jù)可供使用時，可參照棒-板或棒-棒間隙的試驗數(shù)據(jù)來近似估計極不均勻電場空氣間隙的擊穿電壓。間隙距離相同時，棒電極為正極性的棒-板間隙的擊穿電壓比棒為負極性時低得多，而棒-棒間隙的擊穿電壓介于兩者之間。

(1)直流電壓下的擊穿電壓：試驗表明，在間隙距離小于3m時，擊穿電壓與間隙距離呈線性關(guān)系。對棒-板電極，棒為正極性時，平均擊穿場強為4.5kV/cm;棒為負極性時約為10kV/cm。對棒-棒電極，平均擊穿場強約為4.8～5.0kV/cm。

(2)工頻電壓下的擊穿電壓：棒-板電極間施加工頻電壓時，擊穿總是在棒的極性為正、電壓達到峰值時發(fā)生。圖1所示為空氣間隙的工頻擊穿電壓U50與間隙距離d的關(guān)系。隨著d的增加，U50的增加逐漸趨于緩慢，即具有飽和現(xiàn)象。擊穿電壓的標準差σ約為U50的3%。 2100433B

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與單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器相比，施密特觸發(fā)器的最大特點是不僅具有兩個穩(wěn)定狀態(tài)A 和B，而且使其從穩(wěn)定狀態(tài)A轉(zhuǎn)換到穩(wěn)定狀態(tài)B和使其從穩(wěn)定狀態(tài)B轉(zhuǎn)換到穩(wěn)定狀態(tài)A時需要的觸發(fā)電平不一樣。

施密物觸發(fā)器可由分立元件構(gòu)成，也可用門電路、運算放大器或電壓比較器構(gòu)成。不同性能的專用集成施密特觸發(fā)器也很多。

在基本RS觸發(fā)器的基礎(chǔ)上，增加一個非門G1和一個二極管VD組成的施密特觸發(fā)器。

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