中文名 | 門(mén)極正向峰值電壓 | 外文名 | peak forward gate voltage |
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所屬學(xué)科 | 電氣工程 | 發(fā)布時(shí)間 | 1998年 |
《電氣工程名詞》 2100433B
1998年經(jīng)全國(guó)科學(xué)技術(shù)名詞審定委員會(huì)審定發(fā)布的電氣工程名詞。
實(shí)際運(yùn)行中的電路里會(huì)出現(xiàn)近480V的最高值,二十多年前就有人研究透了!所以簡(jiǎn)易節(jié)電器采用450Ⅴ的電容并聯(lián)油蠟。
變?nèi)荻O管正常工作時(shí),應(yīng)加正向電壓。
反向電壓。
LED燈根據(jù)顏色不同正向?qū)妷阂膊煌?,一般是發(fā)的光能量越高(波長(zhǎng)越短)正向?qū)妷阂苍礁?,例如紅外LED一般是1.3V左右而紅色LED則要大于1.5V(一般要2左右才能點(diǎn)亮),紫外LED則更高(一般...
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評(píng)分: 4.6
數(shù)字控制技術(shù)的應(yīng)用是開(kāi)關(guān)變換器發(fā)展的一個(gè)重要方向,但是數(shù)字控制環(huán)路的延時(shí)對(duì)瞬態(tài)響應(yīng)的影響是重要的制約因素?;跀?shù)字峰值電壓算法和所提出的克服延時(shí)算法,提出了改進(jìn)型數(shù)字峰值電壓算法。對(duì)改進(jìn)型數(shù)字峰值電壓控制開(kāi)關(guān)變換器的瞬態(tài)性能進(jìn)行了研究,并與數(shù)字峰值電壓控制開(kāi)關(guān)變換器的瞬態(tài)性能進(jìn)行了對(duì)比。通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)分析及仿真結(jié)果進(jìn)行了更進(jìn)一步的驗(yàn)證。
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評(píng)分: 4.7
文章基于LED芯片和LED單燈的工作原理和制程工藝,探討了LED芯片封裝以后正向電壓VF升高和降低的常見(jiàn)原因,并提出了改善措施。對(duì)于GaN基雙電極芯片,由于芯片工藝制程或后續(xù)封裝工藝因素,造成芯片表面鍍層(ITO或Ni/Au)與P-GaN外延層之間的結(jié)合被破壞,歐姆接觸電阻變大。對(duì)于GaAs基單電極芯片,由于封裝材料和工藝因素,導(dǎo)致芯片背金(N-electrode)與銀膠,或銀膠與支架之間的接觸電阻變大,從而LED正向電壓VF升高。LED正向電壓VF降低最常見(jiàn)的原因?yàn)樾酒琍N結(jié)被ESD或外界大電流損傷或軟擊穿,反向漏電過(guò)大,失去了二極管固有的I-V特性。
《電氣工程名詞》 2100433B
《電氣工程名詞》 2100433B
1998年經(jīng)全國(guó)科學(xué)技術(shù)名詞審定委員會(huì)審定發(fā)布的電氣工程名詞。