模擬集成電路設(shè)計(jì)

《CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)》（第2版）（英文版）是模擬集成電路設(shè)計(jì)課的一本經(jīng)典教材。全書共分5個(gè)部分。主要介紹了模擬集成電路設(shè)計(jì)的背景知識(shí)、基本MOS半導(dǎo)體制造工藝、CMOS技術(shù)、CMOS器件建模，MOS開關(guān)、MOS二極管、有源電阻、電流阱和電流源等模擬CMOS分支電路，以及反相器、差分放大器、共源共柵放大器、電流放大器、輸出放大器等CMOS放大器的原理、特性、分析方法和設(shè)計(jì)，CM0S運(yùn)算放大器、高性能CMOS運(yùn)算放大器、比較器，開關(guān)電容電路、D/A和A/D變換器等CMOS模擬系統(tǒng)的分析方法、設(shè)計(jì)和模擬等內(nèi)容。

該書可作為高等學(xué)校電子工程、微電子學(xué)、計(jì)算機(jī)科學(xué)、電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)等專業(yè)的的教科書，以及有關(guān)專業(yè)的選修課教材或研究生教材、教學(xué)參考書；也可作為在職的模擬集成電路設(shè)計(jì)工程師或與模擬集成電路設(shè)計(jì)有關(guān)的工程師的進(jìn)修教材或工程設(shè)計(jì)參考書。

《CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)(第2版)》是模擬集成電路設(shè)計(jì)課程的一本經(jīng)典教材，作者從CMOS技術(shù)的前沿出發(fā)，結(jié)合豐富的工程和教學(xué)經(jīng)驗(yàn)，對(duì)CMOS模擬電路設(shè)計(jì)的原理和技術(shù)以及容易被忽略的問題給出了詳盡論述，闡述了分層設(shè)計(jì)的方法。全書共分十章，主要介紹了模擬集成電路設(shè)計(jì)的背景知識(shí)，CMOS技術(shù)，器件模型，以及主要模擬電路的原理和設(shè)計(jì)，包括CMOS基本單元電路（MOS開關(guān)、MOS二極管、有源電阻、電流漏、電流源、電流鏡、帶隙基準(zhǔn)源、基準(zhǔn)電流源和電壓源等），放大器，運(yùn)算放大器，比較器，開關(guān)電容電路，D/A和A/D轉(zhuǎn)換電路?！禖MOS模擬集成電路設(shè)計(jì)(第2版)》通過大量設(shè)計(jì)實(shí)例闡述設(shè)計(jì)原理，將理論與實(shí)踐融為一體，同時(shí)還針對(duì)許多工業(yè)界人士的需求和問題進(jìn)行了分析和解釋，因而《CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)(第2版)》不僅可以用做大專院校相關(guān)專業(yè)高年級(jí)本科生和研究生的教材，也可以作為半導(dǎo)體和集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域技術(shù)人員很有價(jià)值的參考書。

第一章 緒論

1.1 模擬集成電路設(shè)計(jì)

1.2 字符、符號(hào)和術(shù)語

1.3 模擬信號(hào)處理

1.4 VLSI混合信號(hào)電路設(shè)計(jì)模擬舉例

1.5 小結(jié)

習(xí)題

參考文獻(xiàn)

第二章 CMOS技術(shù)

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

2.1 基本MOS半導(dǎo)體制造工藝

2.2 PN結(jié)

2.3 COM晶體管

2.4 無源元件

2.5 關(guān)于CMOS技術(shù)的其他考慮

2.6 集成電路版圖

2.7 小結(jié)

習(xí)題

參考文獻(xiàn)

第三章 CMOS器件模型

3.1 簡單的MOS大信號(hào)模型

3.2 其他MOS管大信號(hào)模型的參數(shù)

3.3 MOS管的小信號(hào)模型

3.4 計(jì)算機(jī)仿真模型

3.5 亞閾值電壓區(qū)MOS模型

3.6 MOS電路的SPICE模擬

3.7 小結(jié)

習(xí)題

參考文獻(xiàn)

第四章 模擬CMOS子電路

4.1 MOS開關(guān)

4.2 MOS二極管/有源電阻

二極管又稱晶體二極管,簡稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的轉(zhuǎn)導(dǎo)性。一般來講，晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構(gòu)成自建電場。當(dāng)外加電壓等于零時(shí)，由于p-n 結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的二極管特性。

4.3 電流漏和電流源

4.4 電流鏡

4.5 基準(zhǔn)電流和電壓

4.6 帶隙基準(zhǔn)

4.7 小結(jié)

習(xí)題

參考文獻(xiàn)

第五章 CMOS放大器

運(yùn)放是運(yùn)算放大器的簡稱。在實(shí)際電路中，通常結(jié)合反饋網(wǎng)絡(luò)共同組成某種功能模塊。由于早期應(yīng)用于模擬計(jì)算機(jī)中，用以實(shí)現(xiàn)數(shù)學(xué)運(yùn)算，故得名“運(yùn)算放大器”，此名稱一直延續(xù)至今。運(yùn)放是一個(gè)從功能的角度命名的電路單元，可以由分立的器件實(shí)現(xiàn)，也可以實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體芯片當(dāng)中。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，如今絕大部分的運(yùn)放是以單片的形式存在?，F(xiàn)今運(yùn)放的種類繁多，廣泛應(yīng)用于幾乎所有的行業(yè)當(dāng)中。

5.1 反相器

5.2 差分放大器

5.3 共源共柵放大器

5.4 電流放大器

5.5 輸出放大器

5.6 商增益放大器結(jié)構(gòu)

5.7 小結(jié)

習(xí)題

參考文獻(xiàn)

第六章 CMOS運(yùn)算放大器

6.1 CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

6.2 運(yùn)算放大器的補(bǔ)償

6.3 兩級(jí)運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

6.4 兩級(jí)運(yùn)算放大器的電源抑制比

6.5 共源共柵運(yùn)算放大器

6.6 運(yùn)算放大器的仿真與測量

6.7 運(yùn)算放大器的宏模型

6.8 小結(jié)

習(xí)題

參考文獻(xiàn)

第七章 高性能CMOS運(yùn)算放大器

……

第八章 比較器

第九章 開關(guān)電容電路

第十章 數(shù)模和模數(shù)轉(zhuǎn)換器