逆阻晶閘管簡介
材料
逆阻晶閘管以單晶硅為基本材料,采用PNPN四層三端結(jié)構(gòu)(圖1), 有3個PN結(jié),3個引出電極,分別用陽極A、陰極K、門極G表示,其符號見圖2,穩(wěn)態(tài)伏安特性 見圖3。
逆阻晶閘管詳細(xì)介紹
逆阻晶閘管在一定條件下象二極管一樣,具有單向?qū)щ娞匦裕娏骺蓮年枠O流向陰極;但又不同于二極管,它還具 有正向?qū)ǖ目煽靥匦?。即?dāng)元件陽極加上正向電壓后,元件還不能導(dǎo)通,仍呈正向阻斷狀態(tài)。必須同時在門極與陰極之間加上一定的正向門極電壓,使得有足夠的門極電流流過,才能象二極管一樣正向?qū)щ?。所以,門極對元件能否正向?qū)ㄆ鹂刂谱饔?。逆阻晶閘管一經(jīng)導(dǎo)通,門極對它就失去控制作用,即門極不能控制通態(tài)電流的大小,也不能使它關(guān)斷,要使已經(jīng)導(dǎo)通的逆阻晶閘管恢復(fù)阻斷,必須在陽極和陰極間加反向電壓,使陽極電流小于元件的維持電流,甚至使陽極電流暫時反向,如二極管恢復(fù)阻斷時的反向電流一樣。如果僅使陽極電流自然減小到維持電流以下而不反向,則過剩載流子將靠復(fù)合逐漸消失。這種方法恢復(fù)阻斷時間較長,僅能用于工作頻率較低的場合。
逆阻晶閘管通常用擴散-合金法或全擴散法制造,以形成PNPN四層結(jié)構(gòu),然后制作歐姆接觸引出電極,并密封于陶瓷管殼內(nèi),最后裝上散熱器。80年代,已出現(xiàn)了3500A/6500V和4000A/5000 V這樣的大容量逆阻晶閘管。
一、作用:可控的導(dǎo)電開關(guān),與二極管相比,不同之處是正向?qū)ㄊ卓刂茦O電流控制。二、什么是晶閘管:晶閘管導(dǎo)通條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管...
一、晶閘管是晶體閘流管的簡稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第一款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個極:陽...
晶閘管(THYRISTOR)又名可控硅,屬于功率器件領(lǐng)域,是一種功率半導(dǎo)體開關(guān)元件,可控硅是其簡稱,按其工作特性,可控硅可分為單向可控硅(SCR)、雙向可控硅(TRIAC)??煽毓枰卜Q作晶閘管,它是由...
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晶閘管整流裝置 技 術(shù) 協(xié)議 書 二 00七年十二月 第 1頁 共 28頁 附件 1技術(shù)規(guī)范 一、總則 1. 本技術(shù)協(xié)議書適用于鋁硅鈦合金示范項目五套整流器及其附屬設(shè)備的設(shè)計、 制造、試驗、包裝、運輸、交貨、現(xiàn)場驗收等方面的技術(shù)要求及相關(guān)的伴隨服 務(wù),供方應(yīng)按照本技術(shù)協(xié)議書中所述條款,在工程設(shè)計、制造、驗收和培訓(xùn)等 方面為需方提供滿意的服務(wù)。 2.供方應(yīng)完全遵從技術(shù)協(xié)議書的要求為需方提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和滿意的服務(wù)。 3.本技術(shù)協(xié)議中所采用的標(biāo)準(zhǔn)如與現(xiàn)行國標(biāo)或 IEC標(biāo)準(zhǔn)中的技術(shù)要求不一致時, 應(yīng)按較高標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。 4.整流器與變壓器之間的配合問題,由需方協(xié)調(diào)設(shè)計單位、整流柜制造廠、變 壓器制造廠進行圖紙配合。 二、使用條件 1、環(huán)境條件: (1)年平均溫度 6.6 ℃ (2)最冷月平均溫度及濕度 -13.0 ℃ (3)最熱月平均溫度及濕度 21.
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為深入研究IGCT的關(guān)斷特性,該文基于實驗結(jié)果,建立了IGCT關(guān)斷過程中,流過IGCT電流的波形的數(shù)學(xué)模型,在此基礎(chǔ)上進而提出用微分方程研究電路中IGCT關(guān)斷特性的方法。為驗證該方法的有效性,以建立的IGCT關(guān)斷過程電流波形數(shù)學(xué)模型為基礎(chǔ)。該文建立基于斬波電路的IGCT關(guān)斷暫態(tài)特性的數(shù)學(xué)模型。該模型充分考慮IGCT阻容吸收回路、線路雜散電感及限流電抗器對IGCT關(guān)斷暫態(tài)過電壓的影響。數(shù)值仿真及試驗結(jié)果表明,該模型能夠較好地反映IGCT關(guān)斷過程中的暫態(tài)特性。
介紹
快速晶閘管是一個PNPN四層三端器件,其符號與普通晶閘管(見逆阻晶閘管)一樣,它不僅要有良好的靜態(tài)特性,尤其要有良好的動態(tài)特性??焖倬чl管的動態(tài)參數(shù)要求為開通速度和導(dǎo)通擴展速度快,反向恢復(fù)電荷少,關(guān)斷時間短,通態(tài)電流臨界上升率(dI/dt)及斷態(tài)電壓臨界上升率(dV/dt)高。通態(tài)電流臨界上升率是在規(guī)定條件下,器件從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)時,對晶閘管不產(chǎn)生有害影響的最大通態(tài)電流上升率;斷態(tài)電壓臨界上升率是在規(guī)定條件下,器件從斷態(tài)不致轉(zhuǎn)向通態(tài)的最大斷態(tài)電壓上升率??焖倬чl管在額定頻率內(nèi)其額定電流不隨頻率的增加而下降或下降很少。而普通晶閘管在400Hz以上時,因開關(guān)損耗隨頻率的提高而增大,并且在總損耗中所占比重也增加,所以,其額定電流隨頻率增加而急速下降。
快速晶閘管的結(jié)構(gòu)和工作原理與普通晶閘管相同,但在設(shè)計與制造中采取了特殊措施以減少開關(guān)耗散功率。通常采用增加門極-陰極周界長度、減薄基區(qū)厚度的辦法,增加初始導(dǎo)通面積,提高dI/dt耐量和提高擴展速度;采用陰極短路點、非對稱結(jié)構(gòu)、摻金、鉑或用電子、快中子輻照技術(shù)等辦法降低少子壽命,提高dV/dt耐量,降低關(guān)斷時間。80年代,快速晶閘管已做到通態(tài)平均電流1000A,耐壓2500V,關(guān)斷時間30微秒。
一種對工作頻率有明確標(biāo)定的快速晶閘管則稱為高頻晶閘管(中國型號為KG)。例如KG50(20kHz),表示該高頻管的標(biāo)稱工作頻率為20kHz,通態(tài)平均電流為50A(20kHz下正弦半波平均電流值)。80年代中期,中國已能生產(chǎn)KG100(20kHz)和KG200(10kHz),耐壓為1~1.2kV的高頻晶閘管。
快速晶閘管采取的特殊措施,在一定程度上降低了靜態(tài)特性(如升高了通態(tài)壓降),故限制了它直接工作于更高頻率的大功率電子設(shè)備。為滿足更高頻率下工作對晶閘管提出的特殊要求,開發(fā)了門極輔助關(guān)斷晶閘管、可關(guān)斷晶閘管等。
可以在 400Hz以上頻率工作的晶閘管。視電流容量大小,其開通時間為4~8微秒,關(guān)斷時間為10~60微秒。主要用于較高頻率的整流、斬波、逆變和變頻電路。
快速晶閘管是一個PNPN四層三端器件,其符號與普通晶閘管(見逆阻晶閘管)一樣,它不僅要有良好的靜態(tài)特性,尤其要有良好的動態(tài)特性??焖倬чl管的動態(tài)參數(shù)要求為開通速度和導(dǎo)通擴展速度快,反向恢復(fù)電荷少,關(guān)斷時間短,通態(tài)電流臨界上升率(dI/dt)及斷態(tài)電壓臨界上升率 (dV/dt)高。通態(tài)電流臨界上升率是在規(guī)定條件下,器件從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)時,對晶閘管不產(chǎn)生有害影響的最大通態(tài)電流上升率;斷態(tài)電壓臨界上升率是在規(guī)定條件下,器件從斷態(tài)不致轉(zhuǎn)向通態(tài)的最大斷態(tài)電壓上升率。快速晶閘管在額定頻率內(nèi)其額定電流不隨頻率的增加而下降或下降很少。而普通晶閘管在 400Hz以上時,因開關(guān)損耗隨頻率的提高而增大,并且在總損耗中所占比重也增加,所以,其額定電流隨頻率增加而急速下降。