2100433B

P溝MOS晶體管造價(jià)信息

市場(chǎng)價(jià) 信息價(jià) 詢價(jià)
材料名稱 規(guī)格/型號(hào) 市場(chǎng)價(jià)
（除稅）		 工程建議價(jià)
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)日期
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管測(cè)試儀 BJ2990 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái) 13% 北京無(wú)線電儀器廠
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管瞬態(tài)熱阻測(cè)試儀 BJ2989 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái) 13% 北京無(wú)線電儀器廠
CPU224晶體管型 CPU224, DC PS, 14DE DC/10DA DC-CN 查看價(jià)格 查看價(jià)格

件 13% 武漢運(yùn)通達(dá)科技有限公司
CPU226晶體管型 CPU226, DC PS, 24DE DC/16DA DC-CN 查看價(jià)格 查看價(jià)格

件 13% 武漢運(yùn)通達(dá)科技有限公司
CPU222晶體管型 CPU222, DC 24V, 8DE DC/6DA DC-CN 查看價(jià)格 查看價(jià)格

件 13% 武漢運(yùn)通達(dá)科技有限公司
CPU224XP晶體管型 CPU224XP, DC PS, 14DE DC/10DA DC/2AE/1AA 查看價(jià)格 查看價(jià)格

件 13% 武漢運(yùn)通達(dá)科技有限公司
晶體管圖示儀 XJ-4810 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái) 13% 成都天大儀器設(shè)備有限公司
晶體管圖示儀 XJ-4810A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái) 13% 成都天大儀器設(shè)備有限公司
材料名稱 規(guī)格/型號(hào) 除稅
信息價(jià)		 含稅
信息價(jià)		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時(shí)間
自發(fā)電一體焊機(jī) 305A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 韶關(guān)市2010年8月信息價(jià)
切管機(jī) 9A151 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2012年4季度信息價(jià)
抓管機(jī) 功率120kW 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2012年4季度信息價(jià)
抓管機(jī) 功率160kW 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2012年4季度信息價(jià)
切管機(jī) 9A151 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2012年3季度信息價(jià)
吊管機(jī) 功率240kW 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2012年3季度信息價(jià)
抓管機(jī) 功率120kW 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2012年3季度信息價(jià)
切管機(jī) 9A151 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2012年1季度信息價(jià)
材料名稱 規(guī)格/需求量 報(bào)價(jià)數(shù) 最新報(bào)價(jià)
（元）		 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)地區(qū) 最新報(bào)價(jià)時(shí)間
場(chǎng)效應(yīng)管 4953|30個(gè) 1 查看價(jià)格 深圳市升屏科技有限公司 廣東   2018-10-16
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管瞬態(tài)熱阻測(cè)試儀 BJ2989|6臺(tái) 1 查看價(jià)格 北京無(wú)線電儀器廠 北京  北京市 2015-11-17
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管測(cè)試儀 BJ2990|6臺(tái) 1 查看價(jià)格 北京無(wú)線電儀器廠 北京  北京市 2015-04-22
晶體管圖示儀 BJ4811A|10臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-12-20
晶體管測(cè)試儀 HP3326A|10臺(tái) 1 查看價(jià)格 北京無(wú)線電儀器廠 北京  北京市 2015-12-18
晶體管圖示儀 XJ-4810A|5臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-10-21
晶體管話筒U87Ai 技術(shù)指標(biāo): 聲音工作原理:壓力梯度傳感器 指向性:全向性,心型,8字型 頻響:20Hz-20KHz 靈敏度(1KHz-1KOHM):20/28/22mVPa × 輸出阻抗:200ohms 負(fù)載阻抗:1000ohms 靈敏度(CCIR486-3):26/23/25dB-A× 靈敏度(DIN/IEC 651):15/12/14dB-A× S/N比(CCIR 486-3):68/71/69dB× S/N比(DIN/IEC 651):79/82/80dB× 最大聲壓級(jí)(THD小于0.5%):117dB(心型) 最大聲壓級(jí)(THD 小于0.5%,預(yù)衰減):127dB 最大輸出電壓:390Mv 麥克風(fēng)傳感器(DIN/IEC651)動(dòng)態(tài)范圍:105dB 電壓:48v+4V 電流:0.8mA 接頭:XLR3F 重量:500克 直徑|2只 1 查看價(jià)格 北京樂(lè)城仕國(guó)際科技有限公司 重慶  重慶市 2018-07-02
晶體管圖示儀 DW4822|4臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-10-22

改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過(guò)程長(zhǎng)，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見(jiàn)N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖1所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿足PMOS對(duì)輸入電平的要求。

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規(guī)模大的集成電路。

P溝MOS晶體管各種場(chǎng)效應(yīng)管特性比較常見(jiàn)問(wèn)題

  • 場(chǎng)效應(yīng)管功放可以換成晶體管嗎？

    　　場(chǎng)效應(yīng)管不能代替功放管。 　　場(chǎng)效應(yīng)管是電壓驅(qū)動(dòng)型只要電壓達(dá)到就能工作，電流可以忽略不計(jì)。功放管是電流驅(qū)動(dòng)型必須電流才能驅(qū)動(dòng)，兩者不可替代。 　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型（jun...

  • 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的選擇方法

    首先根據(jù)你的需求決定選擇NPN還是PNP（建議盡量選用NPN，應(yīng)為同工藝的NPN管子要比PNP的相對(duì)便宜、性能相對(duì)優(yōu)越）然后根據(jù)你的電路環(huán)境決定管子耐壓Vds，過(guò)流Id，根據(jù)導(dǎo)通損耗需求選擇導(dǎo)通電阻R...

  • 場(chǎng)效應(yīng)管的特性是什么？

    共源，共漏，共柵

P溝MOS晶體管各種場(chǎng)效應(yīng)管特性比較文獻(xiàn)

55V溝槽型功率場(chǎng)效應(yīng)管設(shè)計(jì) 55V溝槽型功率場(chǎng)效應(yīng)管設(shè)計(jì)

格式：pdf

大小：521KB

頁(yè)數(shù)： 未知

評(píng)分： 4.5

設(shè)計(jì)了一款55V N溝道溝槽型功率器件。通過(guò)對(duì)元胞與邊端進(jìn)行理論分析,結(jié)合實(shí)際工藝,對(duì)元胞與邊端進(jìn)行合理優(yōu)化。通過(guò)對(duì)流片測(cè)試數(shù)據(jù)的分析,最終實(shí)現(xiàn)擊穿電壓為69.562V、閾值電壓2.85V、特征導(dǎo)通電阻537.8 mΩ·cm2的功率器件設(shè)計(jì)。仿真與流片的擊穿電壓偏差1.5%、閾值電壓偏差2.4%、導(dǎo)通電阻偏差0.83%,器件具有較高的可靠性。

立即下載
場(chǎng)效應(yīng)管基礎(chǔ)知識(shí)介紹 場(chǎng)效應(yīng)管基礎(chǔ)知識(shí)介紹

格式：pdf

大?。?span id="s7tuck3" class="single-tag-height">521KB

頁(yè)數(shù)： 3頁(yè)

評(píng)分： 4.6

場(chǎng)效應(yīng)管基礎(chǔ)知識(shí)介紹 一、場(chǎng)效應(yīng)三極管的型號(hào)命名方法 第二種命名方法是 CS××#， CS代表場(chǎng)效應(yīng)管，××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào)， #用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。 例如 CS14A、CS45G等。 二、場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù) 1、 I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓 U GS=0時(shí)的漏源電流。 2、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。 3、UT — 開(kāi)啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。 4、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓 U GS — 對(duì)漏極電流 I D的控制能力，即漏極電流 I D變化量與柵源電壓 UGS變化量的比值。 gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。 5、BUDS — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓 UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)， 加

立即下載

N溝MOS晶體管簡(jiǎn)介

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu) 成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。

由p型襯底和兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時(shí)，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。

NMOS集成電路是N溝道MOS電路，NMOS集成電路的輸入阻抗很高，基本上不需要吸收電流，因此，CMOS與NMOS集成電路連接時(shí)不必考慮電流的負(fù)載問(wèn)題。NMOS集成電路大多采用單組正電源供電，并且以5V為多。CMOS集成電路只要選用與NMOS集成電路相同的電源，就可與NMOS集成電路直接連接。不過(guò)，從NMOS到CMOS直接連接時(shí)，由于NMOS輸出的高電平低于CMOS集成電路的輸入高電平，因而需要使用一個(gè)(電位)上拉電阻R，R的取值一般選用2~100KΩ。

查看詳情

在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N 區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極d和源極s。

然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g。

在襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)。

它的柵極與其它電極間是絕緣的。

圖(a)、(b)分別是它的結(jié)構(gòu)示意圖和代表符號(hào)。代表符號(hào)中的箭頭方向表示由P(襯底)指向N(溝道)。P溝道增強(qiáng)型MOS管的箭頭方向與上述相反，如圖(c)所示。

查看詳情

mos晶體管簡(jiǎn)介

?MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu) 成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC

查看詳情
P溝MOS晶體管相關(guān)推薦
  • 相關(guān)百科
  • 相關(guān)知識(shí)
  • 相關(guān)專欄

最新詞條

安徽省政采項(xiàng)目管理咨詢有限公司 數(shù)字景楓科技發(fā)展（南京）有限公司 懷化市人民政府電子政務(wù)管理辦公室 河北省高速公路京德臨時(shí)籌建處 中石化華東石油工程有限公司工程技術(shù)分公司 手持無(wú)線POS機(jī) 廣東合正采購(gòu)招標(biāo)有限公司 上海城建信息科技有限公司 甘肅鑫禾國(guó)際招標(biāo)有限公司 燒結(jié)金屬材料 齒輪計(jì)量泵 廣州采陽(yáng)招標(biāo)代理有限公司河源分公司 高鋁碳化硅磚 博洛尼智能科技（青島）有限公司 燒結(jié)剛玉磚 深圳市東海國(guó)際招標(biāo)有限公司 搭建香蕉育苗大棚 SF計(jì)量單位 福建省中億通招標(biāo)咨詢有限公司 泛海三江 威海鼠尾草 Excel 數(shù)據(jù)處理與分析應(yīng)用大全 廣東國(guó)咨招標(biāo)有限公司 甘肅中泰博瑞工程項(xiàng)目管理咨詢有限公司 拆邊機(jī) 山東創(chuàng)盈項(xiàng)目管理有限公司 當(dāng)代建筑大師 廣西北纜電纜有限公司 大山檳榔 上海地鐵維護(hù)保障有限公司通號(hào)分公司 舌花雛菊 甘肅中維國(guó)際招標(biāo)有限公司 華潤(rùn)燃?xì)猓ㄉ虾＃┯邢薰? 湖北鑫宇陽(yáng)光工程咨詢有限公司 GB8163標(biāo)準(zhǔn)無(wú)縫鋼管 中國(guó)石油煉化工程建設(shè)項(xiàng)目部 韶關(guān)市優(yōu)采招標(biāo)代理有限公司 莎草目 電梯平層準(zhǔn)確度 建設(shè)部關(guān)于開(kāi)展城市規(guī)劃動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)工作的通知 廣州利好來(lái)電氣有限公司 四川中澤盛世招標(biāo)代理有限公司