改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價(jià)格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖1所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿足PMOS對(duì)輸入電平的要求。

MOS場效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規(guī)模大的集成電路。

P溝MOS晶體管造價(jià)信息

市場價(jià) 信息價(jià) 詢價(jià)
材料名稱 規(guī)格/型號(hào) 市場價(jià)
（除稅）		 工程建議價(jià)
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)日期
CPU224晶體管型 CPU224, DC PS, 14DE DC/10DA DC-CN 查看價(jià)格 查看價(jià)格

件 13% 武漢運(yùn)通達(dá)科技有限公司
CPU226晶體管型 CPU226, DC PS, 24DE DC/16DA DC-CN 查看價(jià)格 查看價(jià)格

件 13% 武漢運(yùn)通達(dá)科技有限公司
CPU222晶體管型 CPU222, DC 24V, 8DE DC/6DA DC-CN 查看價(jià)格 查看價(jià)格

件 13% 武漢運(yùn)通達(dá)科技有限公司
CPU224XP晶體管型 CPU224XP, DC PS, 14DE DC/10DA DC/2AE/1AA 查看價(jià)格 查看價(jià)格

件 13% 武漢運(yùn)通達(dá)科技有限公司
晶體管圖示儀 品種:圖表式顯示儀表;規(guī)格型號(hào):XJ4810/4812;產(chǎn)品說明:晶體管圖示儀,兩管曲線,電壓500V,四種產(chǎn)品描述,有A,B自動(dòng)轉(zhuǎn)換.; 查看價(jià)格 查看價(jià)格

XJ

 臺(tái) 13% 重慶德源勝儀器有限公司
晶體管圖示儀 XJ-4810 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái) 13% 成都天大儀器設(shè)備有限公司
晶體管圖示儀 XJ-4810A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái) 13% 成都天大儀器設(shè)備有限公司
晶體管圖示儀 8J4830 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái) 13% 成都天大儀器設(shè)備有限公司
材料名稱 規(guī)格/型號(hào) 除稅
信息價(jià)		 含稅
信息價(jià)		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時(shí)間
自發(fā)電一體焊機(jī) 305A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 韶關(guān)市2010年8月信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2012年1季度信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2011年4季度信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2011年2季度信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 廣州市2011年1季度信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2011年1季度信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2010年1季度信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 廣州市2009年4季度信息價(jià)
材料名稱 規(guī)格/需求量 報(bào)價(jià)數(shù) 最新報(bào)價(jià)
（元）		 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)地區(qū) 最新報(bào)價(jià)時(shí)間
MOS場效應(yīng)晶體管測試儀 BJ2990|6臺(tái) 1 查看價(jià)格 北京無線電儀器廠 北京  北京市 2015-04-22
MOS型場效應(yīng)晶體管瞬態(tài)熱阻測試儀 BJ2989|6臺(tái) 1 查看價(jià)格 北京無線電儀器廠 北京  北京市 2015-11-17
晶體管圖示儀 BJ4811A|10臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-12-20
晶體管測試儀 HP3326A|10臺(tái) 1 查看價(jià)格 北京無線電儀器廠 北京  北京市 2015-12-18
晶體管圖示儀 XJ-4810A|5臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-10-21
晶體管話筒U87Ai 技術(shù)指標(biāo): 聲音工作原理:壓力梯度傳感器 指向性:全向性,心型,8字型 頻響:20Hz-20KHz 靈敏度(1KHz-1KOHM):20/28/22mVPa × 輸出阻抗:200ohms 負(fù)載阻抗:1000ohms 靈敏度(CCIR486-3):26/23/25dB-A× 靈敏度(DIN/IEC 651):15/12/14dB-A× S/N比(CCIR 486-3):68/71/69dB× S/N比(DIN/IEC 651):79/82/80dB× 最大聲壓級(jí)(THD小于0.5%):117dB(心型) 最大聲壓級(jí)(THD 小于0.5%,預(yù)衰減):127dB 最大輸出電壓:390Mv 麥克風(fēng)傳感器(DIN/IEC651)動(dòng)態(tài)范圍:105dB 電壓:48v+4V 電流:0.8mA 接頭:XLR3F 重量:500克 直徑|2只 1 查看價(jià)格 北京樂城仕國際科技有限公司 重慶  重慶市 2018-07-02
晶體管圖示儀 DW4822|4臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-10-22
晶體管圖示儀 8J4830|4臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-09-16

2100433B

P溝MOS晶體管P溝MOS晶體管常見問題

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P溝MOS晶體管P溝MOS晶體管文獻(xiàn)

塑料基底晶體管 塑料基底晶體管

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頁數(shù)： 2頁

評(píng)分： 4.7

晶體管制造一般是用玻璃作基底材料。這有利于在多變的環(huán)境下保持穩(wěn)定，從而保證用電設(shè)備所需的電流。據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，美國佐治亞理工大學(xué)研究人員最近開發(fā)出一種雙層界面新型晶體管，性能極為穩(wěn)定，還能在可控的環(huán)境中。

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S波段RF功率晶體管 S波段RF功率晶體管

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大?。?span id="9nyesz2" class="single-tag-height">135KB

頁數(shù)： 未知

評(píng)分： 4.7

S波段500WRF器件2729GN～500越于碳化硅襯底氮化鎵（GaN on SiC）技術(shù)，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通管制機(jī)場監(jiān)視雷達(dá)（ASR）應(yīng)用，ASR用于監(jiān)視和控制在機(jī)場大約100英里范圍的飛機(jī)。

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N溝MOS晶體管簡介

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu) 成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。

由p型襯底和兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時(shí)，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。

NMOS集成電路是N溝道MOS電路，NMOS集成電路的輸入阻抗很高，基本上不需要吸收電流，因此，CMOS與NMOS集成電路連接時(shí)不必考慮電流的負(fù)載問題。NMOS集成電路大多采用單組正電源供電，并且以5V為多。CMOS集成電路只要選用與NMOS集成電路相同的電源，就可與NMOS集成電路直接連接。不過，從NMOS到CMOS直接連接時(shí)，由于NMOS輸出的高電平低于CMOS集成電路的輸入高電平，因而需要使用一個(gè)(電位)上拉電阻R，R的取值一般選用2~100KΩ。

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在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N 區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極d和源極s。

然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g。

在襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)。

它的柵極與其它電極間是絕緣的。

圖(a)、(b)分別是它的結(jié)構(gòu)示意圖和代表符號(hào)。代表符號(hào)中的箭頭方向表示由P(襯底)指向N(溝道)。P溝道增強(qiáng)型MOS管的箭頭方向與上述相反，如圖(c)所示。

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mos晶體管簡介

?MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu) 成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC

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