平帶電壓

平帶電壓可分為兩部分相加，Vfb=Vfb1 Vfb2，Vfb1用來(lái)抵消功函數(shù)差的影響，Vfb2用來(lái)消除氧化層及界面電荷的影響

1）Vfb1

Vfb1=φms=φg-φf(shuō)

對(duì)于多晶硅柵，高摻雜的情況下，φg≈0.56V， 用于p型柵，-用于n型柵。

φf(shuō)是相對(duì)于本征費(fèi)米能級(jí)的費(fèi)米勢(shì)。

2）Vfb2

以固定的有效界面電荷Q0來(lái)等效所有各類電荷作用，Vfb2=-Q0/Cox。

Cox為單位面積氧化層電容，可用ε0/dox求得。

總結(jié)起來(lái)，Vfb=φg-φf(shuō)-Q0/Cox。

對(duì)于體相的半導(dǎo)體材料而言，我們可以通過(guò)Mott-Schottly公式推算，進(jìn)行簡(jiǎn)化戳通過(guò)作圖大體上計(jì)算出其平帶電位，但是對(duì)于納米級(jí)別的半導(dǎo)體材料則主要是通過(guò)儀器的直接測(cè)定。

電化學(xué)方法：在三電極體系下，使用入射光激發(fā)半導(dǎo)體電極，并改變電極上的電勢(shì)。當(dāng)施加的電位比平帶電位偏負(fù)的時(shí)候，光生電子不能夠進(jìn)入外電路，也就是說(shuō)不會(huì)產(chǎn)生光電流。相反，當(dāng)施加的電位比平帶電位偏正的時(shí)候，光生電子則能偶進(jìn)入外電路，進(jìn)而產(chǎn)生光電流。所以開(kāi)始產(chǎn)生光電流的電勢(shì)即為該納米半導(dǎo)體的平帶電位。

光譜電化學(xué)方法：該方法同樣是在三電極體系下，對(duì)半導(dǎo)體納米晶施加不同的電位，測(cè)量其在固定波長(zhǎng)下吸光度的變化。基本的原理與電化學(xué)方法大體相同。當(dāng)電極電位比平帶電位正時(shí)，吸光度不發(fā)生變化；偏負(fù)時(shí)則急劇上升。因?yàn)?，吸光度開(kāi)始急劇上升的電位即為納米半導(dǎo)體的平帶電位。

平帶狀態(tài)一般是指理想MOS系統(tǒng)中各個(gè)區(qū)域的能帶都是拉平的一種狀態(tài)。對(duì)于實(shí)際的MOS系統(tǒng)，由于金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)差φms和Si-SiO2系統(tǒng)中電荷Qf 的影響, 在外加?xùn)艠O電壓為0 時(shí)，半導(dǎo)體表面的能帶即發(fā)生了彎曲，從而這時(shí)需要另外再加上一定的電壓才能使能帶拉平，這個(gè)額外所加的電壓就稱為平帶電壓

MOS的閾值電壓是指使半導(dǎo)體表面產(chǎn)生反型層（即溝道）時(shí)所需要外加的柵極電壓。

如果存在平帶電壓，柵壓超過(guò)平帶電壓的有效電壓使得半導(dǎo)體表面出現(xiàn)空間電荷層（耗盡層），然后再進(jìn)一步產(chǎn)生反型層；故總的閾值電壓中需要增加一個(gè)平帶電壓部分。

由于平帶電壓中包含有Si-SiO2系統(tǒng)中電荷Qf 的影響，而這些電荷與工藝因素關(guān)系很大，故在制作工藝過(guò)程中需要特別注意Na離子等的沾污，以便于控制或者獲得預(yù)期的閾值電壓。

中文名稱

復(fù)合平帶

英文名稱

laminated belt

定　　義

由尼龍片基或滌綸繩為承載層，工作面貼鉻鞣革或掛膠帆布等層壓而成的平帶。

應(yīng)用學(xué)科

機(jī)械工程（一級(jí)學(xué)科），傳動(dòng)（二級(jí)學(xué)科），帶傳動(dòng)（三級(jí)學(xué)科）

電壓是推動(dòng)自由電荷定向移動(dòng)形成電流的原因。電流之所以能夠在導(dǎo)線中流動(dòng)，也是因?yàn)樵陔娏髦杏兄唠妱?shì)和低電勢(shì)之間的差別。這種差別叫電勢(shì)差，也叫電壓。換句話說(shuō)。在電路中，任意兩點(diǎn)之間的電位差稱為這兩點(diǎn)的電壓。通常用字母U代表電壓。

電源是給用電器兩端提供電壓或電能的裝置。電壓的大小可以用電壓表（符號(hào)：V）測(cè)量。

電壓基爾霍夫電壓定律

集總參數(shù)電路中任意時(shí)刻沿任意回路的電壓降的代數(shù)和為零，即

電壓電壓的串并聯(lián)關(guān)系

如果一個(gè)電路中元件僅包含串聯(lián)或者并聯(lián)關(guān)系，并且與電源直接相連，不考慮電源的內(nèi)阻的話，那么串聯(lián)電路兩端總電壓等于各部分電路兩端電壓和。