中文名 | PIN光電二極管 | 也????稱 | PIN結二極管 |
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優(yōu)????點 | 時間短、靈敏度高 | 類????型 | 二極管 |
本征層的引入,明顯增大了p 區(qū)的耗盡層的厚度,這有利于縮短載流子的擴散過程。耗盡層的加寬,也可以明顯減少結電容,從而使電路常數減小。同時耗盡加寬還有利于對長波區(qū)的吸收。性能良好的PIN光電二極管,擴散和漂移時間一般在10-10s數量級,頻率響應在千兆赫茲。實際應用中決定光電二極管的頻率響應的主要因素是電路的時間常數。合理選擇負載電阻是一個很重要的問題。
1、光電二極管和它的負載電阻RC的時間常數。
2、載流子在度越區(qū)的耗盡時間。
3、耗盡區(qū)外產生的載流子由于擴散而產生的時間延遲。
在上述的光電二極管的PN結中間摻入一層濃度很低的I型半導體,就可以增大耗盡區(qū)的寬度,達到減小擴散運動的影響,提高響應速度的目的。由于這一摻入層的摻雜濃度低,近乎本征(Intrinsic)半導體,故稱I層,因此這種結構成為PIN光電二極管。I層較厚,幾乎占據了整個耗盡區(qū)。絕大部分的入射光在I層內被吸收并產生大量的電子-空穴對。在I層兩側是摻雜濃度很高的P型和N型半導體,P層和N層很薄,吸收入射光的比例很小。因而光產生電流中漂移分量占了主導地位,這就大大加快了響應速度。
簡單來說,光電二極管不能放大信號,光電倍增管能放大信號,因此一般用作微弱光的檢測。 1.首先原理是不同的。 光電二極管是利用的半導體的能帶理論,當光照射光電二極管時,光的能量大于帶隙能量時,價電子帶的...
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在P型半導體和N型半導體之間夾著一層本征半導體。因為本征層相對于P區(qū)和N區(qū)是高阻區(qū),這樣PN結的內電場就基本上全集中于 I 層中。
頻帶寬(可達10GHz)
靈敏度高
線性輸出范圍寬
噪聲低2100433B
了解了以上的三點,在這里,PIN針在連接器中的作用是什么?相信就不難解決了。一般,PIN針在連接器中,最為明顯的兩個作用是完成電(信號)的導電(傳輸)。2100433B
p-i-n光電二極管, p-i-n Photo-Diode (pin-PD):
這是一種靈敏度比一般p-n結光(電)二極管(PD)要高的光檢測二極管,它是針對一般PD的不足、在結構上加以改進而得到的一種光電二極管。
由于PIN二極管可以根據不同的射頻微波信號表現出不同阻抗特性,因此,利用直流電平信號對射頻微波信號進行控制,從而控制PIN二極管的阻抗,實現電路開關的功能。實際中,PIN二極管用作射頻開關均會產生一定的電抗和損耗電阻,應用中要求將降低這些影響。
衰減器的主要作用是探知系統(tǒng)插損的電路,例如Pi型T型插損探知衰減電路,電阻網絡即可作為簡單的衰減器。衰減器在射頻電路中廣泛使用,不僅可以隔離兩個放大級,而且可以通過對衰減器的控制從而達到信道APC和AGC的功能。
將兩個相同的PIN二極管串聯(lián),相當于衰減模型的串聯(lián)電阻,這樣使得衰減電路的動態(tài)范圍明顯增加,偶次失真被消除。另外,也簡化了匹配和偏置電路,但是也增加了插入電路的耗損。在此電路中,控制衰減電壓幅度,可以實現控制射頻信號的衰減。
PIN二極管對于射頻信號可以表現出不同的衰減程度,可以利用這一特性設計出AM調制電路。由RF或微波單頻信號等射頻載波信號以及低頻調制信號(一般在DC-10MHz范圍內)共同完成其調制過程。PIN二極管偏置電流由低頻調制信號進行控制,通過PIN二極管的載波幅度大小的變化而產生調制波形。 2100433B