旁路電容相關(guān)比較

旁路電容是把電源或者輸入信號(hào)中的交流分量的干擾作為濾除對(duì)象。

有了旁路電容，將電源5V中的交流分量——波動(dòng)進(jìn)行濾除。將藍(lán)色波形變成粉紅色波形。一般來(lái)說(shuō)，靠近電源放置。

去耦電容是芯片的電源管腳，由于自身用電過(guò)程中信號(hào)跳變產(chǎn)生的電源管腳對(duì)外的波形輸出，我們用電容進(jìn)行濾除。

把信號(hào)電源管腳，輸出干擾作為濾除對(duì)象，防止干擾信號(hào)返回電源。

尖峰電流的形成：

數(shù)字電路輸出高電平時(shí)從電源拉出的電流Ioh和低電平輸出時(shí)灌入的電流Iol的大小一般是不同的，即：Iol＞Ioh。以下圖的TTL與非門為例說(shuō)明尖峰電流的形成：

輸出電壓如右圖（a）所示，理論上電源電流的波形如右圖（b），而實(shí)際的電源電流保險(xiǎn)如右圖（c）。由圖（c）可以看出在輸出由低電平轉(zhuǎn)換到高電平時(shí)電源電流有一個(gè)短暫而幅度很大的尖峰。尖峰電源電流的波形隨所用器件的類型和輸出端所接的電容負(fù)載而異。

產(chǎn)生尖峰電流的主要原因是：

輸出級(jí)的T3、T4管短設(shè)計(jì)內(nèi)同時(shí)導(dǎo)通。在與非門由輸出低電平轉(zhuǎn)向高電平的過(guò)程中，輸入電壓的負(fù)跳變?cè)赥2和T3的基極回路內(nèi)產(chǎn)生很大的反向驅(qū)動(dòng)電流，由于T3的飽和深度設(shè)計(jì)得比T2大，反向驅(qū)動(dòng)電流將使T2首先脫離飽和而截止。T2截止后，其集電極電位上升，使T4導(dǎo)通。可是此時(shí)T3還未脫離飽和，因此在極短得設(shè)計(jì)內(nèi)T3和T4將同時(shí)導(dǎo)通，從而產(chǎn)生很大的ic4，使電源電流形成尖峰電流。圖中的R4正是為了限制此尖峰電流而設(shè)計(jì)。

這應(yīng)該是他們的本質(zhì)區(qū)別。去耦電容相當(dāng)于電池，避免由于電流的突變而使電壓下降，相當(dāng)于濾紋波。具體容值可以根據(jù)電流的大小、期望的紋波大小、作用時(shí)間的大小來(lái)計(jì)算。去耦電容一般都很大，對(duì)更高頻率的噪聲，基本無(wú)效。旁路電容就是針對(duì)高頻來(lái)的，也就是利用了電容的頻率阻抗特性。只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開(kāi)關(guān)噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般是0.1u，0.01u等 ，而去耦合電容一般比較大，是10u或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)，以及驅(qū)動(dòng)電流的變化大小來(lái)確定。

旁路電容

旁路電容（bypass）是把輸入信號(hào)中的高頻噪聲作為濾除對(duì)象，把前級(jí)攜帶的高頻雜波濾除。

旁路電容的主要功能是產(chǎn)生一個(gè)交流分路，從而消去進(jìn)入易感區(qū)的那些不需要的能量。旁路電容一般作為高頻旁路器件來(lái)減小對(duì)電源模塊的瞬態(tài)電流需求。 通常鋁電解電容和鉭電 容比較適合作旁路電容，其電容值取決于PCB板上的瞬態(tài)電流需求，一般在10至470μF范圍內(nèi)。

去耦電容

去耦電容（decoupling）也稱退耦電容，是把芯片的電源腳的輸出的干擾作為濾除對(duì)象。去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個(gè)作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲(電容對(duì)高頻阻抗小，將之瀉至GND)。

數(shù)字電路中，當(dāng)電路從一個(gè)狀態(tài)轉(zhuǎn)換為另一種狀態(tài)時(shí)，就會(huì)在電源線上產(chǎn)生一個(gè)很大的尖峰電流，形成瞬變的噪聲電壓，會(huì)影響前級(jí)的正常工作。這就是耦合。對(duì)于噪聲能力弱、關(guān)斷時(shí)電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲(chǔ)型器件，應(yīng)在芯片的電源線（Vcc）和地線（GND）間直接接入去耦電容。

數(shù)字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個(gè)電容的分布電感的典型值是5μH。 0.1μF的去耦電容有5μH的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說(shuō)，對(duì)于10MHz以 下的噪聲有較好的去耦效果，對(duì)40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。 1μF、10μF的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。 每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個(gè)蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來(lái)的，這種卷起來(lái)的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感。要使用 鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴(yán)格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μ。

案例分析：

采用去耦和不采用去耦的緩沖電路（測(cè)量結(jié)果）

為帶去耦電容器和不帶去耦電容器（C1 和C2）情況下用于驅(qū)動(dòng) R-C 負(fù)載的緩沖電路。我們注意到，在不使用去耦電容器的情況下，電路的輸出信號(hào)包含高頻 (3.8MHz) 振蕩。對(duì)于沒(méi)有去耦電容器的放大器而言，通常會(huì)出現(xiàn)穩(wěn)定性低、瞬態(tài)響應(yīng)差、啟動(dòng)出現(xiàn)故障以及其它多種異常問(wèn)題。

帶去耦合和不帶去耦合情況下的電流

電源線跡的電感將限制暫態(tài)電流。去耦電容與器件非常接近，因此電流路徑的電感很小。在暫態(tài)過(guò)程中，該電容器可在非常短的時(shí)間內(nèi)向器件提供超大量的電流。未采用去耦電容的器件無(wú)法提供暫態(tài)電流，因此放大器的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)會(huì)下垂（通常稱為干擾）。無(wú)去耦電容的器件其內(nèi)部電源干擾會(huì)導(dǎo)致器件工作不連續(xù)，原因是內(nèi)部節(jié)點(diǎn)未獲得正確的偏置。

良好與糟糕 PCB 板面布局的對(duì)比

除了使用去耦電容器外，還要在去耦電容器、電源和接地端之間采取較短的低阻抗連接。將良好的去耦合板面布局與糟糕的布局進(jìn)行了對(duì)比。應(yīng)始終嘗試著讓去耦合連接保持較短的距離，同時(shí)避免在去耦合路徑中出現(xiàn)通孔，原因是通孔會(huì)增加電感。大部分產(chǎn)品說(shuō)明書都會(huì)給出去耦合電容器的推薦值。如果沒(méi)有給出，則可以使用 0.1uF。

PCB布局時(shí)去耦電容擺放

對(duì)于電容的安裝，首先要提到的就是安裝距離。容值最小的電容，有最高的諧振頻率，去耦半徑最小，因此放在最靠近芯片的位置。容值稍大些的可以距離稍遠(yuǎn)，最外層放置容值最大的。但是，所有對(duì)該芯片去耦的電容都盡量靠近芯片。

下面的圖1就是一個(gè)擺放位置的例子。本例中的電容等級(jí)大致遵循10倍等級(jí)關(guān)系。

還有一點(diǎn)要注意，在放置時(shí)，最好均勻分布在芯片的四周，對(duì)每一個(gè)容值等級(jí)都要這樣。通常芯片在設(shè)計(jì)的時(shí)候就考慮到了電源和地引腳的排列位置，一般都是均勻分布在芯片的四個(gè)邊上的。因此，電壓擾動(dòng)在芯片的四周都存在，去耦也必須對(duì)整個(gè)芯片所在區(qū)域均勻去耦。如果把上圖中的680pF電容都放在芯片的上部，由于存在去耦半徑問(wèn)題，那么就不能對(duì)芯片下部的電壓擾動(dòng)很好的去耦。

電容的安裝

在安裝電容時(shí)，要從焊盤拉出一小段引出線，然后通過(guò)過(guò)孔和電源平面連接，接地端也是同樣。這樣流經(jīng)電容的電流回路為：電源平面->過(guò)孔->引出線->焊盤->電容->焊盤->引出線->過(guò)孔->地平面，圖2直觀的顯示了電流的回流路徑。

第一種方法從焊盤引出很長(zhǎng)的引出線然后連接過(guò)孔，這會(huì)引入很大的寄生電感，一定要避免這樣做，這是最糟糕的安裝方式。

第二種方法在焊盤的兩個(gè)端點(diǎn)緊鄰焊盤打孔，比第一種方法路面積小得多，寄生電感也較小，可以接受。

第三種在焊盤側(cè)面打孔，進(jìn)一步減小了回路面積，寄生電感比第二種更小，是比較好的方法。

第四種在焊盤兩側(cè)都打孔，和第三種方法相比，相當(dāng)于電容每一端都是通過(guò)過(guò)孔的并聯(lián)接入電源平面和地平面，比第三種寄生電感更小，只要空間允許，盡量用這種方法。

最后一種方法在焊盤上直接打孔，寄生電感最小，但是焊接是可能會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，是否使用要看加工能力和方式。

推薦使用第三種和第四種方法。

需要強(qiáng)調(diào)一點(diǎn)：有些工程師為了節(jié)省空間，有時(shí)讓多個(gè)電容使用公共過(guò)孔，任何情況下都不要這樣做。最好想辦法優(yōu)化電容組合的設(shè)計(jì)，減少電容數(shù)量。

由于印制線越寬，電感越小，從焊盤到過(guò)孔的引出線盡量加寬，如果可能，盡量和焊盤寬度相同。這樣即使是0402封裝的電容，你也可以使用20mil寬的引出線。引出線和過(guò)孔安裝如圖4所示，注意圖中的各種尺寸。

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)（第三版）

作者：（美）普利斯曼 著，莫瑞 著

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寫作原因：

最近工作重心由軟件漸漸向硬件偏移,畫pcb ,PCB 我是不感興趣的只當(dāng)復(fù)習(xí)玩玩，無(wú)聊畫板之余研究一下原理圖硬件電路設(shè)計(jì)才真正接受畫板工作的原因(因?yàn)橛布浆F(xiàn)在還是我的“硬傷”).....

今天在看CAN總線資料時(shí)突然看到can原理圖TJA1050 CAN收發(fā)器 電源管腳 外接電源時(shí)節(jié)了一個(gè)電容到地，突然想起昨天同事順子跟我說(shuō) 布線時(shí)電源要先連接電容再接到芯片電源管腳那時(shí)不知所云，但是今天又遇到所以便開(kāi)始了我的“瞎琢磨”....

我一連串的發(fā)問(wèn)：

這個(gè)電容到底有什么用呢？

為什么用的是0.1uf 大小的電容，這個(gè)值有沒(méi)有要求？

一查百度，發(fā)現(xiàn)他叫“旁路電容”，如果放在另外的位置它叫“去耦電容”，神奇呀！

下面我們來(lái)說(shuō)是“旁路電容”和“去耦電容”：（有點(diǎn)抄百度的節(jié)奏）

一.定義和區(qū)別

旁路（bypass）電容：是把輸入信號(hào)中的高頻成分作為濾除對(duì)象；

去耦（decoupling）電容：也稱退耦電容，是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象。

去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用，電容所處的位置不同，稱呼就不一樣了。

高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合電容一般比較大，是10u或者更大

二.作用

去耦電容:

去耦電容主要有2個(gè)作用：

（1）去除高頻信號(hào)干擾；

（2）蓄能作用；（而實(shí)際上，芯片附近的電容還有蓄能的作用，這是第二位的）

高頻器件在工作的時(shí)候，其電流是不連續(xù)的，而且頻率很高，而器件VCC到總電源有一段距離，即便距離不長(zhǎng)，在頻率很高的情況下，阻抗Z=i*wL+R，線路的電感影響也會(huì)非常大，會(huì)導(dǎo)致器件在需要電流的時(shí)候，不能被及時(shí)供給。而去耦電容可以彌補(bǔ)此不足。這也是為什么很多電路板在高頻器件VCC管腳處放置小電容的原因之一（在vcc引腳上通常并聯(lián)一個(gè)去耦電容，這樣交流分量就從這個(gè)電容接地。）

附加：

所謂的藕合：是在前后級(jí)間傳遞信號(hào)而不互相影響各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)的元件 有源器件在開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的高頻開(kāi)關(guān)噪聲將沿著電源線傳播。去耦電容的主要功能就是提供一個(gè)局部的直流電源給有源器件，以減少開(kāi)關(guān)噪聲在板上的傳播和將噪聲引導(dǎo)到地。 從電路來(lái)說(shuō)，總是存在驅(qū)動(dòng)的源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大，驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電、放電，才能完成信號(hào)的跳變，在上升沿比較陡峭的時(shí)候，電流比較大，這樣驅(qū)動(dòng)的電流就會(huì)吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會(huì)產(chǎn)生反彈），這種電流相對(duì)于正常情況來(lái)說(shuō)實(shí)際上就是一種噪聲，會(huì)影響前級(jí)的正常工作。這就是耦合。 去耦電容就是起到一個(gè)電池的作用，滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。

三.為什么用的是0.1uf 大小的電容，這個(gè)值有沒(méi)有要求？

有源器件在開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的高頻開(kāi)關(guān)噪聲將沿著電源線傳播。去耦電容的主要功能就是提供一個(gè)局部的直流電源給有源器件，以減少開(kāi)關(guān)噪聲在板上的傳播和將噪聲引導(dǎo)到地。

去耦電容在集成電路電源和地之間有兩個(gè)作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數(shù)字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個(gè)電容的分布電感的典型值是5μH。0.1μF的去耦電容有5nH的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，計(jì)算方法為

也就是說(shuō)，對(duì)于10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果，對(duì)40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。1μF、10μF的電容，并行共振頻率在2MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個(gè)蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來(lái)的，這種卷起來(lái)的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴(yán)格，其電容值可按C=1/F來(lái)計(jì)算，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。