pn結(jié)的電容效應(yīng)

前言

第1章 緒論

1.1 什么是電力電子技術(shù)

1.2 電力電子器件簡介

1.3 電力電子技術(shù)的發(fā)展與展望

第2章 功率二極管

2.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)

2.1.1 概述

2.1.2 能帶

2.1.3 N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體

2.1.4 半導(dǎo)體中的電流

2.1.5 PN結(jié)

2.1.6 PN結(jié)的反向擊穿

2.1.7 PN結(jié)的電容效應(yīng)

2.2 功率二極管

2.2.1 功率二極管的性能參數(shù)

2.2.2 功率二極管的穩(wěn)態(tài)伏安特性

2.2.3 PIN功率二極管的開關(guān)特性

2.2.4 快速恢復(fù)二極管的開通關(guān)斷特性

2.2.5 改善二極管反向恢復(fù)特性的方法

2.2.6 功率二極管的分類

2.3 功率碳化硅肖特基二極管在高頻Boost功率因數(shù)校正電路中的應(yīng)用

2.4 功率二極管的散熱措施

2.4.1 功率二極管的熱平衡

2.4.2 功率二極管的散熱

2.4.3 散熱器的選擇與設(shè)計(jì)

2.4.4 散熱器的冷卻方式

第3章 功率場效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)

3.1 結(jié)構(gòu)與工作原理

3.1.1 基本結(jié)構(gòu)與工作原理

3.1.2 多元集成結(jié)構(gòu)的影響

3.2 MOSFET的工作特性

3.2.1 靜態(tài)特性

3.2.2 動(dòng)態(tài)特性

3.2.3 安全工作區(qū)

3.2.4 溫度穩(wěn)定性

3.3 柵極的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)

3.3.1 柵極驅(qū)動(dòng)特性

3.3.2 柵極驅(qū)動(dòng)電路

3.3.3 并聯(lián)應(yīng)用

3.3.4 使用中的保護(hù)措施

3.4 功率MOSFET新進(jìn)展

3.4.1 CoolMOS

3.4.2 低壓低通態(tài)電阻MOSFET

3.5 功率MOSFET應(yīng)用實(shí)例

3.5.1 集成PWM控制芯片

3.5.2 PWM控制DC-DC變換器基礎(chǔ)

3.5.3 LLC諧振變換器

3.5.4 單相功率因數(shù)校正

3.5.5 板載電源

……

第4章 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)

第5章 晶閘管

第6章 可關(guān)斷晶閘管(GTO晶閘管與IGCT)

參考文獻(xiàn)