因而無機非金屬材料是由形狀不規(guī)則和取向不同的晶粒構(gòu)成的多晶體,多晶體的性質(zhì)不僅由晶粒內(nèi)部結(jié)構(gòu)和它們的缺陷結(jié)構(gòu)所決定,而且還與晶界結(jié)構(gòu)、數(shù)量等因素有關(guān)。尤其在高技術(shù)領(lǐng)域內(nèi),要求材料具有細晶交織的多晶結(jié)構(gòu)以提高機電性能。此時晶界在材料中所起的作用就更為突出。當多晶體中晶粒平均尺寸為1um界占晶體總體積的1/2。顯然在細晶材料中,晶界對材料的機、電、熱、光等性質(zhì)都有不可忽視作用。 凡結(jié)構(gòu)相同而取向不同的晶體相互接觸,其接觸界面稱為晶界。如果相鄰晶粒不僅位向不同,而且結(jié)構(gòu)、組成也不相同,即它們代表不同的兩個相測其間界稱為相界面或界面。由于原子(離子)間結(jié)合鍵的變化及結(jié)構(gòu)畸變,相界面同樣具有特殊的界面能,可以與晶界類同看待。
二維點陣中晶界位置可用兩個晶粒的位向差θ和晶界相對于一個點陣某一平面的夾角φ來確定。根據(jù)相鄰晶粒之間傾斜晶界位向差θ角的大小不同可將晶界分為兩類:
1.小角度晶界(small-angle grain boundary)——相鄰晶粒的位向差小于10°的晶界;亞晶界均屬小角度晶界,一般小于2°;
2.大角度晶界(large-angle grain boundary)——相鄰晶粒的位向差大于10°的晶界,多晶體中90%以上的晶界屬于此類。
按照相鄰亞晶粒間位向差的型式不同,小角度晶界可分為傾斜晶界、扭轉(zhuǎn)晶界和重合晶界等。它們的結(jié)構(gòu)可用相傾斜晶界應(yīng)的模型來描述。
1.對稱傾斜晶界
對稱傾斜晶界(symmetrical tilt boundary)可看作是把晶界兩側(cè)晶體互相傾斜的結(jié)果。由于相鄰兩晶粒的位向差θ角很小,其晶界可看成是由一列平行的刃型位錯所構(gòu)成。
2.不對稱傾斜晶界
如果傾斜晶界的界面繞x軸轉(zhuǎn)了一角度φ,則此時兩晶粒之間的位向差仍為θ角,但此時晶界的界面對于兩個晶粒是傾斜晶界不對稱的,故稱不對稱傾斜晶界(unsymmetrical tilt boundary)。它有兩個自由度θ和φ。該晶界結(jié)構(gòu)可看成由兩組柏氏矢量相互垂直的刃型位錯交錯排列而構(gòu)成的。
3.扭轉(zhuǎn)晶界
扭轉(zhuǎn)晶界(twist boundary)是小角度晶界的一種類型。它可看成是兩部分晶體繞某一軸在一個共同的晶面上相對扭轉(zhuǎn)一個θ角所構(gòu)成的,扭轉(zhuǎn)軸垂直于這一共同的晶面。該晶界的結(jié)構(gòu)可看成是由互相交叉的螺型位錯所組成。
扭轉(zhuǎn)晶界和傾斜晶界均是小角度晶界的簡單情況,不同之處在于傾斜晶界形成時,轉(zhuǎn)軸在晶界內(nèi);扭轉(zhuǎn)晶界的轉(zhuǎn)軸則垂直于晶界。一般情況下,小角度晶界都可看成是兩部分晶體繞某一軸旋轉(zhuǎn)一角度而形成的,只不過其轉(zhuǎn)軸既不平行于晶界也不垂直于晶界。對于這樣的小角度晶界,可看作是由一系列刃位錯、螺位錯或混合位錯的網(wǎng)絡(luò)所構(gòu)成。
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研究表明,多晶體中疲勞裂紋往往沿晶界萌生。通過對Cu多晶體疲勞斷裂行為的研究,Mughrabi等人提出了一種駐留滑移帶(PSB)撞擊晶界的疲勞裂紋萌生機制(PSB—GB機制)來解釋這種沿晶開裂現(xiàn)象,這個模型與中、低應(yīng)變幅下多晶體疲勞損傷的一些表面滑移事實相吻合。但在大應(yīng)變幅(5x10-3以上)下Cu多晶體疲勞裂紋萌生的研究中,Kim和Laird 發(fā)現(xiàn)晶界裂紋的產(chǎn)生與晶界兩側(cè)晶粒的高度差,即晶界臺階的形成有密切關(guān)系,進而提出了一個與PSB—GB機制完全不同的大應(yīng)變幅下晶界臺階機制。事實上,在較高的應(yīng)變幅下也能夠觀察到PSB—GB裂紋陣。顯然,對這種沿晶疲勞開裂現(xiàn)象還缺乏足夠的認識。由于多晶體晶粒的取向和晶界幾何結(jié)構(gòu)難于控制,不便分析和研究。研究采用幾何結(jié)構(gòu)簡單,且易于控制的雙晶體來進一步研究這種沿晶開裂現(xiàn)象,試圖為多晶體的疲勞損傷及其機制的認識提供實驗基礎(chǔ)和理論依據(jù)。
利用Birdgman方法生長出大塊Cu雙晶。用Laue背散射技術(shù)確定雙晶的晶體取向后(2°偏差),用電火花線切割機切取一組[134]垂直晶界(見圖1a)和兩組[134]傾斜晶界(見圖1b,c)雙晶疲勞試樣,其中一組傾斜晶界雙晶晶界與加載軸約成25°夾角,稱傾斜晶界雙晶I,見圖1b;另一組傾斜晶界雙晶的晶界與加載軸約成50°夾角,稱傾斜晶界雙晶Ⅱ,見圖1c。這樣設(shè)計可以保證雙晶試樣的晶界結(jié)構(gòu)滑移系開動條件完全相同,僅僅是雙晶晶界與滑移系的相對取向有所改變,從而單獨研究晶界取向?qū)﹄p晶體疲勞開裂行為的影響。疲勞試樣標距內(nèi)截面積為6mmx4mm,標距長度12.5mm,夾頭部分截面積為6mmx6mm,試樣總長度為64mm。
(1)垂直晶界雙晶的疲勞開裂行為
SEM觀察發(fā)現(xiàn),[134]垂直晶界Cu雙晶疲勞裂紋的萌生同駐留滑移帶與晶界交互作用密切相關(guān),在承受高、低應(yīng)變幅循環(huán)的疲勞試樣表面都觀察到許多由滑移帶撞擊晶界而形成的沿晶疲勞裂紋(PSB一GB裂紋),這種裂紋形成的幾率與應(yīng)變幅有一定關(guān)系,大應(yīng)變幅下裂紋萌生幾率更大一些。圖2給出γpl=1.8x10-4和4.1x10-4兩種不同應(yīng)變幅下的PSB—GB裂紋的形貌。從該圖中可以看到,在形成疲勞裂紋的地點,雙晶體滑移變形的程度較大。很顯然,正是由于這種滑移變形的集中,通過與晶界的反復(fù)作用,導(dǎo)致了沿晶開裂。
(2)傾斜晶界雙晶的疲勞開裂行為
同垂直晶界類似,晶界同樣是兩組[134]傾斜晶界Cu雙晶疲勞裂紋形成的有利地點,也是疲勞裂紋拓展的有利途徑。在某些應(yīng)變下,晶面觀察到少許PSB-GB裂紋的形成,但更多的裂紋似乎與滑移帶撞擊晶界的作用關(guān)系不大。也就是說,晶界臺階機制在傾斜晶界雙晶的疲勞開裂中起主要作用,而PSB-GB裂紋的作用較小。
雙晶體變形時在x表面上會產(chǎn)生較大的滑移量,因而產(chǎn)生晶界臺階,導(dǎo)致晶界疲勞裂紋形成。特別是在大應(yīng)變幅下,由于變形程度和滑移量大,晶界臺階更易形成,因此沿晶開裂更易發(fā)生。雖然[134]傾斜晶界雙晶的幾何參數(shù)α和β同垂直晶界雙晶完全相同,但觀察發(fā)現(xiàn)傾斜晶界雙晶中PSB—GB裂紋對雙晶體的疲勞損傷不起主導(dǎo)作用,說明傾斜晶界雙晶體中晶界臺階裂紋較PSB—GB裂紋更易形成,臺階機制占主導(dǎo)作用。
上述傾斜晶界雙晶體疲勞開裂行為的實驗結(jié)果有助于理解多晶體的疲勞裂紋萌生行為和機制。在多晶體中,由于晶粒取向分布復(fù)雜,各種幾何取向的晶粒都會存在。同傾斜晶界雙晶類似,在大應(yīng)變幅下,由于變形量大,在幾何條件有利的傾斜晶界上很容易形成晶界臺階。而與晶界臺階形成相比,PSB—GB裂紋形核和長大較慢,正如Kim和Laird所觀察到的,大應(yīng)變幅下沿晶裂紋往往以臺階機制在傾斜晶界上形成。而在小應(yīng)變幅下,即使晶粒的幾何條件與臺階裂紋形成的幾何條件吻合,由于滑移量小,形成的晶界臺階也較小。往往在形成能導(dǎo)致裂紋形核的較大臺階之前,在那些幾何條件與PSB—GB機制吻合較好的晶粒內(nèi),由于PSB與晶界的反復(fù)作用就導(dǎo)致了PSB—GB開裂。所以小應(yīng)變幅下,對于多晶體的疲勞損傷PSB—GB裂紋更為重要。
(1)受循環(huán)應(yīng)變載荷作用的Cu雙晶體,晶界既是疲勞裂紋萌生的有利地點,也是疲勞裂紋擴展的有利路徑。
(2)垂直晶界雙晶和傾斜晶界雙晶疲勞裂紋萌生的機制有所不同。垂直晶界雙晶沿晶疲勞裂紋主要由駐留滑移帶撞擊晶界而產(chǎn)生;而對于傾斜晶界雙晶,疲勞裂紋優(yōu)先以臺階機制形成。造成這種差別的原因同兩種雙晶體的活動滑移系與晶界的相對幾何關(guān)系有關(guān)。 2100433B
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大?。?span id="vdauqsn" class="single-tag-height">174KB
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晶界對合金性能的影響機理 晶界是固體材料中的一種面缺陷,根據(jù)晶界角度的大小可以分為小角晶界 (θ<10°)和大角晶界,亞晶界均屬小角度晶界,一般小于 2°,多晶體中 90%以 上的晶界屬于大角度晶界。 根據(jù)晶界上原子匹配優(yōu)劣程度可以分為重位晶界和混 亂晶界。在晶界處存在一些特殊的性質(zhì): (1)晶界處點陣畸變大,存在晶界能。 晶粒的長大和晶界的平直化都能減少晶界面積, 從而降低晶界的總能量, 這是一 個自發(fā)過程。晶粒的長大和晶界的平直化均需通過原子的擴散來實現(xiàn), 因此,溫 度升高和保溫時間的增長, 均有利于這兩過程的進行;(2)晶界處原子排列不規(guī) 則,在常溫下晶界的存在會對位錯的運動起阻礙作用,致使塑性變形抗力提高, 宏觀表現(xiàn)為晶界較晶內(nèi)具有較高的強度和硬度。 晶粒越細,材料的強度越高, 這 就是細晶強化;高溫下則由于晶界存在一定的粘滯性, 易使相鄰晶粒產(chǎn)生相對滑 動;(3)晶界處原子偏離平
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利用電子顯微鏡研究了形變熱加工處理對晶界結(jié)構(gòu)的影響。研究表明,敏化處理后,因預(yù)應(yīng)變處理而引入孿晶的晶界工程(GBE)可以在大角度晶界得到高比例的非連續(xù)分布的低能晶界。在大角度晶界上形成的局部的低能晶界的貧鉻程度明顯低于原來的大角度晶界的貧鉻程度。非連續(xù)分布的低能晶界阻斷了大角度晶界貧鉻的連續(xù)性,有效抑制來自于材料表面的沿晶腐蝕。
晶界(grain boundary )是結(jié)構(gòu)相同而取向不同晶粒之間的界面。
它包含兩層含義。一層含義是晶界本身是個畸變區(qū),有內(nèi)應(yīng)力作用在晶界面及其附近區(qū)域。例如。由位錯列構(gòu)成的小角度晶界的應(yīng)力場可用位錯理論算出,它在晶界面上有極大值,并急劇下降,故是一種短程應(yīng)力。另一層含義是指作用在晶界面上的外應(yīng)力或其它內(nèi)應(yīng)力源的內(nèi)應(yīng)力(如位錯塞積在晶界)。高溫蠕變時,作用在晶界面上的切應(yīng)力使晶界產(chǎn)生滑動從而導(dǎo)致蠕變塑性變形。作用在晶界面上的正應(yīng)力能使原子定向擴散流動,從而產(chǎn)生沿晶界擴散的蠕變 。
在晶界面上,原子排列從一個取向過渡到另一個取向,故晶界處原子排列處于過渡狀態(tài)。 晶粒與晶粒之間的接觸界面叫做晶界。無機非金屬材料是由微細粉料燒結(jié)而成的。在燒結(jié)時,眾多的的微細顆粒形成大量的結(jié)晶中心。當它們發(fā)育成晶粒并逐漸長大到相遇時就形成晶界 。