石墨稀簡(jiǎn)介
不存在石墨稀的概念,只有石墨烯,本詞條為無意義的錯(cuò)誤詞條 例證是國(guó)家建設(shè)的CNKI中國(guó)知網(wǎng)上搜索"石墨稀"全部結(jié)果重新指向"石墨烯"。
石墨烯是由碳原子構(gòu)成的蜂巢形結(jié)構(gòu),是一個(gè)世紀(jì)以來研發(fā)的最重要的新材料。石墨 烯由石墨制成,后者是一種灰色礦物,儲(chǔ)量極高,主要產(chǎn)自智利、印度和加拿大等國(guó)。
石墨烯的命名來自英文的graphite(石墨) + -ene(烯類結(jié)尾),也可稱為"單層石墨"。石墨烯被認(rèn)為是平面多環(huán)芳香烴原子晶體。其碳原子排列與石墨的單原子層雷同,是碳原子以sp2混成軌域呈蜂巢晶格(honeycomb crystal lattice)排列構(gòu)成的單層二維晶體。石墨烯可想像為由碳原子和其共價(jià)鍵所形成的原子尺寸網(wǎng)。
石墨烯卷成圓桶形可以用為碳納米管;另外石墨烯還被做成彈道晶體管(ballistic transistor)并且吸引了大批科學(xué)家的興趣 。在2006年3月,佐治亞理工學(xué)院研究員宣布, 他們成功地制造了石墨烯平面場(chǎng)效應(yīng)晶體管,并觀測(cè)到了量子干涉效應(yīng),并基于此結(jié)果,研究出以石墨烯為基材的電路。
石墨烯的問世引起了全世界的研究熱潮。它是已知材料中最薄的一種,質(zhì)料非常牢固堅(jiān)硬,在室溫狀況,傳遞電子的速度比已知導(dǎo)體都快。石墨烯的原子尺寸結(jié)構(gòu)非常特殊,必須用量子場(chǎng)論才能描繪。
石墨稀結(jié)構(gòu)
石墨烯是由碳六元環(huán)組成的兩維(2D)周期蜂窩狀點(diǎn)陣結(jié)構(gòu),它可以翹曲成零維(0D)的富勒烯(fullerene),卷成一維(1D)的碳納米管(carbon nano-tube, CNT)或者堆垛成三維(3D)的石墨(graphite), 因此石墨烯是構(gòu)成其他石墨材料的基本單元。石墨烯的基本結(jié)構(gòu)單元為有機(jī)材料中最穩(wěn)定的苯六元環(huán), 是目前最理想的二維納米材料.。理想的石墨烯結(jié)構(gòu)是平面六邊形點(diǎn)陣,可以看作是一層被剝離的石墨分子,每個(gè)碳原子均為sp2雜化,并貢獻(xiàn)剩余一個(gè)p軌道上的電子形成大π鍵,π電子可以自由移動(dòng),賦予石墨烯良好的導(dǎo)電性。二維石墨烯結(jié)構(gòu)可以看是形成所有sp2雜化碳質(zhì)材料的基本組成單元。
石墨烯的結(jié)構(gòu)非常穩(wěn)定,碳碳鍵(carbon-carbon bond)僅為1.42Å。石墨烯內(nèi)部的碳原子之間的連接很柔韌,當(dāng)施加外力于石墨烯時(shí),碳原子面會(huì)彎曲變形,使得碳原子不必重新排列來適應(yīng)外力,從而保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。這種穩(wěn)定的晶格結(jié)構(gòu)使石墨烯具有優(yōu)秀的導(dǎo)熱性。另外,石墨烯中的電子在軌道中移動(dòng)時(shí),不會(huì)因晶格缺陷或引入外來原子而發(fā)生散射。由于原子間作用力十分強(qiáng),在常溫下,即使周圍碳原子發(fā)生擠撞,石墨烯內(nèi)部電子受到的干擾也非常小。
石墨烯是構(gòu)成下列碳同素異形體的基本單元:石墨,木炭,碳納米管和富勒烯。完美的石墨烯是二維的,它只包括六邊形(等角六邊形); 如果有五邊形和七邊形存在,則會(huì)構(gòu)成石墨烯的缺陷。12個(gè)五角形石墨烯會(huì)共同形成富勒烯。
石墨烯的合成方法主要有兩種:機(jī)械方法和化學(xué)方法。機(jī)械方法包括微機(jī)械分離法、取向附生法和加熱SiC的方法 ; 化學(xué)方法是化學(xué)還原法與化學(xué)解理法。
微機(jī)械分離法
最普通的是微機(jī)械分離法,直接將石墨烯薄片從較大的晶體上剪裁下來。2004年Novoselovt等用這種方法制備出了單層石墨烯,并可以在外界環(huán)境下穩(wěn)定存在。典型制備方法是用另外一種材料膨化或者引入缺陷的熱解石墨進(jìn)行摩擦,體相石墨的表面會(huì)產(chǎn)生絮片狀的晶體,在這些絮片狀的晶體中含有單層的石墨烯。 但缺點(diǎn)是此法是利用摩擦石墨表面獲得的薄片來篩選出單層的石墨烯薄片,其尺寸不易控制,無法可靠地制造長(zhǎng)度足供應(yīng)用的石墨薄片樣本。
取向附生法-晶膜生長(zhǎng)
取向附生法是利用生長(zhǎng)基質(zhì)原子結(jié)構(gòu)"種"出石墨烯,首先讓碳原子在 1 1 5 0 ℃下滲入釕,然后冷卻,冷卻到850℃后,之前吸收的大量碳原子就會(huì)浮到釕表面,鏡片形狀的單層的碳原子" 孤島" 布滿了整個(gè)基質(zhì)表面,最終它們可長(zhǎng)成完整的一層石墨烯。第一層覆蓋 8 0 %后,第二層開始生長(zhǎng)。底層的石墨烯會(huì)與釕產(chǎn)生強(qiáng)烈的交互作用,而第二層后就幾乎與釕完全分離,只剩下弱電耦合,得到的單層石墨烯薄片表現(xiàn)令人滿意。但采用這種方法生產(chǎn)的石墨烯薄片往往厚度不均勻,且石墨烯和基質(zhì)之間的黏合會(huì)影 響碳層的特性。另外Peter W.Sutter 等使用的基質(zhì)是稀有金屬釕。
加熱 SiC法
該法是通過加熱單晶6H-SiC脫除Si,在單晶(0001) 面上分解出石墨烯片層。具體過程是:將經(jīng)氧氣或氫氣刻蝕處理得到的樣品在高真空下通過電子轟擊加熱,除去氧化物。用俄歇電子能譜確定表面的氧化物完全被移除后,將樣品加熱使之溫度升高至1250~1450℃后恒溫1min~20min,從而形成極薄的石墨層,經(jīng)過幾年的探索,Berger等人已經(jīng)能可控地制備出單層或是多層石墨烯。其厚度由加熱溫度決定,制備大面積具有單一厚度的石墨烯比較困難。
包信和等開發(fā)了一條以商品化碳化硅顆粒為原料,通過高溫裂解規(guī)模制備高品質(zhì)無支持(Free standing)石墨烯材料的新途徑。通過對(duì)原料碳化硅粒子、裂解溫度、速率以及氣氛的控制,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)石墨烯結(jié)構(gòu)和尺寸的調(diào)控。這是一種非常新穎、對(duì)實(shí)現(xiàn)石墨烯的實(shí)際應(yīng)用非常重要的制備方法。
化學(xué)還原法
化學(xué)還原法是將氧化石墨與水以1 mg/mL的 比例混合, 用超聲波振蕩至溶液清晰無顆粒狀物質(zhì),加入適量肼在1 0 0℃回流2 4 h ,產(chǎn)生黑色顆粒狀沉淀,過濾、烘干即得石墨烯。Sasha Stankovich 等利用化學(xué)分散法制得厚度為1 nm左右的石墨烯。
化學(xué)解理法
化學(xué)解理法是將氧化石墨通過熱還原的方法制備石墨烯的方法,氧化石墨層間的含氧官能團(tuán)在一定溫度下發(fā)生反應(yīng),迅速放出氣體,使得氧化石墨層被還原的同時(shí)解理開,得到石墨烯。這是一種重要的制備石墨烯的方法,天津大學(xué)楊全紅等用低溫化學(xué)解理氧化石墨的方法制備了高質(zhì)量的石墨烯
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1、作耐火材料:石墨及其制品具有耐高溫、高強(qiáng)度的性質(zhì),在冶金工業(yè)中主要用來制造石墨坩堝,在煉鋼中常用石墨作鋼錠之保護(hù)劑,冶金爐的內(nèi)襯。2.作導(dǎo)電材料:在電氣工業(yè)上用作制造電極、電刷、碳棒、碳管、正流器...
國(guó)產(chǎn)石墨與進(jìn)口石墨有哪些區(qū)別
國(guó)產(chǎn)石墨和進(jìn)口石墨的區(qū)別主要在:顆粒度,像抗壓、抗折強(qiáng)度,肖氏硬度,石墨內(nèi)部結(jié)構(gòu)等方面。
石墨烯出現(xiàn)在實(shí)驗(yàn)室中是在2004年,當(dāng)時(shí),英國(guó)曼徹斯特大學(xué)的兩位科學(xué)家安德烈·杰姆和克斯特亞·諾沃消洛夫發(fā)現(xiàn)他們能用一種非常簡(jiǎn)單的方法得到越來越薄的石墨薄片。他們從石墨中剝離出石墨片,然后將薄片的兩面粘在一種特殊的膠帶上,撕開膠帶,就能把石墨片一分為二。不斷地這樣操作,于是薄片越來越薄,最后,他們得到了僅由一層碳原子構(gòu)成的薄片,這就是石墨烯。這以后,制備石墨烯的新方法層出不窮,經(jīng)過5年的發(fā)展,人們發(fā)現(xiàn),將石墨烯帶入工業(yè)化生產(chǎn)的領(lǐng)域已為時(shí)不遠(yuǎn)了。 因此,兩人在2010年獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。 石墨烯的出現(xiàn)在科學(xué)界激起了巨大的波瀾,人們發(fā)現(xiàn),石墨烯具有非同尋常的導(dǎo)電性能、超出鋼鐵數(shù)十倍的強(qiáng)度和極好的透光性,它的出現(xiàn)有望在現(xiàn)代電子科技領(lǐng)域引發(fā)一輪革命。在石墨烯中,電子能夠極為高效地遷移,而傳統(tǒng)的半導(dǎo)體和導(dǎo)體,例如硅和銅遠(yuǎn)沒有石墨烯表現(xiàn)得好。由于電子和原子的碰撞,傳統(tǒng)的半導(dǎo)體和導(dǎo)體用熱的形式釋放了一些能量,目前一般的電腦芯片以這種方式浪費(fèi)了70%-80%的電能,石墨烯則不同,它的電子能量不會(huì)被損耗,這使它具有了非同尋常的優(yōu)良特性。
石墨稀應(yīng)用前景
石墨烯是目前已知的力學(xué)強(qiáng)度最高的材料,并有可能作為添加劑廣泛應(yīng)用于新型高強(qiáng)度復(fù)合材料之中。用來開發(fā)制造出紙片般薄的超輕型飛機(jī)材料、超堅(jiān)韌的防彈衣和"太空電梯"用的超韌纜線,研究表明石墨烯增強(qiáng)聚乙烯醇(PVA)復(fù)合材料,只需要添加0.7%(重量比)的石墨烯,就可以使復(fù)合材料的拉伸強(qiáng)度提高76 %,同時(shí)其楊氏模量增加62%;另外,在功能化石墨烯增強(qiáng)的聚氨酯復(fù)合材料中,石墨烯含量為1%時(shí),其復(fù)合材料的強(qiáng)度提高75%,模量提高120 %。
在電子應(yīng)用方面石墨烯的應(yīng)用范圍很廣,從柔性電子產(chǎn)品到智能服裝,從可折疊顯示器到有機(jī)太陽能電池,甚至未來的全碳電路都是以石墨烯為原料。研究表明,石墨烯可以被刻成尺寸不到1個(gè)分子大小的單電子晶體管,石墨烯單電子晶體管可在室溫下工作,而10納米是硅材料技術(shù)無法再發(fā)揮作用的小型化極限,有研究者認(rèn)為石墨烯可能最終會(huì)替代硅。石墨烯器件制成的計(jì)算機(jī)CPU的運(yùn)行速度可達(dá)到太赫茲,即1千兆赫茲的1000倍。
石墨烯在高靈敏度傳感器和高性能儲(chǔ)能器件方面也已經(jīng)展示出誘人的應(yīng)用前景。
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2010年10月5日,英國(guó)曼徹斯特大學(xué)的兩位科學(xué)家康斯坦丁·諾沃肖洛夫和安德烈·海姆因在石墨烯方面的研究榮獲2010年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。
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石墨烯及石墨烯光催化復(fù)合材料簡(jiǎn)介 1.1 前言 碳材料是地球上最普遍也是一類具有無限發(fā)展前景的材料, 從無定形的碳黑 到晶體結(jié)構(gòu)的天然層狀石墨; 從零維納米結(jié)構(gòu)的富勒烯到二維結(jié)構(gòu)的石墨烯, 近 幾十年來,碳納米材料一直備受關(guān)注。 而三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的石墨烯自組裝水凝膠的 發(fā)現(xiàn) [1],不僅極大地充實(shí)了碳材料家族,為新材料和凝聚態(tài)領(lǐng)域提供了新的增長(zhǎng) 點(diǎn),而且由于其所具有的特殊納米結(jié)構(gòu)和性能, 使得石墨烯無論是在理論上還是 實(shí)驗(yàn)研究方面都已展現(xiàn)出了重大的科學(xué)意義和應(yīng)用價(jià)值. 從而為碳基材料的研究 提供了新的目標(biāo)和方向。 從石墨發(fā)現(xiàn)至今, 關(guān)于石墨烯的研究已經(jīng)鋪滿各種期刊雜志, 此外,人們對(duì) 石墨烯衍生物也進(jìn)行了深入研究,如氧化石墨烯、石墨烯納米帶、石墨烷、磁性 石墨烯衍生物等。 其中對(duì)氧化石墨烯和石墨烯納米帶的研究更為深入。 氧化石墨 烯是單一的碳原子層, 可以隨時(shí)在橫向尺寸上擴(kuò)展到數(shù)十微米, 因
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共晶石墨 (A、D、E、B 型及珊瑚狀石墨 )的形成 在共晶結(jié)晶階段生長(zhǎng)的片狀石墨依分布及形態(tài)特點(diǎn)可分成 A、D、E、B 型石墨, 它們分別在不同化學(xué)成分及過冷條件下形成。 A型石墨是生長(zhǎng)于早期形成的共晶晶粒內(nèi)的片狀石墨。 在過冷度不大、 成核能力 較強(qiáng)的熔液中生成。由于分枝不很發(fā)達(dá),故石墨分布較為均勻。 A 型片狀石墨是 非正常共晶反應(yīng)條件下形成的,石墨片超前生長(zhǎng)幾乎像初生相。 D 型石墨又稱過冷石墨, 大的過冷造成強(qiáng)烈的石墨分枝是生成這種石墨的主要原 因。石墨分散度大,比 A 型石墨更細(xì)更短。尺寸在 20%26mu;ml 以下,大部分 在 2~%26mu;gm 范圍內(nèi)。在奧氏體枝晶問呈無方向性分布。石墨端部曲率半 徑小,近似尖形。根據(jù)共晶系的分類, D 型過冷石墨是在石墨與奧氏體高度共生 的正常共晶條件下形成的。 石墨與奧氏體以相同的生長(zhǎng)速度同時(shí)伸入液體, 從而 限制了它的長(zhǎng)大。石墨呈