sic

sic是一種路由器智能接口卡。

SIC (SMART INTERFACE CARD), 。

H3C MSR系列路由器采用模塊化結(jié)構(gòu)，提供了大量可供選配的智能接口卡SIC（SMART INTERFACE CARD）/DSIC（DOUBLE SMART INTERFACE CARD），其中SIC接口卡占用路由器的一個(gè)SIC槽位，DSIC接口卡占用路由器的兩個(gè)SIC槽位。該系列接口卡提供了同/異步串口、以太網(wǎng)接口、E1/T1、ISDN BRI/PRI、ADSL、語音接口、二層交換口等豐富的接口特性。

■ AlSiC具有高導(dǎo)熱率（180～240W/mK）和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K），因此一方面AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實(shí)現(xiàn)良好的匹配，能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生，甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上；另一方面AlSiC的熱導(dǎo)率是可伐合金的十倍，芯片產(chǎn)生的熱量可以及時(shí)散發(fā)。這樣，整個(gè)元器件的可靠性和穩(wěn)定性大大提高。

■ AlSiC是復(fù)合材料，其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調(diào)整，因此產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設(shè)計(jì)，能夠真正地做到量體裁衣，這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無法做到的。

■ AlSiC的密度與鋁相當(dāng)，比銅和Kovar輕得多，還不到Cu/W的五分之一，特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對(duì)重量敏感領(lǐng)域的應(yīng)用。

■ AlSiC的比剛度（剛度除以密度）是所有電子材料中最高的：是鋁的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是銅的25倍，另外AlSiC的抗震性比陶瓷 好，因此是惡劣環(huán)境（震動(dòng)較大，如航天、汽車等領(lǐng)域）下的首選材料。

■ AlSiC可以大批量加工，但加工的工藝取決于碳化硅的含量，可以用電火花、金剛石、激光等加工。

■ AlSiC可以鍍鎳、金、錫等，表面也可以進(jìn)行陽極氧化處理。

■ 金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上，用粘結(jié)劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合。

■ AlSiC本身具有較好的氣密性。但是，與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。

■ AlSiC的物理性能及力學(xué)性能都是各向同性的。

半導(dǎo)體SiC的禁帶寬度為3.25eV，具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等優(yōu)點(diǎn)，特別是該器件的反向漏電流低。SiC紫外探測(cè)器只對(duì)波長400nm一下的輻射選擇性接收，其紫外輻射的接收與硅探測(cè)器相比，要大兩個(gè)數(shù)量級(jí)，并且不需要表面加工處理，可保持長期的穩(wěn)定性。另外，靈敏度和暗電流在使用溫度條件下幾乎不受溫度變化的影響，可在700K的高溫下使用 。

隨著體單晶及其同質(zhì)外延SiC材料性能的不斷提高，可在不同的沉積條件下用直流濺射法在玻璃底襯的SiC襯底上沉積ITO：TIO和Ni膜，并可由此制成SiC金屬-半導(dǎo)體-金屬紫外輻射探測(cè)器。

現(xiàn)已更名為“西克”。

SICK成立于1946年，公司名稱取自于公司創(chuàng)始人歐文·西克博士（Dr. Erwin Sick）的姓氏，總公司位于德國西南部的瓦爾德基爾希市（Waldkirch）。SICK已在全球建立了接近50個(gè)子公司和眾多的銷售機(jī)構(gòu), 雇員總數(shù)超過6,300人，2012年銷售業(yè)績達(dá)到 9.71億歐元。

西克中國(廣州市西克傳感器有限公司)成立于1994年，為西克(SICK)在亞洲的重要分支機(jī)構(gòu)之一。歷經(jīng)多年的發(fā)展與積累，已成為當(dāng)?shù)貥O具影響力的智能傳感器解決方案供應(yīng)商，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各行各業(yè)，包括包裝，食品飲料，機(jī)床，汽車，物流，交通，機(jī)場(chǎng)，鋼鐵，電子，紡織等行業(yè)。已在廣州，上海，北京，青島，香港等地設(shè)有分支機(jī)構(gòu)，并形成了輻射全國各主要區(qū)域的機(jī)構(gòu)體系和業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)。