四探針測(cè)試儀應(yīng)用

本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

四探針軟件測(cè)試系統(tǒng)是一個(gè)運(yùn)行在計(jì)算機(jī)上擁有友好測(cè)試界面的用戶程序，通過(guò)此測(cè)試程序輔助使用戶簡(jiǎn)便地進(jìn)行各項(xiàng)測(cè)試及獲得測(cè)試數(shù)據(jù)并對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。

測(cè)試程序控制四探針測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并采集測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來(lái)。用戶可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析

儀器采用了最新電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。

數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)

而設(shè)計(jì)的，專用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的專

用儀器。儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成，測(cè)

量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到

計(jì)算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。

測(cè)量范圍 電阻率:10-4~105 Ω.cm(可擴(kuò)展);

方塊電阻:四探針測(cè)試儀

電導(dǎo)率:10-5~104 s/cm;

電阻:10-4~105 Ω;

可測(cè)晶片直徑 140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái));

200mmX200mm(配S-2B型測(cè)試臺(tái));

400mmX500mm(配S-2C型測(cè)試臺(tái));

恒流源 電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表 量程及表示形式:000.00~199.99mV;

分辨力:10μV;

輸入阻抗:>1000MΩ;

精度:±0.1% ;

顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動(dòng)顯示;

四探針探頭基本指標(biāo) 間距:1±0.01mm;

針間絕緣電阻:≥1000MΩ;

機(jī)械游移率:≤0.3%;

探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;

探針壓力:5~16 牛頓(總力);

四探針探頭應(yīng)用參數(shù) (見(jiàn)探頭附帶的合格證)

模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差

( 按JJG508-87進(jìn)行) 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字

整機(jī)測(cè)量最大相對(duì)誤差 (用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%

整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 ≤5%

計(jì)算機(jī)通訊接口 并口

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 溫度:23±2℃;

相對(duì)濕度:≤65%;

無(wú)高頻干擾;

無(wú)強(qiáng)光直射;

尺寸:

A、測(cè)試方法:用直尺和游標(biāo)卡尺測(cè)量待測(cè)玻璃原片的長(zhǎng)度、寬度、厚度。

B、判定標(biāo)準(zhǔn):測(cè)量結(jié)果在供貨商所提供的參數(shù)范圍之內(nèi)為合格。

面電阻:

A、測(cè)試方法:把待測(cè)試玻璃整個(gè)區(qū)域做為測(cè)試區(qū)域，然后測(cè)試區(qū)域分成九等份后再用四探針測(cè)試儀分別測(cè)試各區(qū)域的面電阻。

B、判定標(biāo)準(zhǔn):根據(jù)測(cè)試結(jié)果計(jì)算出電阻平均值及電阻資料分散值，結(jié)果在要求范圍內(nèi)既是合格。

ITO層溫度性能

A、測(cè)試方法:把待測(cè)玻璃原片在3000C的空氣中，加熱30分鐘，測(cè)試其加溫前后的同一點(diǎn)面電阻阻值。B、判定標(biāo)準(zhǔn):ITO導(dǎo)電膜方塊電阻值應(yīng)不大于原方塊電阻的300%為合格。

蝕刻性能:

A、測(cè)試方法:把待測(cè)玻璃原片放入生產(chǎn)線所用的蝕刻液中測(cè)試其蝕刻完全的時(shí)間。

B、判定標(biāo)準(zhǔn):蝕刻完全的時(shí)間值小于生產(chǎn)工藝所設(shè)定時(shí)間的一半值為合格。

尺寸:

A、測(cè)試方法:用直尺和游標(biāo)卡尺測(cè)量待測(cè)玻璃原片的長(zhǎng)度、寬度、厚度。

B、判定標(biāo)準(zhǔn):測(cè)量結(jié)果在供貨商所提供的參數(shù)范圍之內(nèi)為合格。

面電阻:

A、測(cè)試方法:把待測(cè)試玻璃整個(gè)區(qū)域做為測(cè)試區(qū)域，然后測(cè)試區(qū)域分成九等份后再用四探針測(cè)試儀分別測(cè)試各區(qū)域的面電阻。

B、判定標(biāo)準(zhǔn):根據(jù)測(cè)試結(jié)果計(jì)算出電阻平均值及電阻資料分散值，結(jié)果在要求范圍內(nèi)既是合格。

ITO層溫度性能

A、測(cè)試方法:把待測(cè)玻璃原片在3000C的空氣中，加熱30分鐘，測(cè)試其加溫前后的同一點(diǎn)面電阻阻值。B、判定標(biāo)準(zhǔn):ITO導(dǎo)電膜方塊電阻值應(yīng)不大于原方塊電阻的300%為合格。

蝕刻性能:

A、測(cè)試方法:把待測(cè)玻璃原片放入生產(chǎn)線所用的蝕刻液中測(cè)試其蝕刻完全的時(shí)間。

B、判定標(biāo)準(zhǔn):蝕刻完全的時(shí)間值小于生產(chǎn)工藝所設(shè)定時(shí)間的一半值為合格。