四探針測試儀概述

數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準

而設(shè)計的，專用于測試半導體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的專

用儀器。儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機等部分組成，測

量數(shù)據(jù)既可由主機直接顯示，亦可由計算機控制測試采集測試數(shù)據(jù)到

計算機中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結(jié)果。

儀器采用了最新電子技術(shù)進行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。

本儀器適用于半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、高等院校對半導體材料的電阻性能測試。

四探針軟件測試系統(tǒng)是一個運行在計算機上擁有友好測試界面的用戶程序，通過此測試程序輔助使用戶簡便地進行各項測試及獲得測試數(shù)據(jù)并對測試數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計分析。

測試程序控制四探針測試儀進行測量并采集測試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計算機中加以分析，然后把測試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析

測量范圍 電阻率:10-4~105 Ω.cm(可擴展);

方塊電阻:四探針測試儀

電導率:10-5~104 s/cm;

電阻:10-4~105 Ω;

可測晶片直徑 140mmX150mm(配S-2A型測試臺);

200mmX200mm(配S-2B型測試臺);

400mmX500mm(配S-2C型測試臺);

恒流源 電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表 量程及表示形式:000.00~199.99mV;

分辨力:10μV;

輸入阻抗:>1000MΩ;

精度:±0.1% ;

顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動顯示;

四探針探頭基本指標 間距:1±0.01mm;

針間絕緣電阻:≥1000MΩ;

機械游移率:≤0.3%;

探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;

探針壓力:5~16 牛頓(總力);

四探針探頭應用參數(shù) (見探頭附帶的合格證)

模擬電阻測量相對誤差

( 按JJG508-87進行) 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字

整機測量最大相對誤差 (用硅標樣片:0.01-180Ω.cm測試)≤±5%

整機測量標準不確定度 ≤5%

計算機通訊接口 并口

標準使用環(huán)境 溫度:23±2℃;

相對濕度:≤65%;

無高頻干擾;

無強光直射;

尺寸:

A、測試方法:用直尺和游標卡尺測量待測玻璃原片的長度、寬度、厚度。

B、判定標準:測量結(jié)果在供貨商所提供的參數(shù)范圍之內(nèi)為合格。

面電阻:

A、測試方法:把待測試玻璃整個區(qū)域做為測試區(qū)域，然后測試區(qū)域分成九等份后再用四探針測試儀分別測試各區(qū)域的面電阻。

B、判定標準:根據(jù)測試結(jié)果計算出電阻平均值及電阻資料分散值，結(jié)果在要求范圍內(nèi)既是合格。

ITO層溫度性能

A、測試方法:把待測玻璃原片在3000C的空氣中，加熱30分鐘，測試其加溫前后的同一點面電阻阻值。B、判定標準:ITO導電膜方塊電阻值應不大于原方塊電阻的300%為合格。

蝕刻性能:

A、測試方法:把待測玻璃原片放入生產(chǎn)線所用的蝕刻液中測試其蝕刻完全的時間。

B、判定標準:蝕刻完全的時間值小于生產(chǎn)工藝所設(shè)定時間的一半值為合格。

尺寸:

A、測試方法:用直尺和游標卡尺測量待測玻璃原片的長度、寬度、厚度。

B、判定標準:測量結(jié)果在供貨商所提供的參數(shù)范圍之內(nèi)為合格。

面電阻:

A、測試方法:把待測試玻璃整個區(qū)域做為測試區(qū)域，然后測試區(qū)域分成九等份后再用四探針測試儀分別測試各區(qū)域的面電阻。

B、判定標準:根據(jù)測試結(jié)果計算出電阻平均值及電阻資料分散值，結(jié)果在要求范圍內(nèi)既是合格。

ITO層溫度性能

A、測試方法:把待測玻璃原片在3000C的空氣中，加熱30分鐘，測試其加溫前后的同一點面電阻阻值。B、判定標準:ITO導電膜方塊電阻值應不大于原方塊電阻的300%為合格。

蝕刻性能:

A、測試方法:把待測玻璃原片放入生產(chǎn)線所用的蝕刻液中測試其蝕刻完全的時間。

B、判定標準:蝕刻完全的時間值小于生產(chǎn)工藝所設(shè)定時間的一半值為合格。