書(shū)????名 | 數(shù)字集成電路——電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)(第二版) | 作????者 | 拉貝爾 |
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譯????者 | 周潤(rùn)德 | 出版社 | 電子工業(yè)出版社 |
出版時(shí)間 | 2010年11月1日 | 頁(yè)????數(shù) | 553 頁(yè) |
ISBN | 9787121119828 |
本書(shū)是美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校經(jīng)典教材。本書(shū)分三部分:基本單元、電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在對(duì)MOS器件和連線(xiàn)的特性做了簡(jiǎn)要介紹之后,深入分析了反相器,并逐步將這些知識(shí)延伸到組合邏輯電路、時(shí)序邏輯電路、控制器、運(yùn)算電路及存儲(chǔ)器這些復(fù)雜數(shù)字電路與系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中。本書(shū)以0.25微米CMOS工藝的實(shí)際電路為例,討論了深亞微米器件效應(yīng)、電路最優(yōu)化、互連線(xiàn)建模和優(yōu)化、信號(hào)完整性、時(shí)序分析、時(shí)鐘分配、高性能和低功耗設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)驗(yàn)證、芯片測(cè)試和可測(cè)性設(shè)計(jì)等主題,著重探討了深亞微米數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)和啟示。
本書(shū)可作為高等院校電子科學(xué)與技術(shù)、電子與信息工程、計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)等專(zhuān)業(yè)高年級(jí)本科生和研究生有關(guān)數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)方面課程的教科書(shū),也可作為從事這一領(lǐng)域的工程技術(shù)人員的參考書(shū)。
第一部分 基 本 單 元
第1章 引論
1.1 歷史回顧
1.2 數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中的問(wèn)題
1.3 數(shù)字設(shè)計(jì)的質(zhì)量評(píng)價(jià)
1.4 小結(jié)
1.5 進(jìn)一步探討
第2章 制造工藝
2.1 引言
2.2 CMOS集成電路的制造
2.3 設(shè)計(jì)規(guī)則——設(shè)計(jì)者和工藝工程師之間的橋梁
2.4 集成電路封裝
2.5 綜述:工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
2.6 小結(jié)
2.7 進(jìn)一步探討2100433B
作 者:(美)拉貝爾 等,周潤(rùn)德 等譯
出 版 社:電子工業(yè)出版社
出版時(shí)間:2010-11-1
版 次:1頁(yè) 數(shù):553字 數(shù):928000印刷時(shí)間:2010-11-1開(kāi) 本:16開(kāi)紙 張:膠版紙印 次:1I S B N:9787121119828包 裝:平裝
模擬集成電路與數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的差別
模擬集成電路與數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)差別很大,主要為以下方面:1 用到的背景知識(shí)不同,數(shù)字目前主要是CMOS邏輯設(shè)計(jì),模擬的則偏向于實(shí)現(xiàn)某個(gè)功能的器件。2 設(shè)計(jì)流程不同,數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)輸入為RTL,模擬設(shè)...
如何一步步的自學(xué)數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)
要一步步的自學(xué)數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)需要:要學(xué)會(huì)半導(dǎo)體物理,拉扎維或者艾倫,然后看對(duì)應(yīng)數(shù)字ic設(shè)計(jì)或者模擬ic設(shè)計(jì)的書(shū),最后是版圖。下載學(xué)習(xí)的軟件maxplus或者quartus。畫(huà)版圖的tan...
應(yīng)該選擇A、B、D答案吧。因?yàn)槲⑻幚砥?、?nèi)存、微控制器都是數(shù)字集成電路組成的。
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頁(yè)數(shù): 4頁(yè)
評(píng)分: 4.7
在納米工藝的數(shù)字集成電路電源版圖設(shè)計(jì)中,根據(jù)芯片布局合理進(jìn)行電源布局、電源個(gè)數(shù)以及電源布線(xiàn)等方面設(shè)計(jì),確保每一個(gè)電壓域都有完整的電源網(wǎng)絡(luò)。在電源分析時(shí)從電壓降、功耗及電遷移評(píng)估分析,使設(shè)計(jì)好的電源網(wǎng)絡(luò)符合電源預(yù)算規(guī)劃。在可靠性設(shè)計(jì)時(shí)采取布線(xiàn)優(yōu)化、添加去耦電容、優(yōu)化封裝設(shè)計(jì)等方法,提高電源抗干擾能力,從而降低電壓降、提高電源的完整性和可靠性。
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頁(yè)數(shù): 3頁(yè)
評(píng)分: 4.3
本文探討了將專(zhuān)用集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)納入微電子專(zhuān)業(yè)數(shù)字集成電路本科教學(xué)的重要性和可行性。分析了數(shù)字集成電路教學(xué)的現(xiàn)狀,比較了不同數(shù)字集成電路課程的教學(xué)內(nèi)容,提出一個(gè)以三門(mén)課為核心的數(shù)字集成電路教學(xué)體系。本文重點(diǎn)介紹了新的專(zhuān)用集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)課,詳細(xì)描述了理論部分和實(shí)驗(yàn)部分的教學(xué)內(nèi)容及其參考資料,最后給出了課程的實(shí)施情況。
《數(shù)字集成電路:電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)》:自《數(shù)字集成電路:電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)(第2版)》第一版于1996年出版以來(lái),CMOS制造工藝?yán)^續(xù)以驚人的速度向前推進(jìn),工藝特征尺寸越來(lái)越小,而電路也變得越來(lái)越復(fù)雜,這對(duì)設(shè)計(jì)者的設(shè)計(jì)技術(shù)提出了新的挑戰(zhàn)。器件在進(jìn)入深亞微米范圍后有了很大的不同,從而帶來(lái)了許多影響數(shù)字集成電路的成本、性能、功耗和可靠性的新問(wèn)題?!稊?shù)字集成電路:電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)(第2版)》第二版反映了進(jìn)入深亞微米范圍后所引起的數(shù)字集成電路領(lǐng)域的深刻變化和新進(jìn)展,特別是深亞微米晶體管效應(yīng)、互連、信號(hào)完整性、高性能與低功耗設(shè)計(jì)、時(shí)序及時(shí)鐘分布等,起著越來(lái)越重要的作用。與第一版相比,這個(gè)版本更全面集中地介紹了CMOS集成電路。
《數(shù)字集成電路:電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)》是美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校經(jīng)典教材?!稊?shù)字集成電路:電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)(第2版)》分三部分:基本單元、電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在對(duì)MOS器件和連線(xiàn)的特性做了簡(jiǎn)要介紹之后,深入分析了反相器,并逐步將這些知識(shí)延伸到組合邏輯電路、時(shí)序邏輯電路、控制器、運(yùn)算電路及存儲(chǔ)器這些復(fù)雜數(shù)字電路與系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中。《數(shù)字集成電路:電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)(第2版)》以0.25微米CMOS工藝的實(shí)際電路為例,討論了深亞微米器件效應(yīng)、電路最優(yōu)化、互連線(xiàn)建模和優(yōu)化、信號(hào)完整性、時(shí)序分析、時(shí)鐘分配、高性能和低功耗設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)驗(yàn)證、芯片測(cè)試和可測(cè)性設(shè)計(jì)等主題,著重探討了深亞微米數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)和啟示。
《數(shù)字集成電路:電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)》可作為高等院校電子科學(xué)與技術(shù)、電子與信息工程、計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)等專(zhuān)業(yè)高年級(jí)本科生和研究生有關(guān)數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)方面課程的教科書(shū),也可作為從事這一領(lǐng)域的工程技術(shù)人員的參考書(shū)。
自從美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校的Jan M. Rabaey教授所著的《數(shù)字集成電路——電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)》一書(shū)的第一版于1996年出版以來(lái),一直深受?chē)?guó)內(nèi)外廣大讀者(包括本科生、研究生、教師和工程技術(shù)人員)的歡迎。然而自那時(shí)侯起,CMOS的制造工藝?yán)^續(xù)以驚人的步伐前進(jìn),目前已經(jīng)達(dá)到了前所未有的深亞微米的精度。進(jìn)入到深亞微米范圍后,器件特性的變化引起了一系列的問(wèn)題,它影響到數(shù)字集成電路的可靠性、成本、性能以及功耗。對(duì)這些問(wèn)題的深入討論是本書(shū)第二版(以0.25微米的CMOS工藝作為討論的基礎(chǔ))與第一版(以1.2微米工藝作為討論的基礎(chǔ))之間的主要區(qū)別。考慮到MOS電路現(xiàn)已占有99%的數(shù)字集成電路市場(chǎng)份額,第二版刪去了第一版中有關(guān)雙極型和GaAs的內(nèi)容,從而完全集中在CMOS集成電路上。
第二版保留了第一版的寫(xiě)作基本精神和編寫(xiě)目的——在數(shù)字設(shè)計(jì)中建立起電路和系統(tǒng)之間的橋梁。不同于其他有關(guān)數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的教科書(shū),本書(shū)不是孤立地介紹“數(shù)字電路”、“數(shù)字系統(tǒng)”和“設(shè)計(jì)方法”,而是把這三者有機(jī)地結(jié)合起來(lái)。全書(shū)共12章,分為三部分:基本單元、電路設(shè)計(jì)、系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在對(duì)MOS器件和連線(xiàn)的特性做了簡(jiǎn)要的介紹之后,深入分析了數(shù)字設(shè)計(jì)的核心——反相器,并逐步將這些知識(shí)延伸到組合邏輯電路、時(shí)序邏輯電路(鎖存器與寄存器)、控制器、運(yùn)算電路(加法器、乘法器)以及存儲(chǔ)器這些復(fù)雜數(shù)字電路單元的設(shè)計(jì)。為了反映數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)進(jìn)入深亞微米領(lǐng)域后正在發(fā)生的深刻變化,第二版增加了許多新的內(nèi)容,包括深亞微米器件效應(yīng)、電路最優(yōu)化、互連線(xiàn)建模和優(yōu)化、信號(hào)完整性、時(shí)序分析、時(shí)鐘分配、高性能和低功耗設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)驗(yàn)證、對(duì)實(shí)際制造芯片的確認(rèn)和測(cè)試。在闡述所有這些內(nèi)容時(shí)都列舉了現(xiàn)今最先進(jìn)的設(shè)計(jì)例子,以著重說(shuō)明深亞微米數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)和啟示。本書(shū)特別把設(shè)計(jì)方法學(xué)單獨(dú)列出并分插在有關(guān)的各章之后,以強(qiáng)調(diào)復(fù)雜電路設(shè)計(jì)者共同面臨的感興趣的問(wèn)題,即起決定作用的設(shè)計(jì)參數(shù)是什么,設(shè)計(jì)的哪些部分需要著重考慮而哪些部分又可以忽略,此外還強(qiáng)調(diào)了在進(jìn)行數(shù)字電路設(shè)計(jì)時(shí)一定要同時(shí)注意電路和系統(tǒng)兩方面的問(wèn)題。每章后面都對(duì)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)給出了綜述和展望。通過(guò)這一獨(dú)特的介紹分析技術(shù)和綜合技術(shù)的方法,第二版最有效地為讀者帶來(lái)了處理復(fù)雜問(wèn)題所需要的基本知識(shí)和設(shè)計(jì)技能。
本書(shū)可作為高等院校電子科學(xué)與技術(shù)(包括微電子與光電子)、電子與信息工程、計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)、自動(dòng)化等專(zhuān)業(yè)高年級(jí)本科生和研究生有關(guān)數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)方面課程的教科書(shū)。由于涉及面廣并且增加了當(dāng)前最先進(jìn)的內(nèi)容,也使這本教材成為對(duì)這一領(lǐng)域的工程技術(shù)人員非常有用的參考書(shū)。
本書(shū)在翻譯過(guò)程中得到了電子工業(yè)出版社的大力支持,得到了清華大學(xué)微電子學(xué)研究所領(lǐng)導(dǎo)和多位教師的關(guān)心,特別是得到了朱鈞教授、賀祥慶教授、吳行軍副教授、李樹(shù)國(guó)副教授以及海燕、韋瑩、錢(qián)欣、郝效孟、陸自強(qiáng)、郭磊等多位老師的幫助與指正。我的博士研究生戴宏宇、張盛、王乃龍、楊騫、肖勇、張建良以及博士研究生董良等在完成譯稿過(guò)程中給予了我很大的支持。我的妻子金申美和女兒周曄不僅幫助翻譯修改了部分章節(jié),而且完成了全部的文字輸入和文稿整理。在此一并深表謝意。
最后,本書(shū)雖經(jīng)仔細(xì)校對(duì),但由于譯者水平有限,文中定會(huì)有不當(dāng)或欠妥之處,望讀者批評(píng)指正。2100433B