貼片晶振3225

貼片晶振3225總頻差

在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標(biāo)稱頻率的最大頻差。

說(shuō)明：總頻差包括頻率溫度穩(wěn)定度、頻率溫度準(zhǔn)確度、頻率老化率、頻率電源電壓穩(wěn) 　定度和頻率負(fù)載穩(wěn)定度共同造成的最大頻差。一般只在對(duì)短期頻率穩(wěn)定度關(guān)心，而對(duì)其他頻 　率穩(wěn)定度指標(biāo)不嚴(yán)格要求的場(chǎng)合采用。例如：精密制導(dǎo)雷達(dá)。

貼片晶振3225頻率溫度穩(wěn)定度

在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度 　或帶隱含基準(zhǔn)溫度的最大允許頻偏。 　ft=±（fmax-fmin）/（fmax fmin） 　ftref =±m(xù)ax（fmax-fref）/fref|,|（fmin-fref）/fref|] ft:頻率溫度穩(wěn)定度 　（不帶隱含基準(zhǔn)溫度） 　ftref:頻率溫度穩(wěn)定度（帶隱含基準(zhǔn)溫度） 　fmax :規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的最高頻率 　fmin:規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的最低頻率 　fref:規(guī)定基準(zhǔn)溫度測(cè)得的頻率

說(shuō)明：采用ftref指標(biāo)的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用ft指標(biāo)的晶體振蕩器，故ftref指標(biāo)的晶體振蕩器售價(jià)較高。

貼片晶振3225頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間

以晶體振蕩器穩(wěn)定輸出頻率為基準(zhǔn)，從加電到輸出頻率小于規(guī)定 　頻率允差所需要的時(shí)間。 　說(shuō)明：在多數(shù)應(yīng)用中，晶體振蕩器是長(zhǎng)期加電的，然而在某些應(yīng)用中晶體振蕩器需要頻繁的開(kāi)機(jī)和關(guān)機(jī)，這時(shí)頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間指標(biāo)需要被考慮到（尤其是對(duì)于在苛刻環(huán)境中使用的軍用通訊電臺(tái)，當(dāng)要求頻率溫度穩(wěn)定度≤±0.3ppm（-45℃~85℃），采用ocxo作為本振頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間將不少于5分鐘，而采用dtcxo只需要十幾秒鐘）。

貼片晶振3225頻率老化率

在恒定的環(huán)境條件下測(cè)量振蕩器頻率時(shí)，振蕩器頻率和時(shí)間之間的關(guān) 　系。這種長(zhǎng)期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化造成的，可用規(guī)定時(shí)限后 　的最大變化率（如±10ppb/天，加電72小時(shí)后），或規(guī)定的時(shí)限內(nèi)最大的總頻率變化（如： 　±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））來(lái)表示。

說(shuō)明：tcxo的頻率老化率為：±0.2ppm~±2ppm（第一年）和±1ppm~±5ppm（十 　年）（除特殊情況，tcxo很少采用每天頻率老化率的指標(biāo)，因?yàn)榧词乖趯?shí)驗(yàn)室的條件下，溫度變化引起的頻率變化也將大大超過(guò)溫度補(bǔ)償晶體振蕩器每天的頻率老化，因此這個(gè)指標(biāo)失 　去了實(shí)際的意義）。ocxo的頻率老化率為：±0.5ppb~±10ppb/天（加電72小時(shí)后），± 　30ppb~±2ppm（第一年），±0.3ppm~±3ppm（十年）。

貼片晶振3225頻率壓控范圍

將頻率控制電壓從基準(zhǔn)電壓調(diào)到規(guī)定的終點(diǎn)電壓，晶體振蕩器頻率的最小峰值改變量。

說(shuō)明：基準(zhǔn)電壓為 2.5v,規(guī)定終點(diǎn)電壓為 0.5v和 4.5v,壓控晶體振蕩器在 0.5v頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為-110ppm,在 4.5v頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為 　130ppm,則vcxo電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±100ppm（2.5v±2v）。

貼片晶振3225壓控頻率響應(yīng)范圍

當(dāng)調(diào)制頻率變化時(shí)，峰值頻偏與調(diào)制頻率之間的關(guān)系。通常用規(guī) 　定的調(diào)制頻率比規(guī)定的調(diào)制基準(zhǔn)頻率低若干db表示。 說(shuō)明：vcxo頻率壓控范圍頻率響應(yīng)為0~10khz.

貼片晶振3225頻率壓控線性

與理想（直線）函數(shù)相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量 　度，它以百分?jǐn)?shù)表示整個(gè)范圍頻偏的可容許非線性度。

說(shuō)明：典型的vcxo頻率壓控線性為：≤±10%,≤±20%.簡(jiǎn)單的vcxo頻率壓控線性計(jì)算方法為（當(dāng)頻率壓控極性為正極性時(shí)）： 頻率壓控線性=±（（fmax-fmin）/ f0）×100% 　fmax:vcxo在最大壓控電壓時(shí)的輸出頻率 　fmin:vcxo在最小壓控電壓時(shí)的輸出頻率 　f0:壓控中心電壓頻率

貼片晶振3225單邊帶相位噪聲（f）

偏離載波f處，一個(gè)相位調(diào)制邊帶的功率密度與載波功率之比。

貼片晶振3225小型化、薄片化和片式化

為滿足移動(dòng)電話為代表的便攜式產(chǎn)品輕、薄、短小的要求，石英晶體振蕩器的封裝由傳統(tǒng)的裸金屬外殼覆塑料金屬向陶瓷封裝轉(zhuǎn)變。例如tcxo這類器件的體積縮小了30～100倍。采用smd封裝的tcxo厚度不足2mm，5×3mm尺寸的器件已經(jīng)上市。

貼片晶振3225高精度與高穩(wěn)定度

無(wú)補(bǔ)償式晶體振蕩器總精度也能達(dá)到±25ppm，vcxo的頻率穩(wěn)定度在10～7℃范圍內(nèi)一般可達(dá)±20～100ppm，而ocxo在同一溫度范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定度一般為±0.0001～5ppm，vcxo控制在±25ppm以下。

貼片晶振3225低噪聲，高頻化

在gps通信系統(tǒng)中是不允許頻率顫抖的，相位噪聲是表征振蕩器頻率顫抖的一個(gè)重要參數(shù)。ocxo主流產(chǎn)品的相位噪聲性能有很大改善。除vcxo外，其它類型的晶體振蕩器最高輸出頻率不超過(guò)200mhz。例如用于gsm等移動(dòng)電話的ucv4系列壓控振蕩器，其頻率為650～1700mhz，電源電壓2.2～3.3v，工作電流8～10ma。

貼片晶振3225低功耗，快速啟動(dòng)

低電壓工作，低電平驅(qū)動(dòng)和低電流消耗已成為一個(gè)趨勢(shì)。電源電壓一般為3.3v。許多tcxo和vcxo產(chǎn)品，電流損耗不超過(guò)2ma。石英晶體振蕩器的快速啟動(dòng)技術(shù)也取得突破性進(jìn)展。例如日本精工生產(chǎn)的vg—2320sc型vcxo，在±0.1ppm規(guī)定值范圍條件下，頻率穩(wěn)定時(shí)間小于4ms。日本東京陶瓷公司生產(chǎn)的smdtcxo，在振蕩啟動(dòng)4ms后則可達(dá)到額定值的90%。oak公司的10～25mhz的ocxo產(chǎn)品，在預(yù)熱5分鐘后，則能達(dá)到±0.01ppm的穩(wěn)定度。2100433B

一種無(wú)突出引腳的的晶體振蕩器，能提供高精度振蕩。貼片晶振廣泛應(yīng)用于手機(jī)， 電腦周邊數(shù)碼相機(jī)，mp3,u盤(pán)等高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，頻率精度可以達(dá)到2ppm. 　貼片晶振的主要封裝有：8045,7050,6035,5032,4025,3225,2520.

計(jì)算機(jī)都有個(gè)計(jì)時(shí)電路，盡管一般使用“時(shí)鐘”這個(gè)詞來(lái)表示這些設(shè)備，但它們實(shí)際上并不是通常意義的時(shí)鐘，把它們稱為計(jì)時(shí)器（timer）可能更恰當(dāng)一點(diǎn)。計(jì)算機(jī)的計(jì)時(shí)器通常是一個(gè)精密加工過(guò)的石英晶體，石英晶體在其張力限度內(nèi)以一定的頻率振蕩，這種頻率取決于晶體本身如何切割及其受到張力的大小。有兩個(gè)寄存器與每個(gè)石英晶體相關(guān)聯(lián)，一個(gè)計(jì)數(shù)器（counter）和一個(gè)保持寄存器（holdingregister）。石英晶體的每次振蕩使計(jì)數(shù)器減1.當(dāng)計(jì)數(shù)器減為0時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)中斷，計(jì)數(shù)器從保持計(jì)數(shù)器中重新裝入初始值。這種方法使得對(duì)一個(gè)計(jì)時(shí)器進(jìn)行編程，令其每秒產(chǎn)生60次中斷（或者以任何其它希望的頻率產(chǎn)生中斷）成為可能。每次中斷稱為一個(gè)時(shí)鐘嘀嗒（clocktick）。 　晶振在電氣上可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò)，電工學(xué)上這個(gè)網(wǎng)絡(luò)有兩個(gè)諧振點(diǎn)，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個(gè)頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏?，在這個(gè)極窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個(gè)電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會(huì)組成并聯(lián)諧振電路。這個(gè)并聯(lián)諧振電路加到一個(gè)負(fù)反饋電路中就可以構(gòu)成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數(shù)變化很大，這個(gè)振蕩器的頻率也不會(huì)有很大的變化。晶振有一個(gè)重要的參數(shù)，那就是負(fù)載電容值，選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端，每個(gè)電容的另一端再接到地，這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，請(qǐng)注意一般ic的引腳都有等效輸入電容，這個(gè)不能忽略。一般的晶振的負(fù)載電容為15p或12.5p,如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個(gè)22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。

晶振、貼片晶振，有源晶振，時(shí)鐘晶振，聲表面波器件及模塊的生產(chǎn)

2017年 6月 公司推出貼片晶振2016封裝