貼片晶振3225工作原理

計算機都有個計時電路，盡管一般使用“時鐘”這個詞來表示這些設備，但它們實際上并不是通常意義的時鐘，把它們稱為計時器（timer）可能更恰當一點。計算機的計時器通常是一個精密加工過的石英晶體，石英晶體在其張力限度內(nèi)以一定的頻率振蕩，這種頻率取決于晶體本身如何切割及其受到張力的大小。有兩個寄存器與每個石英晶體相關聯(lián)，一個計數(shù)器（counter）和一個保持寄存器（holdingregister）。石英晶體的每次振蕩使計數(shù)器減1.當計數(shù)器減為0時，產(chǎn)生一個中斷，計數(shù)器從保持計數(shù)器中重新裝入初始值。這種方法使得對一個計時器進行編程，令其每秒產(chǎn)生60次中斷（或者以任何其它希望的頻率產(chǎn)生中斷）成為可能。每次中斷稱為一個時鐘嘀嗒（clocktick）。 　晶振在電氣上可以等效成一個電容和一個電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個電容的二端網(wǎng)絡，電工學上這個網(wǎng)絡有兩個諧振點，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個頻率的距離相當?shù)慕咏?，在這個極窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會組成并聯(lián)諧振電路。這個并聯(lián)諧振電路加到一個負反饋電路中就可以構成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數(shù)變化很大，這個振蕩器的頻率也不會有很大的變化。晶振有一個重要的參數(shù)，那就是負載電容值，選擇與負載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標稱的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯(lián)的容量值就應該等于負載電容，請注意一般ic的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。一般的晶振的負載電容為15p或12.5p,如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個22p的電容構成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。

貼片晶振3225總頻差

在規(guī)定的時間內(nèi)，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標稱頻率的最大頻差。

說明：總頻差包括頻率溫度穩(wěn)定度、頻率溫度準確度、頻率老化率、頻率電源電壓穩(wěn) 　定度和頻率負載穩(wěn)定度共同造成的最大頻差。一般只在對短期頻率穩(wěn)定度關心，而對其他頻 　率穩(wěn)定度指標不嚴格要求的場合采用。例如：精密制導雷達。

貼片晶振3225頻率溫度穩(wěn)定度

在標稱電源和負載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準溫度 　或帶隱含基準溫度的最大允許頻偏。 　ft=±（fmax-fmin）/（fmax fmin） 　ftref =±m(xù)ax（fmax-fref）/fref|,|（fmin-fref）/fref|] ft:頻率溫度穩(wěn)定度 ?。ú粠щ[含基準溫度） 　ftref:頻率溫度穩(wěn)定度（帶隱含基準溫度） 　fmax :規(guī)定溫度范圍內(nèi)測得的最高頻率 　fmin:規(guī)定溫度范圍內(nèi)測得的最低頻率 　fref:規(guī)定基準溫度測得的頻率

說明：采用ftref指標的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用ft指標的晶體振蕩器，故ftref指標的晶體振蕩器售價較高。

貼片晶振3225頻率穩(wěn)定預熱時間

以晶體振蕩器穩(wěn)定輸出頻率為基準，從加電到輸出頻率小于規(guī)定 　頻率允差所需要的時間。 　說明：在多數(shù)應用中，晶體振蕩器是長期加電的，然而在某些應用中晶體振蕩器需要頻繁的開機和關機，這時頻率穩(wěn)定預熱時間指標需要被考慮到（尤其是對于在苛刻環(huán)境中使用的軍用通訊電臺，當要求頻率溫度穩(wěn)定度≤±0.3ppm（-45℃~85℃），采用ocxo作為本振頻率穩(wěn)定預熱時間將不少于5分鐘，而采用dtcxo只需要十幾秒鐘）。

貼片晶振3225頻率老化率

在恒定的環(huán)境條件下測量振蕩器頻率時，振蕩器頻率和時間之間的關 　系。這種長期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化造成的，可用規(guī)定時限后 　的最大變化率（如±10ppb/天，加電72小時后），或規(guī)定的時限內(nèi)最大的總頻率變化（如： 　±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））來表示。

說明：tcxo的頻率老化率為：±0.2ppm~±2ppm（第一年）和±1ppm~±5ppm（十 　年）（除特殊情況，tcxo很少采用每天頻率老化率的指標，因為即使在實驗室的條件下，溫度變化引起的頻率變化也將大大超過溫度補償晶體振蕩器每天的頻率老化，因此這個指標失 　去了實際的意義）。ocxo的頻率老化率為：±0.5ppb~±10ppb/天（加電72小時后），± 　30ppb~±2ppm（第一年），±0.3ppm~±3ppm（十年）。

貼片晶振3225頻率壓控范圍

將頻率控制電壓從基準電壓調(diào)到規(guī)定的終點電壓，晶體振蕩器頻率的最小峰值改變量。

說明：基準電壓為 2.5v,規(guī)定終點電壓為 0.5v和 4.5v,壓控晶體振蕩器在 0.5v頻率控制電壓時頻率改變量為-110ppm,在 4.5v頻率控制電壓時頻率改變量為 　130ppm,則vcxo電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±100ppm（2.5v±2v）。

貼片晶振3225壓控頻率響應范圍

當調(diào)制頻率變化時，峰值頻偏與調(diào)制頻率之間的關系。通常用規(guī) 　定的調(diào)制頻率比規(guī)定的調(diào)制基準頻率低若干db表示。 說明：vcxo頻率壓控范圍頻率響應為0~10khz.

貼片晶振3225頻率壓控線性

與理想（直線）函數(shù)相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量 　度，它以百分數(shù)表示整個范圍頻偏的可容許非線性度。

說明：典型的vcxo頻率壓控線性為：≤±10%,≤±20%.簡單的vcxo頻率壓控線性計算方法為（當頻率壓控極性為正極性時）： 頻率壓控線性=±（（fmax-fmin）/ f0）×100% 　fmax:vcxo在最大壓控電壓時的輸出頻率 　fmin:vcxo在最小壓控電壓時的輸出頻率 　f0:壓控中心電壓頻率

貼片晶振3225單邊帶相位噪聲（f）

偏離載波f處，一個相位調(diào)制邊帶的功率密度與載波功率之比。

一種無突出引腳的的晶體振蕩器，能提供高精度振蕩。貼片晶振廣泛應用于手機， 電腦周邊數(shù)碼相機，mp3,u盤等高新技術產(chǎn)業(yè)，頻率精度可以達到2ppm. 　貼片晶振的主要封裝有：8045,7050,6035,5032,4025,3225,2520.

貼片晶振3225小型化、薄片化和片式化

為滿足移動電話為代表的便攜式產(chǎn)品輕、薄、短小的要求，石英晶體振蕩器的封裝由傳統(tǒng)的裸金屬外殼覆塑料金屬向陶瓷封裝轉(zhuǎn)變。例如tcxo這類器件的體積縮小了30～100倍。采用smd封裝的tcxo厚度不足2mm，5×3mm尺寸的器件已經(jīng)上市。

貼片晶振3225高精度與高穩(wěn)定度

無補償式晶體振蕩器總精度也能達到±25ppm，vcxo的頻率穩(wěn)定度在10～7℃范圍內(nèi)一般可達±20～100ppm，而ocxo在同一溫度范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定度一般為±0.0001～5ppm，vcxo控制在±25ppm以下。

貼片晶振3225低噪聲，高頻化

在gps通信系統(tǒng)中是不允許頻率顫抖的，相位噪聲是表征振蕩器頻率顫抖的一個重要參數(shù)。ocxo主流產(chǎn)品的相位噪聲性能有很大改善。除vcxo外，其它類型的晶體振蕩器最高輸出頻率不超過200mhz。例如用于gsm等移動電話的ucv4系列壓控振蕩器，其頻率為650～1700mhz，電源電壓2.2～3.3v，工作電流8～10ma。

貼片晶振3225低功耗，快速啟動

低電壓工作，低電平驅(qū)動和低電流消耗已成為一個趨勢。電源電壓一般為3.3v。許多tcxo和vcxo產(chǎn)品，電流損耗不超過2ma。石英晶體振蕩器的快速啟動技術也取得突破性進展。例如日本精工生產(chǎn)的vg—2320sc型vcxo，在±0.1ppm規(guī)定值范圍條件下，頻率穩(wěn)定時間小于4ms。日本東京陶瓷公司生產(chǎn)的smdtcxo，在振蕩啟動4ms后則可達到額定值的90%。oak公司的10～25mhz的ocxo產(chǎn)品，在預熱5分鐘后，則能達到±0.01ppm的穩(wěn)定度。2100433B

晶振、貼片晶振，有源晶振，時鐘晶振，聲表面波器件及模塊的生產(chǎn)

2017年 6月 公司推出貼片晶振2016封裝