中文名 | 退火薄板 | 外文名 | Annealed sheet |
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學(xué)????科 | 冶金工程 | 領(lǐng)????域 | 冶煉 |
厚????度 | 2.0-8.0 | 寬????度 | 620mm |
冷軋組織主要由內(nèi)含大量剪切帶的伸長晶粒組成,其中表層和1/4層之間的剪切帶強度和密度較心部大。高硅鋼薄板冷軋織構(gòu)主要由以{112}〈110〉為強點的α織構(gòu)(〈110〉∥RD)和以{111}〈112〉為強點的γ織構(gòu)組成。
高硅鋼冷軋板經(jīng)700、900、1000和1100℃保溫10min退火后都完成再結(jié)晶,平均晶粒尺寸分別為18、139、172和191μm。
700℃退火時,再結(jié)晶織構(gòu)主要為以{001}〈210〉為峰值的{001}織構(gòu)和以{111}〈112〉為峰值的γ織構(gòu),而且{111}〈112〉和{001}〈210〉強度接近,取向密度分別為4.3和4.1。高于900℃退火時,γ織構(gòu)取向密度降到2.0以下,而{001}〈210〉織構(gòu)取向密度增強到9.7以上,{001}織構(gòu)成為主導(dǎo)的織構(gòu)組分??傮w上在700~900℃范圍內(nèi)隨退火溫度升高,{001}〈210〉迅速成為主導(dǎo)織構(gòu)組分,γ織構(gòu)顯著減弱。在900℃以上范圍隨退火溫度升高,{001}〈210〉繼續(xù)增強,但增長幅度減小??傊?,900℃以上溫度退火有利于無取向高硅鋼薄板再結(jié)晶織構(gòu)的優(yōu)化 。
論利用熱軋、冷軋和退火工藝制備高硅鋼薄板,并分析退火溫度對再結(jié)晶織構(gòu)的影響。退火溫度對冷軋高硅鋼薄板再結(jié)晶織構(gòu)影響顯著,高于900℃退火可獲得以{001}〈210〉為峰值的強{001}再結(jié)晶織構(gòu)。高硅鋼再結(jié)晶織構(gòu)演變呈現(xiàn)出與普通硅鋼不同的規(guī)律:隨再結(jié)晶晶粒長大,{001}織構(gòu)逐漸增強成為主要織構(gòu)組分,而γ織構(gòu)逐漸減弱 。
含6.5%(質(zhì)量分數(shù))Si的高硅鋼具有高磁導(dǎo)率、極低鐵損和低噪音等優(yōu)異的軟磁性能,是低能耗、小型化、高速化、環(huán)境友好的理想鐵芯材料。高硅鋼磁性能對再結(jié)晶織構(gòu)十分敏感,但由于其高硬脆性,長期以來對高硅鋼的研究主要集中在如何改善加工成形問題上,關(guān)于高硅鋼織構(gòu)的優(yōu)化控制進展很小。
Machado等研究了含1.0%(質(zhì)量分數(shù))Al的Fe-6.5%(質(zhì)量分數(shù))Si合金的溫軋織構(gòu)。Ros-Yanze等表征了高硅鋼熱軋、冷軋和退火后的織構(gòu)特征。
在他們的研究中,高硅鋼熱軋織構(gòu)由立方織構(gòu){001}〈100〉),γ織構(gòu)和Goss織構(gòu)({110}〈001〉)組成,冷軋后主要演變?yōu)棣每棙?gòu),退火后形成以{111}〈110〉為峰值的γ織構(gòu)。由于對磁性而言,γ再結(jié)晶織構(gòu)是硅鋼中的最不利的織構(gòu)組分,所以他們的研究均未涉及到高硅鋼再結(jié)晶織構(gòu)的優(yōu)化問題。
利用傳統(tǒng)的熱軋、冷軋和退火工藝流程制造高硅鋼薄板,并采用X射線衍射技術(shù)分析其再結(jié)晶織構(gòu)的演變規(guī)律與控制效果 。
罩式爐有加熱罩和保護罩兩層,其中帶鋼在保護罩中被密封,里面充滿保護性氣體,如氮氣氫氣等,冷軋帶鋼在保護氣體中進行加熱退火,不氧化,也不產(chǎn)生脫碳。冷軋:用熱軋鋼卷為原料,經(jīng)酸洗去除氧化皮后進行冷連軋,其...
你現(xiàn)在給的條件不好給你什么建議能補充嗎?1薄板是什么材質(zhì)2烤干所需溫度是多少3工件的形狀4目前要多長時間能烤干我個人認為可采用懸鏈轉(zhuǎn)動,吊具采用吊藍,工件平放在吊藍內(nèi)(可采用多層),吊藍大小根據(jù)烘房及...
最好不用CO2的焊接方法,即便是用0.8焊絲焊接,掌握不好都會焊穿。有條件用氬弧焊比較好。
高硅鋼薄板再結(jié)晶織構(gòu)受退火溫度影響的原因可能來自兩個方面:
(1)不同取向晶粒形核率的溫度依賴性;
(2)不同取向晶粒長大速率的溫度依賴性。
為此,進行了900℃不同時間的退火實驗,以考察晶粒長大過程中的織構(gòu)演變。兩退火工藝下均完全再結(jié)晶,平均晶粒尺寸分別為22和151μm。退火0.4min時再結(jié)晶織構(gòu)主要為以{001}〈210〉為峰值的{001}織構(gòu)和以{111}〈112〉為峰值的γ織構(gòu),而且二者強度相近;退火100min時,{001}織構(gòu)成為主導(dǎo)織構(gòu)組分。顯然,在0.4~10min范圍內(nèi)隨退火時間延長,以{111}〈112〉為峰值的γ織構(gòu)顯著減弱,{001}〈210〉發(fā)展為主導(dǎo)織構(gòu)組分;在10~100min范圍內(nèi),織構(gòu)類型和取向密度變化都相對較小。
700和900℃下再結(jié)晶剛完成階段的織構(gòu)相似性表明:不同溫度下再結(jié)晶織構(gòu)的差異,是在晶粒長大過程中形成的。隨再結(jié)晶晶粒長大,{001}晶粒逐步吞并其它取向晶粒而成為主導(dǎo)織構(gòu)組分,γ晶粒則逐漸被吞并而減弱。無取向硅鋼的晶粒尺寸和再結(jié)晶織構(gòu)是影響磁性能的兩個關(guān)鍵結(jié)構(gòu)參數(shù)。目前采用的退火工藝都是以獲得最優(yōu)晶粒尺寸為導(dǎo)向,而在此過程中再結(jié)晶織構(gòu)通常隨晶粒長大向不利方向轉(zhuǎn)變。高硅鋼的再結(jié)晶織構(gòu)呈現(xiàn)不同的演變規(guī)律:隨晶粒長大,不利的γ織構(gòu)逐漸減弱甚至消失,而有利的{001}織構(gòu)則持續(xù)增強為主要織構(gòu)組分 。
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0Cr18Ni9TiTi 鋼板加工硬化及消除應(yīng)力退火 1、0Cr18Ni9TiTi 化學(xué)成分 % : C:≤ 0.07 ,Si :≤ 1.0 ,Mn :≤ 2.0 ,Cr :17.0~19.0 , Ni :8.0~11.0, S :≤ 0.03 , P :≤ 0.035,Ti:5X(C%~0.02)~0.08) 2、1Cr18Ni9Ti 化學(xué)成分 % : C:≤ 0.12 ,Si :≤ 1.0 ,Mn :≤ 2.0 ,Cr :17.0~19.0 ,Ni : 8.0~11.0, S :≤ 0.03 , P :≤ 0.035,Ti:5X(C%~0.02)~0.08) 0Cr18Ni9Ti 是一種 18-8 系的奧氏體不銹鋼,通常用作緊固件及隔磁耐中溫工件。由于 其制作作變形在各部分材料的形變程度各不相同,大約在 15%~40%之間,因此材料的加工 硬化程度也有差異。 0Cr18Ni
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本文介紹用罩式爐對45°優(yōu)質(zhì)碳素結(jié)構(gòu)鋼薄板進行球化退火的工藝情況并對試驗結(jié)果進行分析。
①普通(緩冷)球化退火,緩冷適用于多數(shù)鋼種,尤其是裝爐量大時,操作比較方便,但生產(chǎn)周期長;②等溫球化退火,適用于多數(shù)鋼種,特別是難于球化的鋼以及球化質(zhì)量要求高的鋼(如滾動軸承鋼);其生產(chǎn)周期比普通球化退火短,不過需要有能夠控制共析轉(zhuǎn)變前冷卻速率的爐子;③周期球化退火,適用于原始組織為片層狀珠光體組織的鋼,其生產(chǎn)周期也比普通球化退火短,不過在設(shè)備裝爐量大的條件下,很難按控制要求改變溫度,故在生產(chǎn)中未廣泛采用;④低溫球化退火,適用于經(jīng)過冷形變加工的鋼以及淬火硬化過的鋼(后者通常稱為高溫軟化回火);⑤形變球化退火,形變加工對球化有加速作用,將形變加工與球化結(jié)合起來,可縮短球化時間。它適用于冷、熱形變成形的鋼件和鋼材(如帶材)。
應(yīng)用于經(jīng)過冷變形加工的金屬及合金的一種退火方法。目的為使金屬內(nèi)部組織變?yōu)榧毿〉牡容S晶粒,消除形變硬化,恢復(fù)金屬或合金的塑性和形變能力(回復(fù)和再結(jié)晶)。若欲保持金屬或合金表面光亮,則可在可控氣氛的爐中或真空爐中進行再結(jié)晶退火。
去除應(yīng)力退火 鑄、鍛、焊件在冷卻時由于各部位冷卻速度不同而產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力,金屬及合金在冷變形加工中以及工件在切削加工過程中也產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力。若內(nèi)應(yīng)力較大而未及時予以去除,常導(dǎo)致工件變形甚至形成裂紋。去除應(yīng)力退火是將工件緩慢加熱到較低溫度(例如,灰口鑄鐵是500~550℃,鋼是500~650℃),保溫一段時間,使金屬內(nèi)部發(fā)生弛豫,然后緩冷下來。應(yīng)該指出,去除應(yīng)力退火并不能將內(nèi)應(yīng)力完全去除,而只是部分去除,從而消除它的有害作用。
還有一些專用退火方法,如不銹耐酸鋼穩(wěn)定化退火;軟磁合金磁場退火;硅鋼片氫氣退火;可鍛鑄鐵可鍛化退火等。
半導(dǎo)體芯片在經(jīng)過離子注入以后就需要退火。因為往半導(dǎo)體中注入雜質(zhì)離子時,高能量的入射離子會與半導(dǎo)體晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子發(fā)生位移,結(jié)果造成大量的空位,將使得注入?yún)^(qū)中的原子排列混亂或者變成為非晶區(qū),所以在離子注入以后必須把半導(dǎo)體放在一定的溫度下進行退火,以恢復(fù)晶體的結(jié)構(gòu)和消除缺陷。同時,退火還有激活施主和受主雜質(zhì)的功能,即把有些處于間隙位置的雜質(zhì)原子通過退火而讓它們進入替代位置。退火的溫度一般為200~800C,比熱擴散摻雜的溫度要低得多 。
蒸發(fā)電極金屬以后需要進行退火,使得半導(dǎo)體表面與金屬能夠形成合金,以接觸良好(減小接觸電阻)。這時的退火溫度要選取得稍高于金屬-半導(dǎo)體的共熔點(對于Si-Al合金,為570度) 。2100433B
1、H1×——冷作硬化狀態(tài)(中間退火)。
冷軋中間道次進行退火,冷卻后不再進行補充熱處理。“H1”后的數(shù)字表示冷作硬化的程度。
2、H2×——冷作硬化后部分退火狀態(tài)(成品退火)。
不完全退火
應(yīng)變硬化 不完全退火
適用于大加工率后,以最終的部分退火獲得所需要的強度指標的制品。對于在室溫下自然軟化的金,H2、H3對應(yīng)狀態(tài)具有相同的低應(yīng)力值;對其他合金H2、H1對應(yīng)各狀態(tài)具有相同的最低應(yīng)力值,但H2各狀態(tài)的延伸率稍高?!癏1”后的數(shù)字表示經(jīng)部分退火后,冷作硬化保留的程度。
3、H3×——冷作硬化后穩(wěn)定化處理狀態(tài)。
穩(wěn)定化退火
應(yīng)變應(yīng)化 低溫回復(fù)
穩(wěn)定化退火——為使工件中微細的顯微組成物沉淀或球化的退火。
適用于大冷作量后,以低溫熱處理穩(wěn)定力學(xué)性能的產(chǎn)品。穩(wěn)定化處理后,應(yīng)力值稍有降低,塑性有所改善。該狀態(tài)僅適用于不進行穩(wěn)定化處理,在室溫下就會自發(fā)軟化的合金?!癏3”后的數(shù)字表示穩(wěn)定化處理前冷作硬化保留的程度。