微電子材料簡介

材料介紹

微電子材料與器件是微電子產(chǎn)業(yè)的基礎。微電子器件通常分為集成電路器件、分立器件、光電器件和傳感器等, 其中集成電路器件又分為微處理器、邏輯電路、模擬電路和存儲器等器件。多晶硅、集成電路常用的硅拋光片、外延片、SOI片, 以及IC 制造過程中的氧化、涂光刻膠、掩模對準、曝光、顯影、腐蝕、清洗、擴散、封裝等工藝所需的引線框架、塑封料、鍵合金絲、超凈高純化學試劑、超高純氣體等均屬于微電子材料。

微電子材料 主要是大直徑（400mm）硅單晶及片材技術，大直徑（200mm）硅片外延技術，150mmGaAs和100mmInP晶片及其以它們?yōu)榛腎II－V族半導體超晶格、量子阱異質結構材料制備技術，GeSi合金和寬禁帶半導體材料等。2100433B

一般用于材料及產(chǎn)品的應力釋放，特別是晶圓或者微電子材料的應力釋放。在高溫環(huán)境中，半導體及金屬材料極易氧化，所以需要抽真空與充氮氣聯(lián)動加以保護。同樣的這些材料也更容易受到灰塵污染，100級甚至更高的潔凈度可保護這些材料不被污染。

鋁碳化硅（AlSiC）是鋁和碳化硅復合而成的金屬基熱管理復合材料，是電子元器件專用封裝材料，主要是指將鋁與高體積分數(shù)的碳化硅復合成為低密度、高導熱率和低膨脹系數(shù)的封裝材料，以解決電子電路的熱失效問題。在中國，西安明科微電子材料有限公司與西北工業(yè)大學是最早合作開發(fā)這種材料的。

鎢銅合金綜合了金屬鎢和銅的優(yōu)點，其中鎢熔點高(鎢熔點為3410℃，銅的熔點1080℃)，密度大(鎢密度為19.25g/cm，銅的密度為8.92/cm3) ；銅導電導熱性能優(yōu)越，鎢銅合金(成分一般范圍為WCu7~WCu50)微觀組織均勻、耐高溫、強度高、耐電弧燒蝕、密度大；導電、導熱性能適中，廣泛應用于軍用耐高溫材料、高壓開關用電工合金、電加工電極、微電子材料，做為零部件和元器件廣泛應用于航天、航空、電子、電力、冶金、機械、體育器材等行業(yè)。

鎢銅軍用耐高溫材料

鎢銅合金在航天航空中用作導彈、火箭發(fā)動機的噴管、燃氣舵、空氣舵、鼻錐，主要要求是要求耐高溫(3000K~5000K)、耐高溫氣流沖刷能力，主要利用銅在高溫下?lián)]發(fā)形成的發(fā)汗制冷作用(銅熔點1083℃)，降低鎢銅表面溫度，保證在高溫極端條件下使用。

鎢銅高溫鎢銅性能