掩膜曝光機主要功能

用于紫外曝光進行微納米尺寸器件加工。

SUSS MicroTec Lithography GmbH。

小型臺式無掩膜光刻機Microwriter ML3，通過激光直寫在光刻膠上直接曝光制作所需要的圖案，而無需掩膜版，專為實驗室設(shè)計開發(fā)，適用于各種實驗室桌面。

掩膜版有兩種：一種是在涂有普通乳膠的照相干版上，依據(jù)掩模原圖，用照相方法制成的；另一種是在鍍有一薄層金屬（通常為鉻）的玻璃版上，用光刻法在金屬層上刻蝕出所需圖形而制成的。為了使每塊硅片能同時制作幾十至幾千個管芯或電路，掩模版上相應(yīng)有幾十至幾千個規(guī)則地重復(fù)排列的同一圖形。每個圖形之間具有一定的間隔，以便制好管芯或電路后進行劃片分割。制作一種平面晶體管或集成電路，需要有一組（幾塊至十幾塊）可以相互精確套刻的掩模版。對掩版的基夲求是：精度高、套刻準、反差強和酎磨損。

紫外曝光機接觸式曝光

接觸式曝光指掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設(shè)備簡單。接觸式，根據(jù)施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。接觸的越緊密，分辨率越高，當然接觸的越緊密，掩膜和材料的損傷就越大。

（1）軟接觸：把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面；

（2）硬接觸：將基片通過一個氣壓（氮氣），往上頂，使之與掩膜接觸；

（3）真空接觸：在掩膜和基片中間抽氣，使之更加好的貼合（想一想把被子抽真空放置的方式）

其缺點為：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，容易損壞，壽命很低（只能使用5～25次）；容易累積缺陷；上個世紀七十年代的工業(yè)水準，已經(jīng)逐漸被接近式曝光方式所淘汰了，國產(chǎn)光刻機均為接觸式曝光，國產(chǎn)光刻機的開發(fā)機構(gòu)無法提供工藝要求更高的非接觸式曝光的產(chǎn)品化。

紫外曝光機接近式曝光

接近式曝光指掩膜板與光刻膠基底層保留一個微小的縫隙（Gap），Gap大約為0～200μm?？梢杂行П苊馀c光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷，使掩膜和光刻膠基底能耐久使用；掩模壽命長（可提高10 倍以上），圖形缺陷少。接近式在現(xiàn)代光刻工藝中應(yīng)用最為廣泛。

紫外曝光機投影式曝光

投影式曝光指在掩膜板與光刻膠之間使用光學(xué)系統(tǒng)聚集光實現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉(zhuǎn)移圖形的4倍制作。優(yōu)點：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。

投影式曝光分為：

（1）掃描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸。

（2）步進重復(fù)投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板縮小比例（4：1），曝光區(qū)域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆蓋的區(qū)域）。增加了棱鏡系統(tǒng)的制作難度。

（3）掃描步進投影曝光（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代末～至今，用于≤0.18μm工藝。采用6英寸的掩膜板按照4:1的比例曝光，曝光區(qū)域（Exposure Field）26×33mm。優(yōu)點：增大了每次曝光的視場；提供硅片表面不平整的補償；提高整個硅片的尺寸均勻性。但是，同時因為需要反向運動，增加了機械系統(tǒng)的精度要求。2100433B