一種多晶硅還原爐榮譽表彰

2020年7月，《一種多晶硅還原爐》獲得第二十一屆中國專利銀獎。

如圖1-2所示，根據(jù)該發(fā)明實施例的多晶硅還原爐，包括：底盤10，爐體20，四十八對電極30，進氣系統(tǒng)和排氣系統(tǒng)。

具體地，爐體20連接在底盤10上且在爐體20與底盤10之間限定出反應腔室1020。

四十八對電極30設在底盤10上且分別分布在第一、第二、第三和第四圓周，所述第一、第二、第三和第四圓周為以底盤10中心為圓心且半徑依次增大的同心圓周。

所述進氣系統(tǒng)包括設在底盤10中部的多個噴嘴41。

所述排氣系統(tǒng)包括多個排氣口51，排氣口51設在底盤10上且位于所述第四圓周與爐體20之間。

根據(jù)該發(fā)明實施例的多晶硅還原爐，四十八對電極30設在底盤10上且分別分布在四個同心圓周即第一、第二、第三和第四圓周上，由此，可以合理利用熱能，同時也可以避免爐體內側壁帶走過多熱量，可以降低熱量損耗。

如圖2所示，根據(jù)該發(fā)明一個實施例，在所述第一、第二、第三和第四圓周上（即如圖2中所示的從內至外的第二個、第四個、第六個和第八個圓周）沿圓周方向依次均勻分布有六對、十對、十四對和十八對電極30。在所述第一、第二、第三和第四圓周的每個圓周上，相鄰的兩個電極30通過電極板連接，由此成為一對電極。由此，可以簡化對電極30的控制，并可以最大程度的合理利用熱能。

根據(jù)該發(fā)明一些實施例，多個噴嘴41分別分布于分別分布于第五、第六、第七和第八圓周上（即如圖2中所示的從內至外的第一個、第三個、第五個和第七個圓周）上，所述第五、第六、第七和第八圓周均以所述底盤中心為圓心且分別位于所述第一圓周之內和第一與第二圓周、第二與第三圓周以及第三與第四圓周之間。也就是說，電極30所在的圓周和噴嘴41所在的圓周為相互間隔。由此，可以使工藝氣體在反應腔室1020內均勻分布，可以提高單爐產量。

有利地，根據(jù)該發(fā)明一個示例，多個噴嘴41的數(shù)量為二十四個，其中在所述第五和第六圓周上分別均勻分布有四個噴嘴41，第七和第八圓周上分別均勻分布有八個噴嘴41。由此，可以使噴嘴41的布局更為合理，可以有效地與所述四十八對電極相配合。

進一步地，根據(jù)該發(fā)明一個具體示例，所述進氣系統(tǒng)還包括，進氣環(huán)管42和二十四個進氣管43。

具體地，進氣環(huán)管42位于底盤10下方且與外部氣源相連通。

二十四個進氣管43的分別與二十四個噴嘴41一一對應且二十四個噴嘴41通過二十四個進氣管43與進氣環(huán)管42相連接。由此，可以使每個噴嘴41的進氣量都保持一致，從而可以保證反應腔室1020內氣流流暢均勻。

根據(jù)該發(fā)明一個實施例，多個排氣口51的數(shù)量為八個。有利地，根據(jù)該發(fā)明一個具體示例，如圖2所示，八個排氣口沿以底盤10的中心為圓心的圓周上（即如圖2中所示的從內至外的第九個圓周）。由此，可以使反應尾氣及時排出。

如圖1所示，根據(jù)該發(fā)明一個實施例，底盤10內形成有第一冷卻腔101，且第一冷卻腔101具有第一冷卻介質進口102和多個第一冷卻介質出口103，第一冷卻介質進口102位于底盤10的中央，而多個第一冷卻介質出口103與多個排氣口51一一對應設置，每個第一冷卻介質出口103連接有第一冷卻管且每個排氣口51連接有尾氣管，所述第一冷卻管套設在所述尾氣管上。由此，可以簡化多晶硅還原爐的設計并可以改善生產條件，可以保證安全生產。

根據(jù)該發(fā)明一個示例，爐體20內設有第二冷卻腔203且第二冷卻腔203連接有第二冷卻介質進口204和第二冷卻介質出口205，第二冷卻介質進口204位于爐體20的底部且第二冷卻介質出口205位于爐體20的頂部，第二冷卻腔203內設有多個隔流擋板206，多個隔流擋板206在第二冷卻腔203內由下至上繞反應腔室1020呈螺旋狀分布。由此，可以改善生產條件，可以保證安全生產。

根據(jù)該發(fā)明一些實施例，爐體20包括位于下部的筒體201和設在筒體201頂端的封頭202，封頭202為中空半球體。由此，可以減小上升氣流在反應腔室1020頂部的上升阻力。

有利地，根據(jù)該發(fā)明一個實施例，如圖1所示，爐體20上還設有多個觀察鏡60，多個觀察鏡60在筒體201的高度方向上均勻分布成多排且多個觀察鏡60沿筒體201的周向均勻分布。由此，可以及時觀察所述反應腔室內的情況。

根據(jù)該發(fā)明實施例的多晶硅還原爐，四十八對電極30在所述第一、第二、第三和第四圓周上（即如圖2中所示的從內至外的第二個、第四個、第六個和第八個圓周）沿圓周方向依次均勻分布有六對、十對、十四對和十八對電極30。該電極30的布局有利于最大化合理利用熱能，同時避免爐筒內側的冷卻壁面帶走過多熱量，降低熱量損耗。在第五、第六、第七和第八圓周（即如圖2中所示的從內至外的第一個、第三個、第五個和第七個圓周）上分別均勻設有四個、四個、八個和八個噴嘴，在沿以底盤10的中心為圓心的圓周上（即如圖2中所示的從內至外的第九個圓周）均勻設有八個排氣口51，這樣的設計取消了中央出氣口，避免了中央出氣口附近由于憋壓造成的流動死區(qū)，提高了反應腔室1020內下部區(qū)域的生產效率。使用外圈出氣的結構，使得還原爐內氣流循環(huán)時，直接從外圈排出，避免反應副產物回到中央的氣流上升區(qū)，造成物料反混。爐體10上部的封頭202為半球形封頭。半球形封頭的受力良好，球殼應力小，與筒體201相比，厚度較其他形式的封頭可以適當減薄。進過模擬計算，球形封頭的下部的上升氣流在頂部的上升阻力減小，在高度2400-3200毫米左右氣速明顯增加，有利于解決硅棒上部菜花嚴重的問題，對硅棒橋連部分的質量有一定改善作用；這一特征在內圈硅棒上表現(xiàn)更為明顯，硅棒表面氣速比一般的橢圓形封頭有10％左右的提升。

根據(jù)該發(fā)明實施例的多晶硅還原爐，通過對多晶硅還原爐的底盤10和爐體20的結構尺寸，以及電極30、進氣口41和排氣孔51的分布進行優(yōu)化設計后，每公斤多晶硅能耗可以降低25％-35％，單爐產量可達到10-12噸，可有效降低多晶硅生產成本。

1.《一種多晶硅還原爐》其特征在于，包括：底盤和爐體，所述爐體連接在所述底盤上且在所述爐體與所述底盤之間限定出反應腔室；四十八對電極，所述四十八對電極設在所述底盤上且分別分布在第一、第二、第三和第四圓周，所述第一、第二、第三和第四圓周為以所述底盤中心為圓心且半徑依次增大的同心圓周；進氣系統(tǒng)，所述進氣系統(tǒng)包括設在所述底盤中部的多個噴嘴；和排氣系統(tǒng)，所述排氣系統(tǒng)包括多個排氣口，所述排氣口設在所述底盤上且位于所述第四圓周與所述爐體之間；其中，所述多個噴嘴分別分布于第五、第六、第七和第八圓周上，所述第五、第六、第七和第八圓周均以所述底盤中心為圓心且分別位于所述第一圓周之內和第一與第二圓周、第二與第三圓周以及第三與第四圓周之間；所述多個噴嘴的數(shù)量為二十四個，其中在所述第五和第六圓周上分別均勻分布有四個噴嘴，第七和第八圓周上分別均勻分布有八個噴嘴。

2.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，在所述第一、第二、第三和第四圓周上沿圓周方向依次均勻分布有六對、十對、十四對和十八對電極。

3.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述進氣系統(tǒng)還包括：進氣環(huán)管，所述進氣環(huán)管位于所述底盤下方且與外部氣源相連通；二十四個進氣管，所述二十四個進氣管分別與所述二十四個噴嘴一一對應且所述二十四個噴嘴通過所述二十四個進氣管與所述進氣環(huán)管相連接。

4.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述多個排氣口的數(shù)量為八個。5.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述底盤內形成有第一冷卻腔，且所述第一冷卻腔具有第一冷卻介質進口和多個第一冷卻介質出口，所述第一冷卻介質進口位于所述底盤的中央，而所述多個第一冷卻介質出口與所述多個排氣口一一對應設置，每個所述第一冷卻介質出口連接有第一冷卻管且每個所述排氣口連接有尾氣管，所述第一冷卻管套設在所述尾氣管上。

6.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述爐體內設有第二冷卻腔且所述第二冷卻腔連接有第二冷卻介質進口和第二冷卻介質出口，所述第二冷卻介質進口位于所述爐體的底部且所述第二冷卻介質出口位于所述爐體的頂部，所述第二冷卻腔內設有多個隔流擋板，所述多個隔流擋板在所述第二冷卻腔內由下至上繞所述反應腔室呈螺旋狀分布。

7.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述爐體包括位于下部的筒體和設在所述筒體頂端的封頭，所述封頭為中空半球體。

8.根據(jù)權利要求7所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述爐體上還設有多個觀察鏡，所述多個觀察鏡在所述筒體的高度方向上均勻分布成多排且所述多個觀察鏡沿所述筒體的周向均勻分布。

圖1是根據(jù)《一種多晶硅還原爐》的一個實施例的多晶硅還原爐的示意圖；

圖2是根據(jù)《一種多晶硅還原爐》的另一實施例的多晶硅還原爐的示意圖。

一種多晶硅還原爐專利目的

《一種多晶硅還原爐》的目的在于提出一種可以降低能耗并且可以提高產量的多晶硅還原爐。

一種多晶硅還原爐技術方案

根據(jù)《一種多晶硅還原爐》實施例的多晶硅還原爐，包括：底盤和爐體，所述爐體連接在所述底盤上且在所述爐體與所述底盤之間限定出反應腔室；四十八對電極，所述四十八對電極設在所述底盤上且分別分布在第一、第二、第三和第四圓周，所述第一、第二、第三和第四圓周為以所述底盤中心為圓心且半徑依次增大的同心圓周；進氣系統(tǒng)，所述進氣系統(tǒng)包括設在所述底盤中部的多個噴嘴；和排氣系統(tǒng)，所述排氣系統(tǒng)包括多個排氣口，所述排氣口設在所述底盤上且位于所述第四圓周與所述爐體之間。

根據(jù)該發(fā)明實施例的多晶硅還原爐，所述四十八對電極設在所述底盤上且分別分布在第一、第二、第三和第四圓周，由此，可以合理利用熱能，同時也可以避免爐體內側壁帶走過多熱量，可以降低熱量損耗。

另外，根據(jù)該發(fā)明上述實施例的多晶硅還原爐還可以具有如下附加的技術特征：

根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐，在所述第一、第二、第三和第四圓周上沿圓周方向依次均勻分布有六對、十對、十四對和十八對電極。電極如此布置，可以最大程度的合理利用熱能。

根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐，所述多個噴嘴分別分布于第五、第六、第七和第八圓周上，所述第五、第六、第七和第八圓周均以所述底盤中心為圓心且分別位于所述第一圓周之內和第一與第二圓周、第二與第三圓周以及第三與第四圓周之間。由此，可以使工藝氣體在所述反應腔室內均勻分布，可以提高單爐產量。

有利地，根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐，所述多個噴嘴的數(shù)量為二十四個，其中在所述第五和第六圓周上分別均勻分布有四個噴嘴，第七和第八圓周上分別均勻分布有八個噴嘴。由此，可以使所述多個噴嘴的布局更為合理，可以有效地與所述四十八對電極相配合。

進一步地，根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐，所述進氣系統(tǒng)還包括：進氣環(huán)管，所述進氣環(huán)管位于所述底盤下方且與外部氣源相連通；二十四個進氣管，所述二十四個進氣管分別與所述二十四個噴嘴一一對應且所述二十四個噴嘴通過所述二十四個進氣管與所述進氣環(huán)管相連接。由此，可以使每個所述噴嘴的進氣量都保持一致。

根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐，所述多個排氣口的數(shù)量為八個。由此，可以使反應尾氣及時排出。

根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐，所述底盤內形成有第一冷卻腔，且所述第一冷卻腔具有第一冷卻介質進口和多個第一冷卻介質出口，所述第一冷卻介質進口位于所述底盤的中央，而所述多個第一冷卻介質出口與所述多個排氣口一一對應設置，每個所述第一冷卻介質出口連接有第一冷卻管且每個所述排氣口連接有尾氣管，所述第一冷卻管套設在所述尾氣管上。由此，可以改善生產條件，可以保證安全生產。

根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐，所述爐體內設有第二冷卻腔且所述第二冷卻腔連接有第二冷卻介質進口和第二冷卻介質出口，所述第二冷卻介質進口位于所述爐體的底部且所述第二冷卻介質出口位于所述爐體的頂部，所述第二冷卻腔內設有多個隔流擋板，所述多個隔流擋板在所述第二冷卻腔內由下至上繞所述反應腔室呈螺旋狀分布。由此，可以改善生產條件，可以保證安全生產。

根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐，所述爐體包括位于下部的筒體和設在所述筒體頂端的封頭，所述封頭為中空半球體。由此，可以減小上升氣流在所述反應腔室頂部的上升阻力。

有利地，根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐，所述爐體上還設有多個觀察鏡，所述多個觀察鏡在所述筒體的高度方向上均勻分布成多排且所述多個觀察鏡沿所述筒體的周向均勻分布。由此，可以及時觀察所述反應腔室內的情況。

該發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過該發(fā)明的實踐了解到。

一種多晶硅還原爐有益效果

根據(jù)《一種多晶硅還原爐》實施例的多晶硅還原爐，可以合理利用熱能，同時也可以避免爐體內側壁帶走過多熱量，可以降低熱量損耗。

多晶硅還原爐是多晶硅生產中產出最終產品的核心設備，也是決定系統(tǒng)產能、能耗的關鍵環(huán)節(jié)。因此，多晶硅還原爐的設計和制造，直接影響到產品的質量、產量和生產成本。隨著全球經濟危機的影響下，多晶硅的價格持續(xù)下降，產業(yè)利潤不斷被壓縮，市場競爭日趨激烈。因此，有效地降低多晶硅能耗，提高產品質量，提高生產效率，是2011年多晶硅生產企業(yè)需要解決的重要問題。

截至2011年生產多晶硅主要采用“改良西門子法”，通常將一定配比的三氯氫硅（SiHCl₃）和氫氣（H₂）混合氣從底部進氣口噴入，在還原爐內發(fā)生氣相還原反應，反應生成的硅（Si）直接沉積在爐內的硅芯表面，隨著反應的持續(xù)進行，硅棒不斷生長最終達到產品要求。由于還原爐內部硅芯需要維持在1050℃-1100℃進行生產，外部用冷卻夾套進行冷卻，因此，使用12對棒、18對棒等還原爐生產多晶硅還原能耗大，生產成本高，已經不適應2011年激烈市場競爭的要求，迫切需求一種能夠節(jié)能降耗的新型還原爐的出現(xiàn)。該發(fā)明旨在至少解決上述技術問題之一。

《一種48對棒還原爐爐體結構》涉及多晶硅制備裝置技術領域，具體涉及一種用于多晶硅還原爐的爐體結構。

改良西門子法是國際上生產多晶硅的主流技術，其核心設備為還原爐，還原爐的工作原理是通過通電高溫硅芯將三氯氫硅與氫氣的混和氣體反應生成多晶硅并沉積在硅芯上，最終產物是沉積在硅芯上的多晶硅，產品最終以多晶硅棒的形式從還原爐中采出。

全世界有超過85％的多晶硅是采用改良西門子法生產的。改良西門子法是一種化學方法，首先利用冶金硅（純度要求在99.5％以上）與氯化氫（HCl）合成產生便于提純的三氯氫硅氣體（SiHCl3，下文簡稱TCS），然后將TCS精餾提純，最后通過還原反應和化學氣相沉積（CVD）將高純度的TCS轉化為高純度的多晶硅。

中國國內大多是廠家在多晶硅生產方面采用24/36對棒還原爐，電耗成本為生產多晶硅的主要成本之一，并且，小容量還原爐的電耗成本更高。高電耗在很大程度上制約著行業(yè)的發(fā)展，相比小型還原爐，大型還原爐有單爐產量高，產品單耗低、物料利用率高等優(yōu)勢。因此，無論從生產效率，還是節(jié)能降耗方面來講，多晶硅還原工藝采用大型還原爐是必然趨勢。

在多晶硅還原爐的容積增加到48對棒時，還原爐內的溫場、流場復雜性增加，復雜的爐內溫度場及流場環(huán)境以及多晶硅生產對低能耗的要求，都促使著更為實用、更為節(jié)能、更為先進的48對棒還原爐爐體結構的設計。還原爐容量的擴大，使得進料流速、物料流場、溫場等影響多晶硅生長的關鍵參數(shù)變得更加復雜，需要開發(fā)一系列關鍵技術，以保障關鍵參數(shù)的穩(wěn)定，進而實現(xiàn)大型還原爐的高效、穩(wěn)定運行，還原爐的爐體是保障多晶硅生長和還原爐穩(wěn)定運行的主要部件，是實現(xiàn)還原爐大型化和降低還原爐能耗的關鍵。

因此，如何針對還原爐設計結構更為合理的爐體結構，使其在氣流流動、冷卻散熱、溫度控制等方面具有更優(yōu)良的性能即成為業(yè)界亟待解決的問題之一。

一種48對棒還原爐爐體結構專利目的

《一種48對棒還原爐爐體結構》要解決的技術問題是提供一種結構設計更合理、具有更高的強度、爐內熱量輻射損失更小、可提高硅棒的沉積生長效率以及保證硅棒的均勻生長的48對棒還原爐爐體結構，主要針對具有48對電極的爐體結構。

一種48對棒還原爐爐體結構技術方案

為解決上述技術問題，《一種48對棒還原爐爐體結構》采用如下技術方案：一種48對棒還原爐爐體結構，爐體部分包括有外壁、夾層和內壁，內壁與夾層連接，夾層與外壁連接，夾層內部設置有內件，其特征在于：內件包括X型加強筋及頂部物料進氣管；所述內壁為三層復合結構，外層為殼體，中間層為納米微孔隔熱層，內層為納米銀涂層，納米微孔隔熱層附著于外層的內表面，納米銀涂層則附著于納米微孔隔熱層的內表面，納米微孔隔熱層采用納米微孔隔熱材料制成；在夾層內設有由底向上圍繞內壁外部呈螺旋上升的若干組X型加強筋，X型加強筋的兩端分別與外壁及內壁連接固定；在爐體的夾層內設有由底向上圍繞內壁外部呈螺旋上升的爐體頂部物料進氣管，進氣管自爐體的頂部伸入內壁中。

納米微孔隔熱材料具有巨大的比表面積，納米顆粒之間的接觸為極小的點接觸，點接觸的熱阻非常大，使得材料的傳導傳熱效應變得非常小，導致納米級微孔隔熱材料的傳導傳熱系數(shù)非常小；納米顆粒之間形成大量的納米級氣孔，其尺寸平均在20納米，而靜止空氣的分子常溫下的平均熱運動自由程為60納米，這樣就把空氣分子鎖閉在粉料納米氣孔之內，使得靜止空氣分子之間的微小對流傳熱作用消失，因而納米微孔隔熱材料的常溫導熱系數(shù)比靜止的空氣還要低；在高溫下，傳熱的主要作用是熱輻射，納米微孔隔熱材料添加特殊的紅外添加劑，在高溫下阻止和反射紅外射線，把輻射傳熱作用降低到最低點，使得材料高溫下的輻射傳熱系數(shù)降低到最低值，從而有效降低爐內熱量的流失。

進一步地，進氣管的進氣口設于外壁的底部，而進氣管位于內壁中的末端連接有一半球型進氣噴頭，進氣噴頭的半球面上均勻分布有若干出氣孔。該進氣管可以將物料氣通向爐體頂部，作為輔助進氣通道與還原爐的底盤主進氣噴嘴配合，為還原爐提供更為均勻的物料氣分布，使得多晶硅能夠更均勻的生長。

進一步地，所述夾層內部設置有內件，其內部形成夾層冷卻水通道，在外壁的底部設有夾層冷卻水通道的進水口，在外壁的頂部設有夾層冷卻水通道的出水口。進一步地，所述納米銀涂層為反射率95％以上的高反射率納米銀涂層，該納米銀涂層的厚度為0.5～2毫米，納米銀涂層能夠將爐內紅外輻射有效的反射回爐內，從而減少爐內熱量的輻射散失。并且納米銀涂層的化學性質穩(wěn)定，熔點高達961℃，能夠很好地適應爐內的高溫和腐蝕性工作環(huán)境。涂層具有良好的導熱性，其導熱率（420瓦/米·度）接近鐵導熱率的七倍，良好的導熱性使得爐內具有趨熱性的氯化氫氣體在涂層表面形成一層氣體層，氣體層能夠有效防止爐內硅粉塵在內壁上的沉積。

進一步地，所述內壁的殼體采用碳鋼等合金材料制成，而X型加強筋通過焊接或鑄造加工方式連接于內壁的外部殼體上。

進一步地，所述X型加強筋的截面呈X形狀，X型加強筋形成兩個三角形對頂結構，兩個三角形底部分別連接于內壁外側與外壁內側。三角形穩(wěn)定的力學結構能夠為爐體內外壁提供有效的結構支撐，從而加強爐體的結構強度。

進一步地，所述X型加強筋的交叉位置設置為圓角結構，通過圓角處理，可避免X型加強筋截面的幾何形狀突變，從而減緩X型加強筋內部的應力集中情況，提高其耐疲勞強度。

進一步地，所述X型加強筋為中空結構，其下部及上部與夾層形成的冷卻水通道連通。夾層中的冷卻水可以通過X型加強筋的中空部分沿其分布路徑螺旋上升，直接到達夾層頂部，不用將冷卻水充滿整個夾層也能達到冷卻作用，并且，加強筋的X型截面中空部通水后可起到“散熱板”的作用，增大冷卻水與金屬壁的接觸面積，從而提高冷卻水的散熱效率。

進一步地，所述進氣管附著于所述X型加強筋上并沿X型加強筋延伸至外壁的頂部，如此可無需為該進氣管重新設計進氣通道，從而提高爐體的使用功能，降低爐體結構的復雜程度。同時，螺旋形通道也可起到均勻吸收夾層冷卻水熱量的作用。

進一步地，所述半球型進氣噴頭的噴頭半球面部分豎直朝下設置，噴頭半球面上的出氣孔沿噴頭半球面的半徑方向設置。半球型腔可以對進氣管中的物料氣起到緩沖降壓的作用，降低了物料氣對爐內硅棒的氣流沖擊，為還原爐頂部提供了流動較為溫和的進氣。

同時，氣體物料從半球型進氣噴頭半球面的出氣孔中噴出。從噴頭中部出氣孔中噴出的氣體可以為爐內多晶硅棒頂部連接橋提供均勻的物料氣，避免了多晶硅棒頂部連接橋爆米花狀沉積的產生，更有力與提高對晶硅的成長質量，并且，從噴頭中部出氣孔中噴出的氣體可以為爐內多晶硅棒頂部連接橋進行一定的降溫。從噴頭外徑出氣孔中噴出的氣體可以為整個爐內物料氣體的循環(huán)起到氣體導流的作用，進一步的提升還原爐內物料氣體的均勻分布，為多晶硅的均勻生長體用了更有利的生長環(huán)境。

《一種48對棒還原爐爐體結構》所需的爐體冷卻水通過爐體外壁底部的冷卻水進水口進入爐體夾層，當冷卻水充滿夾層后，由爐體外壁頂部的夾層冷卻水出水口排除。其中，一部分冷卻水通過由夾層底向上圍繞內壁外部呈螺旋上升的X型加強筋的中空處，沿著X型加強筋的螺旋上升軌跡直接到達夾層頂部空間，從而起到非常好的冷卻效果。而物料氣體從爐體外壁底部的進氣口進入，然后由底向上通過圍繞內壁外部呈螺旋上升的物料進氣管到達爐體頂部，最后通過進氣管末端的半球型進氣噴頭噴入還原爐內供料，為還原爐提供更為均勻的物料氣分布，使得多晶硅能夠更均勻地生長。在夾層內設置由底向上圍繞內壁外部呈螺旋上升的X型爐體加強筋可提高整個爐體的強度。設置納米銀涂層使爐內熱輻射經爐體內壁內部高反射率納米銀涂層反射后，有效反射回爐體內部，大幅降低熱量損失。在爐體內壁中間設置納米微孔隔熱材料進一步隔絕了爐內熱量向外散失。從而使本爐體結構具有良好的機械強度及承壓能力，能夠使爐內物料氣體更流暢地循環(huán)，并有效地減少爐內熱量的輻射損失，更有利于多晶硅的快速、均勻成長。