一種防輻射干粉砂漿及其制作方法

《一種防輻射干粉砂漿及其制作方法》屬于建筑材料領(lǐng)域，具體涉及一種防輻射干粉砂漿及其制作方法。

1.一種防輻射干粉砂漿，其特征在于其是由下列重量份配比原料組成：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防輻射干粉砂漿，其特征在于所述的普通硅酸鹽水泥選自標(biāo)號(hào)為425，425R，525，525R，625，625R中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防輻射干粉砂漿，其特征在于所述的高鋁水泥選自標(biāo)號(hào)為CA50，A600，A700，A900中的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防輻射干粉砂漿，其特征在于所述的重晶石砂選自粒度為5目，15目，30目中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防輻射干粉砂漿，其特征在于所述的硫酸鋇為沉淀硫酸鋇。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防輻射干粉砂漿，其特征在于所述的空心鋼珠的粒徑選自1毫米，2毫米，3毫米中的一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防輻射干粉砂漿，其特征在于所述的空心合金珠的粒徑選自1毫米，2毫米，3毫米中的一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防輻射干粉砂漿，其特征在于所述的乳膠粉為可再分散性乳膠粉。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防輻射干粉砂漿，其特征在于所述的纖維素醚選自羥甲基纖維素，羥乙基纖維素，羥丙基甲基纖維素，羧甲基纖維素中的一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防輻射干粉砂漿，其特征在于所述的硫酸鋇粒度為325目。

砂漿是建筑上砌磚石用的黏結(jié)物質(zhì)，由一定比例的沙子和膠結(jié)材料（水泥、石灰膏、黏土等）加水和成，也叫灰漿，也作砂漿。砂漿是由凝膠材料（水泥、石灰、粘土）和細(xì)骨料(砂)加水?dāng)嚢韬铣?。常用的有水泥砂漿、混合砂漿（或叫水泥石灰砂漿）、石灰砂漿和粘土砂漿。

截至2013年10月，市場上的砂漿都只具有建筑上砂漿的流動(dòng)性和保水性，但是像一些高輻射的地方，如核電站、醫(yī)院的放射科等場所具有很強(qiáng)的輻射，普通砂漿砌筑的墻體無法防止射線對(duì)人體的輻射。

一種防輻射干粉砂漿及其制作方法專利目的

《一種防輻射干粉砂漿及其制作方法》的目的是提供了一種防輻射干粉砂漿，其制作的混凝土結(jié)構(gòu)，克服2013年10月以前砂漿制作混凝土結(jié)構(gòu)不具有防輻射的缺陷。

一種防輻射干粉砂漿及其制作方法技術(shù)方案

一種防輻射干粉砂漿，其特征在于，其是由下列重量份配比原料組成：

根據(jù)權(quán)利要求1所述的防輻射干粉砂漿，其特征在于所述的普通硅酸鹽水泥選自標(biāo)號(hào)為425，425R，525，525R，625，625R中的一種。

所述的高鋁水泥選自標(biāo)號(hào)為CA50，A600，A700，A900中的一種。

所述的重晶石砂選自粒度為5目，15目，30目中的一種。

所述的硫酸鋇選自沉淀硫酸鋇，納米沉淀硫酸鋇中的一種。

所述的空心鋼珠的粒徑選自1毫米，2毫米，3毫米中的一種。

所述的空心合金珠的粒徑選自1毫米，2毫米，3毫米中的一種。

所述的乳膠粉選自可再分散性乳膠粉，聚醚改性玉米淀粉中的一種。

所述的纖維素醚選自羥甲基纖維素，羥乙基纖維素，羥丙基甲基纖維素，羧甲基纖維素中的一種。

所述的硫酸鋇粒度為325目。

一種防輻射干粉砂漿及其制作方法改善效果

《一種防輻射干粉砂漿及其制作方法》有效阻隔或降低X射線、Y射線，防止放射元素的輻射對(duì)人體的危害；另外，還具有價(jià)格低廉，施工方便，易于操作，墻體機(jī)械強(qiáng)度高的優(yōu)點(diǎn)。

• 實(shí)施例1

按重量份數(shù)：

使用以上配方的干粉砂漿加水澆注厚30厘米的墻體，待28天的養(yǎng)護(hù)后，使用X光檢查設(shè)備，使較強(qiáng)的輻射被阻擋，不能穿過，對(duì)于0.3毫希弗的輻射在墻體后小于0.001毫希弗。

• 實(shí)施例2

按重量份數(shù)：

使用以上配方的干粉砂漿加水澆注厚30厘米的墻體，待28天的養(yǎng)護(hù)后，使用X光檢查設(shè)備，使較強(qiáng)的輻射被阻擋，不能穿過，對(duì)于0.3毫希弗的輻射在墻體后小于0.001毫希弗。

• 實(shí)施例3

按重量份數(shù)：

使用以上配方的干粉砂漿加水澆注厚30厘米的墻體，待28天的養(yǎng)護(hù)后，使用X光檢查設(shè)備，使較強(qiáng)的輻射被阻擋，不能穿過，對(duì)于0.3毫希弗的輻射在墻體后小于0.001毫希弗。

• 實(shí)施例4

按重量份數(shù)：

使用以上配方的干粉砂漿加水澆注厚30厘米的墻體，待28天的養(yǎng)護(hù)后，使用X光檢查設(shè)備，使較強(qiáng)的輻射被阻擋，不能穿過，對(duì)于0.3毫希弗的輻射在墻體后小于0.001毫希弗。

• 實(shí)施例5

按重量份數(shù)：

使用以上配方的干粉砂漿加水澆注厚30厘米的墻體，待28天的養(yǎng)護(hù)后，使用X光檢查設(shè)備，使較強(qiáng)的輻射被阻擋，不能穿過，對(duì)于0.3毫希弗的輻射在墻體后小于0.001毫希弗。 《一種防輻射干粉砂漿及其制作方法》經(jīng)過測試均獲得，均獲得極佳的防輻射效果，其測試結(jié)果平均如下表1所示：

2021年8月16日，《一種防輻射干粉砂漿及其制作方法》獲得安徽省第八屆專利獎(jiǎng)優(yōu)秀獎(jiǎng)。

《一種變壓器及其制作方法和芯片》涉及無線通信系統(tǒng)的接收和發(fā)射技術(shù)，尤其涉及一種變壓器及其制作方法和芯片。

一種變壓器及其制作方法和芯片專利目的

《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例提供一種變壓器及其制作方法和芯片，能夠使變壓器具有高的Q值，而且結(jié)構(gòu)尺寸小。

一種變壓器及其制作方法和芯片技術(shù)方案

《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種變壓器的制作方法，所述變壓器包括初級(jí)線圈、次級(jí)線圈、第一初級(jí)調(diào)諧電容和第一次級(jí)調(diào)諧電容，所述方法包括：

將所述第一初級(jí)調(diào)諧電容和/或所述第一次級(jí)調(diào)諧電容排布在所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈所圍成的區(qū)域中；其中所述第一初級(jí)調(diào)諧電容包括一個(gè)以上的第二初級(jí)調(diào)諧電容，所述第一次級(jí)調(diào)諧電容包括一個(gè)以上的第二次級(jí)調(diào)諧電容；并聯(lián)連接一個(gè)以上的所述第二初級(jí)調(diào)諧電容，和并聯(lián)連接一個(gè)以上的所述第二次級(jí)調(diào)諧電容；一個(gè)以上的所述第二初級(jí)調(diào)諧電容及其連線、和/或一個(gè)以上的所述第二次級(jí)調(diào)諧電容及其之間的連線構(gòu)成一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)或一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)的其中一部分。

優(yōu)選地，所述將所述第一初級(jí)調(diào)諧電容和/或所述第一次級(jí)調(diào)諧電容排布在所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈所圍成的區(qū)域中，包括：

將所有的或部分的一個(gè)以上的所述第二初級(jí)調(diào)諧電容和/或一個(gè)以上的所述第二次級(jí)調(diào)諧電容排布在所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈所圍成的空白區(qū)域中或所述空白區(qū)域的正下方。

優(yōu)選地，所述變壓器包括片上無源變壓器或片上變壓器式巴倫。

優(yōu)選地，所述一個(gè)以上的所述第二初級(jí)調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等；

和/或，所述一個(gè)以上的所述第二次級(jí)調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等。

優(yōu)選地，所述方法還包括：

所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈采用同層金屬對(duì)稱互繞在同一塊襯底上，且金屬線之間交叉的地方采用上層金屬或下層金屬過渡。

一種變壓器，所述變壓器包括：初級(jí)線圈、次級(jí)線圈、第一初級(jí)調(diào)諧電容和第一次級(jí)調(diào)諧電容；其中，所述第一初級(jí)調(diào)諧電容包括并聯(lián)連接的一個(gè)以上的第二初級(jí)調(diào)諧電容，所述第一次級(jí)調(diào)諧電容包括并聯(lián)連接的一個(gè)以上的第二次級(jí)調(diào)諧電容；

所述第一初級(jí)調(diào)諧電容和/或所述第一次級(jí)調(diào)諧電容排布在所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈所圍成的區(qū)域中；且一個(gè)以上的所述第二初級(jí)調(diào)諧電容及其之間的連線、和/或一個(gè)以上的所述第二次級(jí)調(diào)諧電容及其之間的連線構(gòu)成一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)或一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)的其中一部分。

優(yōu)選地，所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈采用同層金屬對(duì)稱互繞在同一塊襯底上，且金屬線之間交叉的地方采用上層金屬或下層金屬過渡。

優(yōu)選地，所有的或部分的所述第二初級(jí)調(diào)諧電容、和/或所有的或部分的所述第二次級(jí)調(diào)諧電容排布在所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈所圍成的空白區(qū)域或所述空白區(qū)域的正下方的正下方。

優(yōu)選地，所述一個(gè)以上的所述第二初級(jí)調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等；

和/或，所述一個(gè)以上的所述第二次級(jí)調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等。

一種芯片，所述芯片包括上述任一項(xiàng)所述的變壓器。

一種變壓器及其制作方法和芯片改善效果

《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例一種變壓器及其制作方法和芯片，將所述第一初級(jí)調(diào)諧電容和/或所述第一次級(jí)調(diào)諧電容排布在所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈所圍成的區(qū)域中；其中所述第一初級(jí)調(diào)諧電容包括一個(gè)以上的第二初級(jí)調(diào)諧電容，所述第一次級(jí)調(diào)諧電容包括一個(gè)以上的第二次級(jí)調(diào)諧電容；并聯(lián)連接一個(gè)以上的所述第二初級(jí)調(diào)諧電容，和并聯(lián)連接一個(gè)以上的所述第二次級(jí)調(diào)諧電容；一個(gè)以上的所述第二初級(jí)調(diào)諧電容及其連線、和/或一個(gè)以上的所述第二次級(jí)調(diào)諧電容及其之間的連線構(gòu)成一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)或一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)的其中一部分；如此，能夠使變壓器具有高的Q值，而且結(jié)構(gòu)尺寸小。

圖1為相關(guān)技術(shù)中LC諧振電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例變壓器的制作方法的實(shí)現(xiàn)流程示意圖；

圖3-1為相關(guān)技術(shù)中匝數(shù)比為1:2的四端口變壓器電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-2為《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例圖3-1的版圖實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4-1為相關(guān)技術(shù)中匝數(shù)比為1:2的四端口頻率可調(diào)的變壓器式巴倫電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4-2為《一種變壓器及其制作方法和芯片》實(shí)施例圖4-1的一種版圖實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4-3是圖4-2中局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)去除調(diào)諧電容后的金屬互連線的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)示意圖。