自動感應耦合等離子體刻蝕機技術(shù)指標

1. 極限真空: 刻蝕室9.0×10-5 Pa (室內(nèi)濕度≤55%) 進樣取樣室6.0×10-1 Pa。2. 刻蝕材料: 主要GaN、Sapphire材料，其它Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4等。3. 刻蝕速率: 0.01~ 2μ/min（據(jù)不同材料與工藝而定）。4. 刻蝕均勻性: ≤±5％(φ150mm范圍內(nèi))。5. 電極尺寸: φ200mm。

離子體刻蝕。

刻蝕均勻性≤5％，金屬刻蝕對氧化物及硅選擇比≥3。

等離子刻蝕，是干法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講，等離子清洗實質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進行干式蝕刻工藝的設備包括反應室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應室。氣體被導入并與等離子體進行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應，反應的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。

諧振感應耦合概述

該過程發(fā)生在諧振變壓器中，該諧振變壓器是由纏繞在相同鐵芯上的高Q線圈組成的電氣部件，電容器連接在線圈兩端以形成耦合LC電路。

最基本的諧振電感耦合由初級側(cè)的一個驅(qū)動線圈和次級側(cè)的一個諧振電路組成。在這種情況下，當從初級側(cè)觀察次級側(cè)的諧振狀態(tài)時，觀察到兩對共振。其中之一就是所謂的反諧振頻率（并聯(lián)諧振頻率1），以及另一種是所謂的諧振頻率（串聯(lián)諧振頻率1' ）。所述的短路電感和次級線圈的諧振電容器被組合成的諧振電路。當初級線圈以次級側(cè)的諧振頻率（串聯(lián)諧振頻率）驅(qū)動時，初級線圈和次級線圈的磁場的相位被同步。其結(jié)果，在二次線圈中產(chǎn)生由于互感磁通的增加，并且所述初級線圈的銅損降低的最大電壓，發(fā)熱減少，效率相對提高。所述的諧振感應耦合是近場電能的無線傳輸磁耦合的線圈之間，這是一個的一部分諧振電路調(diào)諧到諧振以相同的頻率作為驅(qū)動頻率。

諧振感應耦合共振態(tài)的耦合系數(shù)

在變壓器中，只有部分通過初級線圈的電流產(chǎn)生的磁通耦合到次級線圈，反之亦然。耦合的部分稱為相互通量，不相耦合的部分稱為漏磁通。當系統(tǒng)不處于共振狀態(tài)，這將導致出現(xiàn)在次級小于由線圈的匝數(shù)比預測開路電壓。耦合程度由稱為耦合系數(shù)的參數(shù)捕獲。耦合系數(shù)k被定義為變壓器開路電壓比與從一個線圈耦合到另一個線圈的所有磁通量所得到的比率之比。k的值介于0和±1之間。每個線圈電感可以概念上以比例k和（1-k）分成兩部分。這些分別是產(chǎn)生相互磁通的電感和產(chǎn)生漏磁通的電感。

耦合系數(shù)是系統(tǒng)幾何結(jié)構(gòu)的函數(shù)。它由兩個線圈之間的位置關系固定。在系統(tǒng)處于共振狀態(tài)和不處于共振狀態(tài)時，或者即使系統(tǒng)處于共振狀態(tài)并且產(chǎn)生大于匝數(shù)比的次級電壓時，耦合系數(shù)也不會改變。

據(jù)說諧振系統(tǒng)是緊耦合的，松耦合的，臨界耦合的或過耦合的。如傳統(tǒng)鐵芯變壓器一樣，緊耦合是耦合系數(shù)大約為1時。過耦合是次級線圈如此接近并且互通量的形成受到反共振的影響而受到阻礙，并且當通帶中的轉(zhuǎn)移是最佳時臨界耦合是。松散耦合是指線圈彼此遠離時，大部分通量都會漏過輔助線圈。在特斯拉線圈中使用0.2左右，并且在更遠的距離上，例如感應無線電力傳輸，它可能低于0.01。2100433B