2.5kA/1.2kV兩單元IGBT模塊
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4.6
介紹一種工業(yè)用2.5kA/1.2kV兩單元IGBT模塊。在該大電流器件中,P端到N端的內(nèi)部連線電感非常小。半導體硅片的巧妙布局有效地提高了模塊的散熱能力,采用鋁底板直接連接絕緣基板來提高熱循環(huán)能力。對于這種底板面積較大的器件,為了獲得更好的底板和散熱片之間的熱接觸,底板被分成幾段。2.5kA/1.2kV兩單元IGBT模塊的封裝同樣適用于1.8kA/1.7V兩單元IGBT模塊。
25kA12kV兩單元IGBT模塊
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大?。?span id="42qmumg" class="single-tag-height" data-v-09d85783>1.2MB
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25kA12kV兩單元IGBT模塊
3.3kV IGBT模塊驅動設計分析
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大?。?span id="icgygoc" class="single-tag-height" data-v-09d85783>1.2MB
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英飛凌公司生產(chǎn)的3.3kvigbt模塊已被客戶廣泛使用,其驅動電路的設計在許多方面都有別于1.7kv和1.2kvigbt模塊,文章對該驅動電路的設計細節(jié)進行分析,以助于更好地應用該款igbt模塊。
IR發(fā)布低溫高速隔離式IGBT模塊
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4.4
國際整流器公司推出全新mtp隔離式開關模塊系列,專為大電流工業(yè)電源而設計,適用于高頻弧焊機及不間斷電源。它以氮化鋁陶瓷層進行絕緣,在結點與外殼間發(fā)揮更佳導熱性能。該絕緣層的熱傳導性(冷卻能力)比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600v和1200v,把高速igbt和優(yōu)化的二極管結合在同一封裝內(nèi),有助于節(jié)省空間和降低組裝成本,可取代分立式解決方案。在該系列器件中,50mt060uls是一款全絕緣低側斬波模塊,內(nèi)含一個ir超快igbt和一個具超軟逆恢復電流特性的hexfred二極管;50mtobowh是一款全絕緣半橋式模式,雙igbt設計可有效控制功率耗散和電流分配。此外,ir還提供兩款1200vmtp開關模塊:全絕緣的20mt120uf全橋式及40mt120uh半橋式模塊。它們可直接連接到大多數(shù)三相系統(tǒng)的直流總線。
大功率IGBT模塊串聯(lián)動態(tài)均壓的研究
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4.7
絕緣柵雙極型晶體管igbt(insulatedgatebipolartransistor)的串聯(lián)使用是一種較為有效的提高耐壓的方法。作為電感儲能型脈沖功率系統(tǒng)中的主斷路開關,igbt串聯(lián)組合會在開關的動作瞬間在各串聯(lián)模塊兩端出現(xiàn)動態(tài)不均壓的現(xiàn)象。工程應用中,各串聯(lián)igbt柵極驅動信號的不同步是導致動態(tài)不均壓的主要原因。文中分別從負載側被動均壓和柵極側主動均壓對驅動信號的同步性補償作用進行了理論分析和實驗驗證,結果表明均可以達到很好的動態(tài)均壓效果。在此基礎上提出利用阻容二極管有源均壓法實現(xiàn)多個igbt模塊的串聯(lián)應用,仿真驗證了該方法在3個igbt串聯(lián)應用中的可行性。對工程實際應用具有一定的參考意義。
用于IGBT模塊熱界面的金屬軟合金
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4.5
美國銦公司為infineonyectmologiesag專門設計了用于primepackigbt模塊的heat-spring金屬熱界面材料。heat-spring是柔軟的金屬銦粗加工產(chǎn)品,可壓縮、可用于不規(guī)則的安裝表面、不含硅樹脂、無需脫氣、無需pump-out,可與熱油脂和其他粘性材料同時使用。
IGBT模塊的檢測方法
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4.6
測試方法(晶川):萬用表只能測量不全面:若igbt損壞一般可以測 出;但是若igbt是好的,它無法肯定是好的。 igbt損壞:ge,eg,ce,gc,cg任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù),即損壞。 (ge表示g接正表筆,e接負表筆;其他雷同) igbt的ec之間接有二極管,所以為導通態(tài),電壓為0.34v左右。 若想完整測試igbt需要用晶體管圖示儀。 igbt損壞:ge,eg,ce,gc,cg任意一組出現(xiàn)電阻檔有讀數(shù),即損壞。(ge 表示g接正表筆,e接負表筆;其他雷同) 新igbt 紅表筆-黑表筆電阻檔二極管檔 1-2無窮大斷路 2-1無窮大斷路 4-3無窮大斷路 3-4無窮大斷路 8-10無窮大斷路 10-80.447mω0.324 9-8無窮大斷路 8-90.448mω0.324 5-4無窮大斷路 4-5無窮
低溫高速隔離式IGBT模塊
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大?。?span id="7f2lehw" class="single-tag-height" data-v-09d85783>58KB
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4.3
低溫高速隔離式IGBT模塊
大功率IGBT模塊并聯(lián)使用中動靜態(tài)均流特性研究
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4.7
介紹了igbt擴容的并聯(lián)方法,分析了igbt模塊并聯(lián)運行時導致不均流的各種因素,提出了相應的解決措施,仿真分析結果證明了柵極電阻補償方法的有效性。
單元、模塊標準化設計
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4.6
單元、模塊作為一種工藝措施,目的在于通過完成生產(chǎn)過程的條件,減少舾裝件及它們在船上相互連接的工作量,使安裝工作更趨完善化。利用施工場地的變化,減少船臺(船塢)的舾裝工作量,分散制作加快船舶舾裝施工進度,提高了施工質量,安全生產(chǎn)有了保障,保證文明生產(chǎn)的實施,降低成本。可以與船體平行或提前建造,保證了船臺(船塢)舾裝施工的完整性提供了有力的支持,縮短了船臺(船塢)舾裝周期。
對船舶舾裝單元模塊建造研究
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4.7
隨著我國經(jīng)濟的發(fā)展,我國的造船業(yè)突飛猛進,已經(jīng)進入船產(chǎn)業(yè)的第四階段,殼舾涂階段,這一階段代表著我國的造船業(yè)已經(jīng)步入國際先進的水平。我國造船技術已經(jīng)不滿足于第四階段,還正向第五階段發(fā)展:設計制造一體化邁進,本文就是對船舶制造設計一體化也就是單元化模塊建設提出一點寶貴的建議。
船舶舾裝單元模塊建造研究
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4.7
介紹船舶舾裝單元模塊建造技術,分析我國船舶舾裝單元模塊建造的現(xiàn)狀,為推進模塊化造船技術的發(fā)展,提出建議。
淺析上建模塊單元托盤設計
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4.4
傳統(tǒng)的造船模式已經(jīng)制約了我國造船工業(yè)的發(fā)展,先進的造船設施只有在先進的造船管理模下才能形成巨大的造船生產(chǎn)力,當前世界先進造船節(jié)奏的加快很大程度取決于單元托盤化的先進程度。單元托盤在船舶建造過程中占有重要地位,對縮短建造周期、提高產(chǎn)品質量、降低建造成本起著關鍵作用。在船舶建造過程中積極推進設計單元托盤化和工程管理單元托盤化,即以單元托盤為單位進行生產(chǎn)設計,組織生產(chǎn)、物資采購、集配和進行生產(chǎn)成本核算是我們追求的目標,也是現(xiàn)代造船模式的一個重要組成部分,是一項具有極大發(fā)展前景的先進技術。其設計理念就是工序前移,把以前在分段中組階段才能在分段上安裝的設備、管子、鐵舾件、電氣鐵舾件等提前到車間里或者一定的平臺按照劃分的單元托盤進行組裝,之后在進行區(qū)域組合安裝。即將以前串聯(lián)有序的工作,改變成并聯(lián)同步進行的工作,就可以很大程度上縮短勞動時間,提高生產(chǎn)進度。
大功率IGBT模塊變流器用水冷散熱器介紹
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4.7
實用標準 文案大全 大功率igbt模塊變流器用水冷散熱器介紹 水冷散熱器服務對象: ?各類型igbt模塊、晶閘管是在變頻、變流領域的實現(xiàn)變頻、變流功能的核心元器件。 ?水冷散熱器主要功能是對各類igbt變頻器型igbt模塊、晶閘管、以及部分電阻進行 水冷散熱保護。 為何需要散熱? ?單個大功率igbt模塊、晶閘管在工作中發(fā)熱量最大可達到2kw以上。 ?igbt中核心溫度在達到150°(新型180°)時將被燒毀,甚至爆炸。 ?必要對功率元件進行散熱保護! 工業(yè)運用中的散熱方式: 實用標準 文案大全 各種散熱形式效能比較: 基于對流換熱系數(shù)的不同散熱方案效果比較: 冷板工藝與分類介紹: 水冷板常用加工工藝分類: 實用標準 文案大全 ?埋管式 工藝: —折彎銅管或不銹鋼管 —鑄造工藝將水管埋入 —cnc外型加工 特點: —工藝簡單 —批量生產(chǎn)低成本 —性能低下
一種IGBT專用驅動電源模塊的設計方案
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4.4
介紹了一款針對igbt的使用特點而設計的開關電源,專為igbt驅動芯片供電。重點分析了igbt工作的特點,及對供電電源的特殊要求,以及如何設計一款適用于igbt工作系統(tǒng)的電源模塊,并給出了實測參數(shù)。
IR推出運行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊
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4.6
IR推出運行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊
一種適用于大功率IGBT模塊串聯(lián)工作的新型驅動電路
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4.7
介紹了一種基于igd515ei構成的igbt串聯(lián)應用的驅動電路,能夠提供最大15a的驅動電流,采用光纖傳輸控制信號,解決了所有與mosfet和igbt有關的驅動、保護和電位隔離問題。應用結果表明,該驅動電路使用簡單、可靠,具有優(yōu)良的驅動和保護性能,尤其是其聯(lián)合運用端口的設計非常適用于igbt的串聯(lián)使用。采用串聯(lián)igbt作為剛管調(diào)制器的放電開關,解決了單只igbt耐壓不夠的問題。文中還介紹了igbt柵極驅動電路和igbt電壓均衡電路的設計方法,并給出調(diào)制器的輸出波形。
電路和器件對IGBT模塊并聯(lián)運行的影響
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4.5
正確地確定靜態(tài)和動態(tài)運行的降額因子,保證了icbt模塊并聯(lián)的可靠運行。
焊接工藝對IGBT模塊焊接空洞率的影響
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4.6
焊接是絕緣柵雙極晶體管igbt模塊封裝中最關鍵的工藝,焊接質量直接影響到igbt模塊的可靠性和使用壽命。文中研究了焊接工藝對igbt模塊焊接空洞率的影響。結果發(fā)現(xiàn),真空焊接能夠大量減少空洞率和空洞數(shù)量;在同一焊接溫度時,增加抽真空的操作可以降低空洞率;在相同的抽真空時間下,增加抽真空次數(shù)的空洞率下降效果明顯比單純延長抽真空時間要好。另外,提高焊接溫度也可以降低焊接空洞率,但是高于一定溫度后下降趨勢就會變緩,所以選擇焊接溫度時還應考慮其他因素的限制。該研究結果對提高igbt模塊的焊接質量具有一定的參考意義。
SiPESC.FEMS的單元計算模塊設計模式
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4.5
基于開放式結構有限元軟件系統(tǒng)sipesc.fems,針對面向對象有限元研發(fā)過程中不同類型單元的計算特點和要求,采用工廠模式和構造器模式等軟件設計模式,提出有限元單元計算的統(tǒng)一構建設計模式.該設計模式具備良好的可擴展性和可重用性.給出單元計算模塊中各對象的統(tǒng)一接口及單元插件的定義方法.通過不同單元類型的計算實例展示該模塊在面向對象有限元研發(fā)中的實用性和靈活性.
IGBT并聯(lián)技術詳解
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4.4
igbt并聯(lián)技術技術詳解 igbt并聯(lián)均流問題 影響靜態(tài)均流的因素 1、并聯(lián)igbt的直流母線側連接點的電阻分量,因此需要盡量對稱; 2、igbt芯片的vce(sat)和二極管芯片的vf的差異,因此盡量采取同一批次的產(chǎn)品。 3、igbt模塊所處的溫度差異,設計機械結構及風道時需要考慮; 4、igbt模塊所處的磁場差異; 5、柵極電壓vge的差異。 影響動態(tài)均流的因素 1、igbt模塊的開通門檻電壓vgeth的差異,vgeth越高,igbt開通時刻越晚, 不同模塊會有差異; 2、每個并聯(lián)的igbt模塊的直流母線雜散電感l(wèi)的差異; 3、門極電壓vge的差異; 4、門極回路中的雜散電感量的差異; 5、igbt模塊所處溫度的差異; 6、igbt模塊所處的磁場的差異。 igbt芯片溫度對均流的影響 igbt芯片的溫度對于動態(tài)均
模塊式鋼結構吊裝單元地面拼裝技術
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4.3
北京奧林匹克公園瞭望塔屬柔性超高層鋼結構建筑,高度達248m,結構形式復雜,構件數(shù)量多;經(jīng)拼裝方案比選,確定了塔身筒體地面拼裝模塊式吊裝單元體,塔冠地面拼裝樹枝狀吊裝單元鋼結構拼裝技術,減少了高處作業(yè)工作量,節(jié)省了高處吊次,縮短了工期,確保了工程質量和安全,為類似工程施工積累了寶貴經(jīng)驗。
語音識別基本知識及單元模塊方案設計
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4.7
語音識別是以語音為研究對象,通過語音信號處理和模式識別讓機器自動識別和理解人類口 述的語言。語音識別技術就是讓機器通過識別和理解過程把語音信號轉變?yōu)橄鄳奈谋净蛎?令的高技術。語音識別是一門涉及面很廣的交叉學科,它與聲學、語音學、語言學、信息理 論、模式識別理論以及神經(jīng)生物學等學科都有非常密切的關系。語音識別技術正逐步成為計 算機信息處理技術中的關鍵技術,語音技術的應用已經(jīng)成為一個具有競爭性的新興高技術產(chǎn) 業(yè)。 1語音識別的基本原理 語音識別系統(tǒng)本質上是一種模式識別系統(tǒng),包括特征提取、模式匹配、參考模式庫等三個基 本單元,它的基本結構如下圖所示: 未知語音經(jīng)過話筒變換成電信號后加在識別系統(tǒng)的輸入端,首先經(jīng)過預處理,再根據(jù)人的語 音特點建立語音模型,對輸入的語音信號進行分析,并抽取所需的特征,在此基礎上建立語 音識別所需的模板。而計算機在識別過程中要根據(jù)語音識別的模
船舶機艙區(qū)域單元模塊化設計的研究
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4.5
機艙區(qū)域實行單元模塊化預裝是造船企業(yè)提高生產(chǎn)效率,縮短造船周期,推進現(xiàn)代化造船模式的重要手段之一,文章對機艙單元模塊化的設計進行了詳細的介紹和探討。
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職位:資深建筑設計師
擅長專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林