2.5kA/1.2kV兩單元IGBT模塊
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4.6
介紹一種工業(yè)用2.5kA/1.2kV兩單元IGBT模塊。在該大電流器件中,P端到N端的內(nèi)部連線電感非常小。半導(dǎo)體硅片的巧妙布局有效地提高了模塊的散熱能力,采用鋁底板直接連接絕緣基板來(lái)提高熱循環(huán)能力。對(duì)于這種底板面積較大的器件,為了獲得更好的底板和散熱片之間的熱接觸,底板被分成幾段。2.5kA/1.2kV兩單元IGBT模塊的封裝同樣適用于1.8kA/1.7V兩單元IGBT模塊。
25kA12kV兩單元IGBT模塊
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25kA12kV兩單元IGBT模塊
3.3kV IGBT模塊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)分析
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英飛凌公司生產(chǎn)的3.3kvigbt模塊已被客戶廣泛使用,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)在許多方面都有別于1.7kv和1.2kvigbt模塊,文章對(duì)該驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)進(jìn)行分析,以助于更好地應(yīng)用該款igbt模塊。
IR發(fā)布低溫高速隔離式IGBT模塊
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4.4
國(guó)際整流器公司推出全新mtp隔離式開(kāi)關(guān)模塊系列,專為大電流工業(yè)電源而設(shè)計(jì),適用于高頻弧焊機(jī)及不間斷電源。它以氮化鋁陶瓷層進(jìn)行絕緣,在結(jié)點(diǎn)與外殼間發(fā)揮更佳導(dǎo)熱性能。該絕緣層的熱傳導(dǎo)性(冷卻能力)比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600v和1200v,把高速igbt和優(yōu)化的二極管結(jié)合在同一封裝內(nèi),有助于節(jié)省空間和降低組裝成本,可取代分立式解決方案。在該系列器件中,50mt060uls是一款全絕緣低側(cè)斬波模塊,內(nèi)含一個(gè)ir超快igbt和一個(gè)具超軟逆恢復(fù)電流特性的hexfred二極管;50mtobowh是一款全絕緣半橋式模式,雙igbt設(shè)計(jì)可有效控制功率耗散和電流分配。此外,ir還提供兩款1200vmtp開(kāi)關(guān)模塊:全絕緣的20mt120uf全橋式及40mt120uh半橋式模塊。它們可直接連接到大多數(shù)三相系統(tǒng)的直流總線。
大功率IGBT模塊串聯(lián)動(dòng)態(tài)均壓的研究
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4.7
絕緣柵雙極型晶體管igbt(insulatedgatebipolartransistor)的串聯(lián)使用是一種較為有效的提高耐壓的方法。作為電感儲(chǔ)能型脈沖功率系統(tǒng)中的主斷路開(kāi)關(guān),igbt串聯(lián)組合會(huì)在開(kāi)關(guān)的動(dòng)作瞬間在各串聯(lián)模塊兩端出現(xiàn)動(dòng)態(tài)不均壓的現(xiàn)象。工程應(yīng)用中,各串聯(lián)igbt柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的不同步是導(dǎo)致動(dòng)態(tài)不均壓的主要原因。文中分別從負(fù)載側(cè)被動(dòng)均壓和柵極側(cè)主動(dòng)均壓對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的同步性補(bǔ)償作用進(jìn)行了理論分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,結(jié)果表明均可以達(dá)到很好的動(dòng)態(tài)均壓效果。在此基礎(chǔ)上提出利用阻容二極管有源均壓法實(shí)現(xiàn)多個(gè)igbt模塊的串聯(lián)應(yīng)用,仿真驗(yàn)證了該方法在3個(gè)igbt串聯(lián)應(yīng)用中的可行性。對(duì)工程實(shí)際應(yīng)用具有一定的參考意義。
用于IGBT模塊熱界面的金屬軟合金
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4.5
美國(guó)銦公司為infineonyectmologiesag專門(mén)設(shè)計(jì)了用于primepackigbt模塊的heat-spring金屬熱界面材料。heat-spring是柔軟的金屬銦粗加工產(chǎn)品,可壓縮、可用于不規(guī)則的安裝表面、不含硅樹(shù)脂、無(wú)需脫氣、無(wú)需pump-out,可與熱油脂和其他粘性材料同時(shí)使用。
IGBT模塊的檢測(cè)方法
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4.6
測(cè)試方法(晶川):萬(wàn)用表只能測(cè)量不全面:若igbt損壞一般可以測(cè) 出;但是若igbt是好的,它無(wú)法肯定是好的。 igbt損壞:ge,eg,ce,gc,cg任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù),即損壞。 (ge表示g接正表筆,e接負(fù)表筆;其他雷同) igbt的ec之間接有二極管,所以為導(dǎo)通態(tài),電壓為0.34v左右。 若想完整測(cè)試igbt需要用晶體管圖示儀。 igbt損壞:ge,eg,ce,gc,cg任意一組出現(xiàn)電阻檔有讀數(shù),即損壞。(ge 表示g接正表筆,e接負(fù)表筆;其他雷同) 新igbt 紅表筆-黑表筆電阻檔二極管檔 1-2無(wú)窮大斷路 2-1無(wú)窮大斷路 4-3無(wú)窮大斷路 3-4無(wú)窮大斷路 8-10無(wú)窮大斷路 10-80.447mω0.324 9-8無(wú)窮大斷路 8-90.448mω0.324 5-4無(wú)窮大斷路 4-5無(wú)窮
大功率IGBT模塊并聯(lián)使用中動(dòng)靜態(tài)均流特性研究
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4.7
介紹了igbt擴(kuò)容的并聯(lián)方法,分析了igbt模塊并聯(lián)運(yùn)行時(shí)導(dǎo)致不均流的各種因素,提出了相應(yīng)的解決措施,仿真分析結(jié)果證明了柵極電阻補(bǔ)償方法的有效性。
單元、模塊標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)
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4.6
單元、模塊作為一種工藝措施,目的在于通過(guò)完成生產(chǎn)過(guò)程的條件,減少舾裝件及它們?cè)诖舷嗷ミB接的工作量,使安裝工作更趨完善化。利用施工場(chǎng)地的變化,減少船臺(tái)(船塢)的舾裝工作量,分散制作加快船舶舾裝施工進(jìn)度,提高了施工質(zhì)量,安全生產(chǎn)有了保障,保證文明生產(chǎn)的實(shí)施,降低成本??梢耘c船體平行或提前建造,保證了船臺(tái)(船塢)舾裝施工的完整性提供了有力的支持,縮短了船臺(tái)(船塢)舾裝周期。
對(duì)船舶舾裝單元模塊建造研究
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4.7
隨著我國(guó)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,我國(guó)的造船業(yè)突飛猛進(jìn),已經(jīng)進(jìn)入船產(chǎn)業(yè)的第四階段,殼舾涂階段,這一階段代表著我國(guó)的造船業(yè)已經(jīng)步入國(guó)際先進(jìn)的水平。我國(guó)造船技術(shù)已經(jīng)不滿足于第四階段,還正向第五階段發(fā)展:設(shè)計(jì)制造一體化邁進(jìn),本文就是對(duì)船舶制造設(shè)計(jì)一體化也就是單元化模塊建設(shè)提出一點(diǎn)寶貴的建議。
船舶舾裝單元模塊建造研究
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4.7
介紹船舶舾裝單元模塊建造技術(shù),分析我國(guó)船舶舾裝單元模塊建造的現(xiàn)狀,為推進(jìn)模塊化造船技術(shù)的發(fā)展,提出建議。
淺析上建模塊單元托盤(pán)設(shè)計(jì)
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4.4
傳統(tǒng)的造船模式已經(jīng)制約了我國(guó)造船工業(yè)的發(fā)展,先進(jìn)的造船設(shè)施只有在先進(jìn)的造船管理模下才能形成巨大的造船生產(chǎn)力,當(dāng)前世界先進(jìn)造船節(jié)奏的加快很大程度取決于單元托盤(pán)化的先進(jìn)程度。單元托盤(pán)在船舶建造過(guò)程中占有重要地位,對(duì)縮短建造周期、提高產(chǎn)品質(zhì)量、降低建造成本起著關(guān)鍵作用。在船舶建造過(guò)程中積極推進(jìn)設(shè)計(jì)單元托盤(pán)化和工程管理單元托盤(pán)化,即以單元托盤(pán)為單位進(jìn)行生產(chǎn)設(shè)計(jì),組織生產(chǎn)、物資采購(gòu)、集配和進(jìn)行生產(chǎn)成本核算是我們追求的目標(biāo),也是現(xiàn)代造船模式的一個(gè)重要組成部分,是一項(xiàng)具有極大發(fā)展前景的先進(jìn)技術(shù)。其設(shè)計(jì)理念就是工序前移,把以前在分段中組階段才能在分段上安裝的設(shè)備、管子、鐵舾件、電氣鐵舾件等提前到車間里或者一定的平臺(tái)按照劃分的單元托盤(pán)進(jìn)行組裝,之后在進(jìn)行區(qū)域組合安裝。即將以前串聯(lián)有序的工作,改變成并聯(lián)同步進(jìn)行的工作,就可以很大程度上縮短勞動(dòng)時(shí)間,提高生產(chǎn)進(jìn)度。
大功率IGBT模塊變流器用水冷散熱器介紹
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4.7
實(shí)用標(biāo)準(zhǔn) 文案大全 大功率igbt模塊變流器用水冷散熱器介紹 水冷散熱器服務(wù)對(duì)象: ?各類型igbt模塊、晶閘管是在變頻、變流領(lǐng)域的實(shí)現(xiàn)變頻、變流功能的核心元器件。 ?水冷散熱器主要功能是對(duì)各類igbt變頻器型igbt模塊、晶閘管、以及部分電阻進(jìn)行 水冷散熱保護(hù)。 為何需要散熱? ?單個(gè)大功率igbt模塊、晶閘管在工作中發(fā)熱量最大可達(dá)到2kw以上。 ?igbt中核心溫度在達(dá)到150°(新型180°)時(shí)將被燒毀,甚至爆炸。 ?必要對(duì)功率元件進(jìn)行散熱保護(hù)! 工業(yè)運(yùn)用中的散熱方式: 實(shí)用標(biāo)準(zhǔn) 文案大全 各種散熱形式效能比較: 基于對(duì)流換熱系數(shù)的不同散熱方案效果比較: 冷板工藝與分類介紹: 水冷板常用加工工藝分類: 實(shí)用標(biāo)準(zhǔn) 文案大全 ?埋管式 工藝: —折彎銅管或不銹鋼管 —鑄造工藝將水管埋入 —cnc外型加工 特點(diǎn): —工藝簡(jiǎn)單 —批量生產(chǎn)低成本 —性能低下
一種IGBT專用驅(qū)動(dòng)電源模塊的設(shè)計(jì)方案
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4.4
介紹了一款針對(duì)igbt的使用特點(diǎn)而設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)電源,專為igbt驅(qū)動(dòng)芯片供電。重點(diǎn)分析了igbt工作的特點(diǎn),及對(duì)供電電源的特殊要求,以及如何設(shè)計(jì)一款適用于igbt工作系統(tǒng)的電源模塊,并給出了實(shí)測(cè)參數(shù)。
IR推出運(yùn)行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊
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4.6
IR推出運(yùn)行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊
一種適用于大功率IGBT模塊串聯(lián)工作的新型驅(qū)動(dòng)電路
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4.7
介紹了一種基于igd515ei構(gòu)成的igbt串聯(lián)應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)電路,能夠提供最大15a的驅(qū)動(dòng)電流,采用光纖傳輸控制信號(hào),解決了所有與mosfet和igbt有關(guān)的驅(qū)動(dòng)、保護(hù)和電位隔離問(wèn)題。應(yīng)用結(jié)果表明,該驅(qū)動(dòng)電路使用簡(jiǎn)單、可靠,具有優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)性能,尤其是其聯(lián)合運(yùn)用端口的設(shè)計(jì)非常適用于igbt的串聯(lián)使用。采用串聯(lián)igbt作為剛管調(diào)制器的放電開(kāi)關(guān),解決了單只igbt耐壓不夠的問(wèn)題。文中還介紹了igbt柵極驅(qū)動(dòng)電路和igbt電壓均衡電路的設(shè)計(jì)方法,并給出調(diào)制器的輸出波形。
電路和器件對(duì)IGBT模塊并聯(lián)運(yùn)行的影響
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4.5
正確地確定靜態(tài)和動(dòng)態(tài)運(yùn)行的降額因子,保證了icbt模塊并聯(lián)的可靠運(yùn)行。
焊接工藝對(duì)IGBT模塊焊接空洞率的影響
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4.6
焊接是絕緣柵雙極晶體管igbt模塊封裝中最關(guān)鍵的工藝,焊接質(zhì)量直接影響到igbt模塊的可靠性和使用壽命。文中研究了焊接工藝對(duì)igbt模塊焊接空洞率的影響。結(jié)果發(fā)現(xiàn),真空焊接能夠大量減少空洞率和空洞數(shù)量;在同一焊接溫度時(shí),增加抽真空的操作可以降低空洞率;在相同的抽真空時(shí)間下,增加抽真空次數(shù)的空洞率下降效果明顯比單純延長(zhǎng)抽真空時(shí)間要好。另外,提高焊接溫度也可以降低焊接空洞率,但是高于一定溫度后下降趨勢(shì)就會(huì)變緩,所以選擇焊接溫度時(shí)還應(yīng)考慮其他因素的限制。該研究結(jié)果對(duì)提高igbt模塊的焊接質(zhì)量具有一定的參考意義。
SiPESC.FEMS的單元計(jì)算模塊設(shè)計(jì)模式
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4.5
基于開(kāi)放式結(jié)構(gòu)有限元軟件系統(tǒng)sipesc.fems,針對(duì)面向?qū)ο笥邢拊邪l(fā)過(guò)程中不同類型單元的計(jì)算特點(diǎn)和要求,采用工廠模式和構(gòu)造器模式等軟件設(shè)計(jì)模式,提出有限元單元計(jì)算的統(tǒng)一構(gòu)建設(shè)計(jì)模式.該設(shè)計(jì)模式具備良好的可擴(kuò)展性和可重用性.給出單元計(jì)算模塊中各對(duì)象的統(tǒng)一接口及單元插件的定義方法.通過(guò)不同單元類型的計(jì)算實(shí)例展示該模塊在面向?qū)ο笥邢拊邪l(fā)中的實(shí)用性和靈活性.
IGBT并聯(lián)技術(shù)詳解
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4.4
igbt并聯(lián)技術(shù)技術(shù)詳解 igbt并聯(lián)均流問(wèn)題 影響靜態(tài)均流的因素 1、并聯(lián)igbt的直流母線側(cè)連接點(diǎn)的電阻分量,因此需要盡量對(duì)稱; 2、igbt芯片的vce(sat)和二極管芯片的vf的差異,因此盡量采取同一批次的產(chǎn)品。 3、igbt模塊所處的溫度差異,設(shè)計(jì)機(jī)械結(jié)構(gòu)及風(fēng)道時(shí)需要考慮; 4、igbt模塊所處的磁場(chǎng)差異; 5、柵極電壓vge的差異。 影響動(dòng)態(tài)均流的因素 1、igbt模塊的開(kāi)通門(mén)檻電壓vgeth的差異,vgeth越高,igbt開(kāi)通時(shí)刻越晚, 不同模塊會(huì)有差異; 2、每個(gè)并聯(lián)的igbt模塊的直流母線雜散電感l(wèi)的差異; 3、門(mén)極電壓vge的差異; 4、門(mén)極回路中的雜散電感量的差異; 5、igbt模塊所處溫度的差異; 6、igbt模塊所處的磁場(chǎng)的差異。 igbt芯片溫度對(duì)均流的影響 igbt芯片的溫度對(duì)于動(dòng)態(tài)均
自動(dòng)化倉(cāng)庫(kù)模塊化單元式貨架的優(yōu)化設(shè)計(jì)
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4.6
自動(dòng)化倉(cāng)庫(kù)模塊化單元式貨架的優(yōu)化設(shè)計(jì)
模塊式鋼結(jié)構(gòu)吊裝單元地面拼裝技術(shù)
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4.3
北京奧林匹克公園瞭望塔屬柔性超高層鋼結(jié)構(gòu)建筑,高度達(dá)248m,結(jié)構(gòu)形式復(fù)雜,構(gòu)件數(shù)量多;經(jīng)拼裝方案比選,確定了塔身筒體地面拼裝模塊式吊裝單元體,塔冠地面拼裝樹(shù)枝狀吊裝單元鋼結(jié)構(gòu)拼裝技術(shù),減少了高處作業(yè)工作量,節(jié)省了高處吊次,縮短了工期,確保了工程質(zhì)量和安全,為類似工程施工積累了寶貴經(jīng)驗(yàn)。
語(yǔ)音識(shí)別基本知識(shí)及單元模塊方案設(shè)計(jì)
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4.7
語(yǔ)音識(shí)別是以語(yǔ)音為研究對(duì)象,通過(guò)語(yǔ)音信號(hào)處理和模式識(shí)別讓機(jī)器自動(dòng)識(shí)別和理解人類口 述的語(yǔ)言。語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)就是讓機(jī)器通過(guò)識(shí)別和理解過(guò)程把語(yǔ)音信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)橄鄳?yīng)的文本或命 令的高技術(shù)。語(yǔ)音識(shí)別是一門(mén)涉及面很廣的交叉學(xué)科,它與聲學(xué)、語(yǔ)音學(xué)、語(yǔ)言學(xué)、信息理 論、模式識(shí)別理論以及神經(jīng)生物學(xué)等學(xué)科都有非常密切的關(guān)系。語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)正逐步成為計(jì) 算機(jī)信息處理技術(shù)中的關(guān)鍵技術(shù),語(yǔ)音技術(shù)的應(yīng)用已經(jīng)成為一個(gè)具有競(jìng)爭(zhēng)性的新興高技術(shù)產(chǎn) 業(yè)。 1語(yǔ)音識(shí)別的基本原理 語(yǔ)音識(shí)別系統(tǒng)本質(zhì)上是一種模式識(shí)別系統(tǒng),包括特征提取、模式匹配、參考模式庫(kù)等三個(gè)基 本單元,它的基本結(jié)構(gòu)如下圖所示: 未知語(yǔ)音經(jīng)過(guò)話筒變換成電信號(hào)后加在識(shí)別系統(tǒng)的輸入端,首先經(jīng)過(guò)預(yù)處理,再根據(jù)人的語(yǔ) 音特點(diǎn)建立語(yǔ)音模型,對(duì)輸入的語(yǔ)音信號(hào)進(jìn)行分析,并抽取所需的特征,在此基礎(chǔ)上建立語(yǔ) 音識(shí)別所需的模板。而計(jì)算機(jī)在識(shí)別過(guò)程中要根據(jù)語(yǔ)音識(shí)別的模
船舶機(jī)艙區(qū)域單元模塊化設(shè)計(jì)的研究
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4.5
機(jī)艙區(qū)域?qū)嵭袉卧K化預(yù)裝是造船企業(yè)提高生產(chǎn)效率,縮短造船周期,推進(jìn)現(xiàn)代化造船模式的重要手段之一,文章對(duì)機(jī)艙單元模塊化的設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)的介紹和探討。
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職位:資深建筑設(shè)計(jì)師
擅長(zhǎng)專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林