IGBT吸收電容

IGBT吸收電容具有雙面金屬化薄膜、無感結(jié)構(gòu)、低等效串聯(lián)電感，可承受較高的du/dt 能承受高脈沖電，ESR小，具有自愈性。

IGBT吸收電容基本信息

中文名稱 IGBT吸收電容 溫度范圍 -40°C~85°C
額定容量 0.0047μF~10μF 額定電壓 700V.DC~3000V.DC

廣泛變頻器、SVG、混合動力車、逆變焊機、太陽能/風(fēng)力發(fā)電變流器等行業(yè)的“across-the-bus”功率線路設(shè)計，適用所有IGBT模塊區(qū)域尖峰電壓的吸收保護

IGBT吸收電容造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
（除稅）		 工程建議價
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報價日期
智能電容 MJDTL-30GB/14 查看價格 查看價格

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材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價		 含稅
信息價		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
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十個 韶關(guān)市2008年12月信息價
材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
（元）		 供應(yīng)商 報價地區(qū) 最新報價時間
臭氧發(fā)生器IGBT電容 DcmC392M500DF2FS|144.0個 1 查看價格 中建普聯(lián)    2014-04-10
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補償電容 飛牌補償電容CP 12UF|5625支 4 查看價格 重慶世邦五交化有限公司 重慶  重慶市 2015-11-04
補償電容 飛牌補償電容CP 18UF|9165支 4 查看價格 重慶世邦五交化有限公司 重慶  重慶市 2015-07-23
補償電容 SS-CAP6 18UF補償電容|5606只 4 查看價格 重慶世邦五交化有限公司 重慶  重慶市 2015-03-29

額定電壓 ? 700V.DC~3000V.DC ?

額定容量 ? 0.0047μF~10μF ?

溫度范圍 ? -40°C~85°C ?

容量偏差 ? ±5%, ±10% ?

極間耐電壓 ? 2Ur(DC) 10s 25±5℃ ?

極殼耐電壓 ? 3000V 50Hz 60S, 25±5℃ ?

損耗角正切 ? Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4，Cr＞1.0μF tgδ≤6×10-4 ?

絕緣電阻 ? C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S ?

預(yù)期壽命 ? 100000h at Ur and 70℃ ?

雙面金屬化薄膜、無感結(jié)構(gòu)、低等效串聯(lián)電感、可承受較高的du/dt 能承受高脈沖電，ESR小，具有自愈性等。

IGBT吸收電容常見問題

  • 吸收電容應(yīng)該怎么選才好？

    通常，應(yīng)該如何為我們的電路選擇一顆合適的電容呢？筆者認(rèn)為，應(yīng)基于以                ...

  • 吸收電容的作用主要是什么？

    母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感，對IGBT   電路尤其是大功率IGBT   電路，有極大的影響。因此，希望它愈小愈好。要減小這些電感，需從多方面入...

  • IGBT的作用

    IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的英文縮寫?？梢苑g做絕緣柵雙極晶體管。 　　IGBT是強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于...

IGBT吸收電容文獻

高壓雙面金屬聚丙烯薄膜吸收電容 高壓雙面金屬聚丙烯薄膜吸收電容

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高壓雙面金屬聚丙烯薄膜吸收電容

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IGBT并聯(lián)技術(shù)詳解 IGBT并聯(lián)技術(shù)詳解

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頁數(shù)： 24頁

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IGBT 并聯(lián)技術(shù)技術(shù)詳解 IGBT 并聯(lián)均流問題 影響靜態(tài)均流的因素 1、并聯(lián) IGBT 的直流母 線側(cè)連接點的電阻分量，因 此需要盡量對稱； 2、 IGBT 芯片的 Vce(sat) 和二極管芯片的 VF的差異，因此盡量采取同一批次的產(chǎn)品。 3、 IGBT 模塊所處的溫度差異，設(shè)計機械結(jié)構(gòu)及風(fēng)道時需要考慮； 4、 IGBT 模塊所處的磁場差異； 5、柵極電壓 Vge 的差異。 影響動態(tài)均流的因素 1、 IGBT 模塊的開通門檻電壓 VGEth 的差異， VGEth 越高， IGBT 開通時刻越晚， 不同模塊會有差異； 2、每個并聯(lián)的 IGBT 模塊的直流母線雜散電感 L 的差異； 3、門極電壓 Vge 的差異； 4、門極回路中的雜散電感量的差異； 5、 IGBT 模塊所處溫度的差異； 6、 IGBT 模塊所處的磁場的差異。 IGBT 芯片溫度對均流的影響 IGBT 芯片的溫度對于動態(tài)均

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母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感，對IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路，有極大的影響。因此，希望它愈小愈好。要減小這些電感，需從多方面入手。第一，直流母線要盡量地短；第二，緩沖電路要盡可能地貼近模塊；第三，選用 低電感的聚丙烯無極電容，與IGBT 相匹配的快速緩沖二極管， 以及無感泄放電阻；第四，其它有效措施。緩沖電路的制作工藝也有多種方式：有用分立件連接的；有通過印制版連接的；更有用緩沖電容模塊直接安裝在 IGBT 模塊上的。顯然，最后一種方式因符合上述第二、第三種降感措施，因而緩沖效果最好，能最大限度地保護IGBT 安全運行。 2100433B

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IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時應(yīng)該降等使用。

IGBT Modules 在使用中的注意事項

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點:在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;盡量在底板良好接地的情況下操作。

在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。

此外，在柵極-發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。

在使用IGBT的場合，當(dāng)柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。

在安裝或更換IGBT模塊時，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進行檢查，一般在散熱片上靠近 IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。

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雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計和端面噴金技術(shù)，使電容具低感抗，多條引線設(shè)計，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過壓能力。用于各類IGBT緩沖線路突波吸收，各類高頻諧振線路。

尺寸: 適合于各種IGBT保護。

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