半導(dǎo)體激光劃片機國內(nèi)外發(fā)展?fàn)顩r

應(yīng)用ZEMAX光學(xué)設(shè)計軟件模擬了一種多芯片半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊,將12支808nm單芯片半導(dǎo)體激光器輸出光束耦合進數(shù)值孔徑0.22、纖芯直徑105μm的光纖中,每支半導(dǎo)體激光器功率10 W,光纖輸出端面功率達到116.84W,光纖耦合效率達到97.36%,亮度達到8.88MW/(cm2·sr)。通過ZEMAX和ORIGIN軟件分析了光纖對接出現(xiàn)誤差以及單芯片半導(dǎo)體激光器安裝出現(xiàn)誤差時對光纖耦合效率的影響,得出誤差對光纖耦合效率影響的嚴(yán)重程度從大到小分別為垂軸誤差、軸向誤差、角向誤差。

半導(dǎo)體激光器輸出特性的影響因素 半導(dǎo)體激光器是一類非常重要的激光器，在光通信、光存儲等很多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng) 用。下面我將探討半導(dǎo)體激光器的波長、光譜、光功率、激光束的空間分布等四個方面的 輸出特性，并分析影響這些輸出特性的主要因素。 1． 波長 半導(dǎo)體激光器的發(fā)射波長是由導(dǎo)帶的電子躍遷到價帶時所釋放出的能量決定的， 這個能 量近似等于禁帶寬度 Eg(eV)。 hf = Eg f (Hz) 和λ(μm)分別為發(fā)射光的頻率和波長 且c=3×108m/s， h=6.628 ×10- 34 J ·s， leV=1.60 × 10- 19 J 得 決定半導(dǎo)體激光器輸出光波長的主要因素是 半導(dǎo)體材料 和溫度 。 不同半導(dǎo)體材料有不同的禁帶寬度 Eg，因而有不同的發(fā)射波長 λ：GaAlAs-GaAs 材料 適用于 0.85 μm波段， InGaAsP-InP材料適用于 1.3~1.55 μm波段。