半晶體

半晶體（semicrystalline）又稱半晶、半結(jié)晶性體，是聚合物的一種區(qū)別于非晶體的物態(tài)，半晶體也就是通常所說的結(jié)晶聚合物，包括晶體和非晶體兩部分組成。

半晶體基本信息

中文名 半晶體 外文名 semicrystalline
又????稱 半晶、半結(jié)晶性體 解????釋 通常所說的結(jié)晶聚合物
半晶體 具有更高的系數(shù)和抗拉強(qiáng)度

半晶體，比起無定型聚合物具有更高的系數(shù)和抗拉強(qiáng)度。盡管它們的抗沖擊性能低于那些非晶體聚合物，但通常認(rèn)為半晶體具有良好的化學(xué)抗蝕力。

在熔融狀態(tài)，半晶體也是非晶體的；也就是說，聚合物內(nèi)鏈以隨機(jī)的方向排列。但隨著熔液的冷卻，內(nèi)鏈開始直線排列并形成晶體聚合物。直線型式可促使先前提到的系數(shù)和化學(xué)抗蝕力的加強(qiáng)。

通常，原料晶體的性質(zhì)能對(duì)連接器組件的制程和物理性能施加一個(gè)可預(yù)測(cè)的影響。隨著成型過程所使用的成型方法及添加進(jìn)基體塑料的化合物的變化，晶體也隨之變化。隨著晶體百分比的增加，機(jī)械性能也增強(qiáng)。隨晶體百分比的增長(zhǎng)，屈服點(diǎn)和主要的強(qiáng)度會(huì)提高。被作為一種衡量硬度的尺度的彈性的模量(應(yīng)力對(duì)應(yīng)變的比率)也在增加，但晶體的增長(zhǎng)通常會(huì)造成原料韌性的下降。而內(nèi)鏈的直線排列和前述的中間鏈聚合，引起了機(jī)械性能的提高。在聚合物的機(jī)械性能上，晶體的增長(zhǎng)具有明顯的影響。晶體聚合物主要有乙烯聚合物的氯化物（PVC），尼龍和聚酯，例如：聚乙稀、對(duì)苯二酸鹽（PET）和聚丁烯（PBF）。

半晶體造價(jià)信息

市場(chǎng)價(jià) 信息價(jià) 詢價(jià)
材料名稱 規(guī)格/型號(hào) 市場(chǎng)價(jià)
（除稅）		 工程建議價(jià)
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)日期
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材料名稱 規(guī)格/型號(hào) 除稅
信息價(jià)		 含稅
信息價(jià)		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時(shí)間
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材料名稱 規(guī)格/需求量 報(bào)價(jià)數(shù) 最新報(bào)價(jià)
（元）		 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)地區(qū) 最新報(bào)價(jià)時(shí)間
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半晶體被想象成一碗混合了煮熟的和直硬未熟的意大利面條。這種有序通常是由于聚合物內(nèi)鏈有這樣一個(gè)結(jié)構(gòu)，可讓它們排成直線并聚集形成晶體范圍。直線型態(tài)由這樣的幾何特征而來，并被在聚合物內(nèi)鏈間形成的低能量化合物所保持，這些低能量化合物如氫合物等。中間鏈的結(jié)合依靠?jī)?nèi)鏈長(zhǎng)(即分子量)，這就是為什么分子量是如此重要的塑料原料參數(shù)的原因。塑料原料里晶體的百分比由聚合物類型(化學(xué)組成)所決定，它也影響著內(nèi)鏈主鏈的柔韌性，和能促進(jìn)結(jié)晶的可能的內(nèi)鏈反應(yīng)。例如：尼龍內(nèi)鏈有能力形成氫合物，因此在聚合物內(nèi)促進(jìn)了結(jié)晶。聚酯也能形成氫合物，并影響構(gòu)成聚合物內(nèi)鏈的化學(xué)單元長(zhǎng)度，因此促進(jìn)了結(jié)晶。

半晶體常見問題

  • 用半導(dǎo)體制成的晶體二極管有什么屬性

    ??????晶體二極管（crystaldiode）主要的特征是具有非線性的電流-電壓特性。此后隨著半導(dǎo)體材料和工藝技術(shù)的發(fā)展，利用不同的半導(dǎo)體材料、摻雜分布、幾何結(jié)構(gòu)，研制出結(jié)構(gòu)種類繁多、功能用途各異...

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  • 晶體管是什么

    晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室...

半晶體文獻(xiàn)

半導(dǎo)體側(cè)泵模塊激光晶體內(nèi)吸收光場(chǎng)分析 半導(dǎo)體側(cè)泵模塊激光晶體內(nèi)吸收光場(chǎng)分析

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建立了半導(dǎo)體側(cè)面泵浦模塊中激光晶體的吸收光場(chǎng)分布模型,利用Matlab軟件計(jì)算了吸收光場(chǎng)的歸一化分布形貌,提出了兩個(gè)重要參數(shù):陣列切向位移量與徑向角度偏離度。結(jié)果表明:當(dāng)陣列切向位移量為0~0.5 mm時(shí),晶體相對(duì)吸收強(qiáng)度、光場(chǎng)均勻性等參數(shù)基本不變;當(dāng)該數(shù)值大于0.5 mm時(shí),吸收強(qiáng)度急劇下降、光場(chǎng)不均勻性急劇增加;相比而言,徑向角度偏移對(duì)晶體吸收光場(chǎng)分布的影響較小,總體上呈現(xiàn)隨著該數(shù)值的增加,吸收強(qiáng)度減小、光場(chǎng)不均勻性增加。以上研究結(jié)論為目前半導(dǎo)體側(cè)泵模塊的研制生產(chǎn)提供了理論指導(dǎo)。

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在復(fù)合式晶體開關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián) 在復(fù)合式晶體開關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián)

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在復(fù)合式晶體開關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián)

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       據(jù)媒體報(bào)道，近期一項(xiàng)新型科技結(jié)晶——半浮柵晶體管在我國(guó)誕生了。半浮柵晶體管是由復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授領(lǐng)銜團(tuán)隊(duì)經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間的努力研發(fā)出來的，也是全球首個(gè)半浮柵晶體管。近日，關(guān)于半浮柵晶體管的研究論文已經(jīng)刊登在《科學(xué)》雜志上，這是我國(guó)科學(xué)家首次在該權(quán)威雜志發(fā)表微電子器件領(lǐng)域的研究成果。        半浮柵晶體管的成功研發(fā)將有助于我國(guó)掌握集成電路的核心技術(shù)，從而在國(guó)際芯片設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域內(nèi)逐漸獲得更多的話語(yǔ)權(quán)。據(jù)了解，MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)在集成電路的核心器件。在過去的幾十年里，各國(guó)科學(xué)家努力將更多的MOSFET集成到一塊芯片上來提高運(yùn)算能力，鉆研如何實(shí)現(xiàn)更小尺寸的元器件。        張衛(wèi)j教授在接受訪問時(shí)表示，隨著器件尺寸越來越接近其物理極限，基于新結(jié)構(gòu)和新原理的晶體管成為當(dāng)前業(yè)界急需。半浮柵晶體管的前瞻研發(fā)就是在這種情況下展開的。研究團(tuán)隊(duì)將隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TEET)和MOSFET相結(jié)合，構(gòu)建成了一種名為“半浮柵”的新型基礎(chǔ)器件。 　
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通常簡(jiǎn)稱功率晶體管。 其中大容量型又稱巨型晶體管，簡(jiǎn)稱GTR。功率晶體管一般為功率集成器件，內(nèi)含數(shù)十至數(shù)百個(gè)晶體管單元。圖1是功率晶體管的符號(hào)，其上e、b、c分別代表發(fā)射極、基極和集電極。按半導(dǎo)體的類型，器件被分成NPN型和PNP型兩種，硅功率晶體管多為前者。

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原子晶體晶體類型

某些金屬單質(zhì)：晶體鍺（Ge）等。

某些非金屬化合物：氮化硼（BN）晶體、碳化硅、二氧化硅等。

非金屬單質(zhì)：金剛石、晶體硅、晶體硼等。

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