半晶體被想象成一碗混合了煮熟的和直硬未熟的意大利面條。這種有序通常是由于聚合物內(nèi)鏈有這樣一個(gè)結(jié)構(gòu),可讓它們排成直線并聚集形成晶體范圍。直線型態(tài)由這樣的幾何特征而來(lái),并被在聚合物內(nèi)鏈間形成的低能量化合物所保持,這些低能量化合物如氫合物等。中間鏈的結(jié)合依靠?jī)?nèi)鏈長(zhǎng)(即分子量),這就是為什么分子量是如此重要的塑料原料參數(shù)的原因。塑料原料里晶體的百分比由聚合物類型(化學(xué)組成)所決定,它也影響著內(nèi)鏈主鏈的柔韌性,和能促進(jìn)結(jié)晶的可能的內(nèi)鏈反應(yīng)。例如:尼龍內(nèi)鏈有能力形成氫合物,因此在聚合物內(nèi)促進(jìn)了結(jié)晶。聚酯也能形成氫合物,并影響構(gòu)成聚合物內(nèi)鏈的化學(xué)單元長(zhǎng)度,因此促進(jìn)了結(jié)晶。
半晶體,比起無(wú)定型聚合物具有更高的系數(shù)和抗拉強(qiáng)度。盡管它們的抗沖擊性能低于那些非晶體聚合物,但通常認(rèn)為半晶體具有良好的化學(xué)抗蝕力。
在熔融狀態(tài),半晶體也是非晶體的;也就是說(shuō),聚合物內(nèi)鏈以隨機(jī)的方向排列。但隨著熔液的冷卻,內(nèi)鏈開(kāi)始直線排列并形成晶體聚合物。直線型式可促使先前提到的系數(shù)和化學(xué)抗蝕力的加強(qiáng)。
通常,原料晶體的性質(zhì)能對(duì)連接器組件的制程和物理性能施加一個(gè)可預(yù)測(cè)的影響。隨著成型過(guò)程所使用的成型方法及添加進(jìn)基體塑料的化合物的變化,晶體也隨之變化。隨著晶體百分比的增加,機(jī)械性能也增強(qiáng)。隨晶體百分比的增長(zhǎng),屈服點(diǎn)和主要的強(qiáng)度會(huì)提高。被作為一種衡量硬度的尺度的彈性的模量(應(yīng)力對(duì)應(yīng)變的比率)也在增加,但晶體的增長(zhǎng)通常會(huì)造成原料韌性的下降。而內(nèi)鏈的直線排列和前述的中間鏈聚合,引起了機(jī)械性能的提高。在聚合物的機(jī)械性能上,晶體的增長(zhǎng)具有明顯的影響。晶體聚合物主要有乙烯聚合物的氯化物(PVC),尼龍和聚酯,例如:聚乙稀、對(duì)苯二酸鹽(PET)和聚丁烯(PBF)。
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玻璃物理性能 種類 遮陽(yáng)(透光) 傳熱(U 值) W/m 2 .K 隔聲 (Db) 安全性 常規(guī)厚度( mm) 常規(guī)尺寸 (最 大, mm)遮陽(yáng)系數(shù) 可見(jiàn)光 紅外線, 浮法玻璃 ≈90% ≈85% 25-35 0.55, 0.7,1.1,2.0, 2.1, 2.5, 3.0,3.5, 4.0, 5.0,6.0, 8.0, 10,12,15,19 3660×10000 Low-E 玻璃 (高透型) ≈80% ≈30% 3, 4, 5, 6,8, 10, 12, 15,19 2540×3660 Low-E 玻璃 (遮陽(yáng)型) ≈55% ≈15% 3, 4, 5, 6,8, 10, 12, 15,19 2540×3660 Low-E 玻璃 (雙銀) ≈73% ≈10% 3, 4, 5, 6,8, 10, 12, 15,19 2540×3660 熱反射鍍膜玻璃 0.23-0.79 ≈25
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)(E k 第一章:材料電學(xué)性能 1 如何評(píng)價(jià)材料的導(dǎo)電能力?如何界定超導(dǎo)、導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體材料? 用電阻率 ρ或電阻率σ評(píng)價(jià)材料的導(dǎo)電能力。 按材料的導(dǎo)電能力(電阻率),人們通常將材料劃分為: 2、經(jīng)典導(dǎo)電理論的主要內(nèi)容是什么?它如何解釋歐姆定律?它有哪些局限性? 金屬導(dǎo)體中,其原子的所有價(jià)電子均脫離原子核的束縛成為自由電子, 而原子核及內(nèi)層 束縛電子作為一個(gè)整體形成離子實(shí)。 所有離子實(shí)的庫(kù)侖場(chǎng)構(gòu)成一個(gè)平均值的等勢(shì)電場(chǎng), 自由 電子就像理想氣體一樣在這個(gè)等勢(shì)電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)。 如果沒(méi)有外部電場(chǎng)或磁場(chǎng)的影響, 一定溫度 下其中的離子實(shí)只能在定域作熱振動(dòng), 形成格波,自由電子則可以在較大范圍內(nèi)作隨機(jī)運(yùn)動(dòng), 并不時(shí)與離子實(shí)發(fā)生碰撞或散射, 此時(shí)定域的離子實(shí)不能定向運(yùn)動(dòng), 方向隨機(jī)的自由電子也 不能形成電流。 施加外電場(chǎng)后, 自由電子的運(yùn)動(dòng)就會(huì)在隨機(jī)熱運(yùn)動(dòng)基礎(chǔ)上疊加一個(gè)與電場(chǎng)反 方向的平均分量,形
通常簡(jiǎn)稱功率晶體管。 其中大容量型又稱巨型晶體管,簡(jiǎn)稱GTR。功率晶體管一般為功率集成器件,內(nèi)含數(shù)十至數(shù)百個(gè)晶體管單元。圖1是功率晶體管的符號(hào),其上e、b、c分別代表發(fā)射極、基極和集電極。按半導(dǎo)體的類型,器件被分成NPN型和PNP型兩種,硅功率晶體管多為前者。
原子晶體晶體類型
某些金屬單質(zhì):晶體鍺(Ge)等。
某些非金屬化合物:氮化硼(BN)晶體、碳化硅、二氧化硅等。
非金屬單質(zhì):金剛石、晶體硅、晶體硼等。