| 中文名 | 半導體熱電材料 | 外文名 | semiconductor thermoelectric material |
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| 功????能 | 將熱能轉換成電能、由電能致冷 | 代表物質 | PbTe、ZnSb、SiGe |
熱電材料種類繁多,如PbTe、ZnSb、SiGe、AgSbTe2、GeTe、CeS及某些Ⅱ-V族。Ⅱ-Ⅵ族、V-Ⅵ族化合物和固溶體,已有一百余種。按工作溫度分類,可分4大類:
工作溫度約為200℃,主要是Bi2Te3及Bi2Te3為基的固溶體合金材料,常用于溫差致冷,小功率的溫差發(fā)電器(如心臟起搏器)和級聯(lián)溫差發(fā)電機的低溫段。溫差電材料的轉換效率一般為3%~4%。以Bi2Te3為基的溫差電材料具有最佳的優(yōu)值和最大的溫度降。
工作溫度約為500~600℃,主要是PbTe、GeTe、AgSbTe2或其合金材料。PbTe早已用于工業(yè)生產,是較成熟的材料,它制備工藝較簡單,且可制成n型和p型材料。AgSbTe3具有極低的晶格熱導率,前途看好。中溫材料可用于溫差致冷(如PbTe等),而主要用于溫差發(fā)電機和級聯(lián)溫差發(fā)電機的中溫段,工作溫度的上限由材料的化學穩(wěn)定性決定。材料的轉換效率一般為5%左右。
工作溫度約為900~1000℃,主要有SiGe、MnSi2、CeS等。SiGe合金是較成熟的合金材料。雖然制備工藝有一定難度,但機械強度大,工作溫度范圍寬,從室溫到900℃間的平均優(yōu)值可達8.5×l0-3/℃,SiGe合金材料的理論轉換效率可達10%。
工作溫度可高達數(shù)千度,主要使用于極高溫度的熱源。主要材料有Cu2s·Cu8Te2S等。液態(tài)材料還處于研究階段。按功能分類,可分為兩大類:
(1)溫差發(fā)電材料。主要有ZnSb、PbTe、GeTe、SiGe等合金材料。半導體溫差發(fā)電機的特點是:無噪聲、無磨損、無振動、可靠性高、壽命長;維修方便;易于控制和調節(jié),可全天候工作;可替代電池。半導體溫差發(fā)電機的熱源,可用煤油、石油氣以及利用Pu238、sr90、Po210等放射性同位素。
(2)溫差致冷材料。主要是鉍、銻、硒、碲組成的固溶體,通常是由Bi—Sb—Te組成p型材料,Bi—Se—Te組成n型材料。半導體致冷器所用材料是Bi2Te3、Sb2Te3、Bi2Se3及其固溶體,其優(yōu)值系數(shù)z為2~3×10-3/℃。通常把若干對溫差電偶排列成陣、組成半導體致冷電堆或組成級聯(lián)式致冷電堆。一級半導體致冷電堆可達-40℃,兩級或三級的致冷器,其致冷溫度可達-80℃到-100℃。當然,致冷溫度愈低,效率和產冷量就愈低。
半導體溫差發(fā)電材料用于制備溫差發(fā)電機,已應用于海岸掛燈、浮標燈、邊防通訊用電源、石油管道中無人中繼站電源和野戰(zhàn)攜帶電源以及海底探查、宇宙飛船和各類人造衛(wèi)星用電源。
半導體溫差致冷材料,用于制造各種類型的半導體溫差致冷器,如各種小型冷凍器、恒溫器、露點溫度計、電子裝置的冷卻,以及在醫(yī)學、核物理、真空技術等方面都有應用。
半導體熱電材料研究歷史
1821年,德國塞貝克(see—beck)在金屬中發(fā)現(xiàn)溫差電效應,僅在測量溫度的溫差電偶方面得到了應用。半導體出現(xiàn)后,發(fā)現(xiàn)它能得到比金屬大得多的溫差電動勢,熱能與電能轉換有較高的效率,因此,在溫差發(fā)電、溫差致冷方面得到了發(fā)展。
將兩種不同材料的導體或半導體串接成一個閉合回路都可以產生熱電效應。一般來說金屬導體構成的熱電偶,其 溫度-電勢 相互關系較為穩(wěn)定,適用溫度范圍寬,線性好,特別是重現(xiàn)性較好,所以測量溫度多用金屬熱電偶;...
半導體材料(semiconductor &n...
常用的半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。元素半導體是由單一元素制成的半導體材料。主要有硅、鍺、硒等,以硅、鍺應用最廣。化合物半導體分為二元系、三元系、多元系和有機化合物半導體。二元系化合物半導體...
半導體熱電材料的制備方法大致有如下幾種:
(1)粉末冶金法。宜于大批量生產,材料的機械強度高且成分均勻,易于制成各種形狀的溫差電元件,其缺點是破壞了結晶方位,材料密度較小,從而不能獲得高的熱電性能。
(2)熔體結晶法。設備操作簡單,嚴格控制可獲得單晶或由幾個大晶粒組成的晶體,材料性能較好。缺點是不宜大批量生產,材料的機械強度差,切割的材料耗損較大。
(3)連續(xù)澆鑄法。宜于大批量生產。缺點是設備費用大,且不易控制。
(4)區(qū)域熔煉法。可獲得高質量的單晶材料,雜質分布均勻。缺點是價格昂貴,不宜大批量生產。
(5)單晶拉制法??色@得高質量的單晶,但單晶爐的結構比較復雜。缺點是不適宜大批量生產。
(6)外延法制取薄膜。該法用于Bi2Te3薄膜生長。
(1)尋求為滿足不同用途和更佳優(yōu)值系數(shù)的新型半導體材料。
(2)對材料的研究愈來愈深入,如將p型Sb2Te3加入Bi2Se3中,組成四元合金,獲得較好的Z值。
(3)發(fā)展材料制備工藝,以獲得最佳的組織結構。例如,Bi2Te3及以其為基的固溶體在晶體結構上是輝碲鉍礦型結構,有強烈的方向性,平行于解理面的電導率σ是垂直于解理面的4~10倍,熱導率為3~5倍,溫差電優(yōu)值系數(shù)約為2倍,所以取向晶體致冷元件正是利用晶體的這一特點。
(4)以多種材料,按不同的工作溫度范圍配套,改善優(yōu)值系數(shù)。
近零能耗建筑半導體熱電堆空調器應用研究
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評分: 4.3
我國近零能耗建筑的研究起步較晚,近年來,我國北方寒冷地區(qū)已有一些近零能耗建筑,但在夏熱冬冷地區(qū)還沒有具體的應用工程.文章以武漢地區(qū)為代表,在太陽能光伏發(fā)電和半導體制冷技術相結合的基礎上,搭建了一套近零能耗建筑半導體電熱堆空調器的實驗系統(tǒng).并形成了一套完整的嵌入墻體式太陽能半導體空調器.通過實驗研究分析半導體空調器不同因素影響下的制冷或制熱效果.