磁控型可控并聯(lián)電抗器技術(shù)規(guī)范起草人

鄧占峰、孫士民。

中國(guó)電力科學(xué)研究院、山東迪生電氣股份有限公司等

MCR（magnetic control reactor），全稱(chēng)是磁閥式可控電抗器，簡(jiǎn)稱(chēng)MCR，是一種容量可調(diào)的并聯(lián)電抗器，主要用于電力系統(tǒng)的無(wú)功補(bǔ)償。

中文名

磁閥式可控電抗器

外文名

MCR

全稱(chēng)

magnetic control reactor

包裝清單

由于電力系統(tǒng)的需求，可控電抗器一直以來(lái)就是一個(gè)研究熱點(diǎn)，其中前蘇聯(lián)科學(xué)家提出的借助直流控制的磁飽和型可控電抗器得到了推廣和應(yīng)用。該類(lèi)電抗器是借助控制回路直流控制電流的激磁改變鐵心的磁飽和度，從而達(dá)到平滑調(diào)節(jié)無(wú)功輸出的目的。它是在磁放大器的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。

磁控電抗器由控制部分和電抗器本體組成，原理圖(單相)如下，該電抗器的主鐵芯中間部分是長(zhǎng)度為L(zhǎng)的小截面段，上下兩個(gè)半芯柱上分別對(duì)稱(chēng)地繞有匝數(shù)為N/2的繞組；每一鐵芯柱的上（下）繞組有一抽頭比為δ=N2/N的抽頭，它們與各自鐵芯柱的下（上）繞組的首（末）端之間接有晶閘管K1和K2，不同鐵芯的上、下兩個(gè)繞組交叉聯(lián)接后并至電網(wǎng)，二極管D則橫跨在交叉端點(diǎn)用于續(xù)流。當(dāng)晶閘管K1、K2均不導(dǎo)通時(shí)，可控電抗器相當(dāng)于空載變壓器，容量很??；若在電源電壓的正負(fù)半周內(nèi)輪流觸發(fā)導(dǎo)通K1、K2，則可在繞組回路中產(chǎn)生一定大小的直流偏磁電流，其在兩并聯(lián)繞組中自成回路，不流向外部電路。該控制電流所產(chǎn)生的直流磁通使工作鐵芯柱飽和，可控電抗器等值容量增大。調(diào)節(jié)晶閘管觸發(fā)延遲角的大小可以改變鐵芯磁飽和度，從而達(dá)到控制電抗器容量的目的。2100433B

2016年2月24日，《超高壓分級(jí)式可控并聯(lián)電抗器晶閘管閥》發(fā)布。

2016年9月1日，《超高壓分級(jí)式可控并聯(lián)電抗器晶閘管閥》實(shí)施。

可控硅有多種分類(lèi)方法。

（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

（二）按引腳和極性分類(lèi)：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

（三）按封裝形式分類(lèi)：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

（四）按電流容量分類(lèi)：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

（五）按關(guān)斷速度分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

（六）過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。

（七）非過(guò)零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見(jiàn)的是移相觸發(fā)，即通過(guò)改變正弦交流電的導(dǎo)通角（角相位），來(lái)改變輸出百分比。