電光陶瓷

電光陶瓷是具有電光效應(yīng)的陶瓷材料的總稱。常用的有鋯鈦酸鉛鑭(PLZT),鉿鈦酸鉛鑭(PLHT)等。

電光陶瓷基本信息

中文名 電光陶瓷 外文名 electro-optic ceramics
性????質(zhì) 陶瓷材料的總稱 類????型 光-電傳感器、光譜濾波器
應(yīng)????用 光閥和記憶元件等 學(xué)????科 電子工程

透明陶瓷材料制備的基本工藝與普通陶瓷材料制備的基本工藝并沒有太大的區(qū)別,但是從具體的技術(shù)上看,二者有著明顯的不同,透明陶瓷材料制備對工藝上的要求要嚴(yán)格得多。由于陶瓷材料的透光性受其氣孔率、晶體結(jié)構(gòu)、原料與添加劑、燒成氣氛和表面加工光潔度等因素的影響較大,在制備透明陶瓷時需要精準(zhǔn)控制每一個工藝過程,以保證最終產(chǎn)品具有較高的致密度和表面光潔度、均勻而細(xì)小的晶粒、對入射光很小的選擇吸收性、晶界處沒有雜質(zhì)及玻璃相或晶界的光學(xué)性質(zhì)與微晶體差別很小以及沒有光學(xué)各向異性,晶體結(jié)構(gòu)以立方晶系最佳。

在制備PLZT陶瓷材料時,要經(jīng)過稱量→球磨→干燥→煅燒→二次球磨→篩分→壓制成型→燒結(jié)→后加工等過程。為了使陶瓷材料電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)滿足實際應(yīng)用的要求,可以通過調(diào)整La摻雜量得到相應(yīng)電光系數(shù)材料。在制備PLZT陶瓷材料粉體時,人們通常采用改良的固相反應(yīng)法、溶膠-凝膠法、共沉淀法、水熱法等。在這些方法中,固相法需要較高的反應(yīng)溫度和較長的反應(yīng)時間,而且球磨混合難以達(dá)到化學(xué)的組成均一,因此固相反應(yīng)難以制備出具有均相、高燒結(jié)活性的粉體。溶膠-凝膠法需要大量有機(jī)溶劑。水熱法則產(chǎn)量低。相對而言,共沉淀法存

在工藝簡單,設(shè)備廉價,一次性產(chǎn)量高等優(yōu)點,因此,該方法最有希望實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。但是,在共沉淀法中,不僅各種離子溶解度的差異會導(dǎo)致產(chǎn)物不再符合組元等化學(xué)計量,而且在共沉淀過程中,還會出現(xiàn)團(tuán)聚體,這些影響因素都會造成產(chǎn)物品質(zhì)下降。粉體成型可以采用各種方法,應(yīng)用較多的是干壓成型或等靜壓成型。制備 PLZT 陶瓷材料的燒結(jié)工藝主要有熱壓燒結(jié)、通氧熱壓燒結(jié)、氣氛燒結(jié)以及熱等靜壓燒結(jié)等。Haertling G H利用熱壓工藝首次制備了PLZT透明陶瓷。在燒結(jié)的時候,氣氛是影響其制備的重要因素。由于 PbO 氣體在高溫下是一種易揮發(fā)的氣體,所以通常使用 PbO 和 O2氣氛。Snow GS 在1973年首先利用氣氛燒結(jié)工藝,制備了透明PLZT電光陶瓷。樊慧慶研究了 PLZT 透明光電陶瓷的無壓燒結(jié),在 PbZrO3氣氛保護(hù)、1200℃條件下燒結(jié)8h,實現(xiàn)了無壓常規(guī)燒結(jié)制備低成本、實用型透明的PLZT。

電光陶瓷造價信息

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PLZT電光陶瓷是一種典型的透明鐵電陶瓷,這種材料具有較高的光透過率和電光效應(yīng),人工極化后還具有壓電、光學(xué)雙折射等特性。隨著其制備工藝的發(fā)展,拓寬了 PLZT 材料的應(yīng)用范圍。PLZT 的電光效應(yīng)是最具有應(yīng)用意義的方面。透明PLZT陶瓷具有電光系數(shù)大、響應(yīng)速度快、可得到大尺寸材料等優(yōu)點,是一種很好的電光陶瓷材料。由于PLZT 組分的變化,其電光效應(yīng)表現(xiàn)為多樣性,適當(dāng)?shù)剡x擇組分可滿足實際應(yīng)用的需要。因其具有優(yōu)異的電光效應(yīng),使之成為光通訊領(lǐng)域重要的候選材料之一。利用 PLZT 透明陶瓷的電光效應(yīng)可以實現(xiàn)對入射光的相位、強(qiáng)度、偏振和方向的控制,也可通過電調(diào)節(jié)使入射的白光成有色光,成為電控濾色片;通過組分的調(diào)節(jié),還可以用作為光存儲、光顯示、圖象處理等光電器件的關(guān)鍵部件。PLZT透明陶瓷在電場作用下呈現(xiàn)的光學(xué)行為,實質(zhì)是由電疇在電場作用下的轉(zhuǎn)向引起的,而這類轉(zhuǎn)向可以在很小的范圍內(nèi)單獨進(jìn)行并不影響其周圍區(qū)域的狀態(tài),因此PLZT的開關(guān)、衰減、濾色的作用可在很小范圍內(nèi)單獨實現(xiàn),具有高靈敏度、高分辨率的優(yōu)點。其主要應(yīng)用領(lǐng)域有光閘、光濾波、顯示和空間光調(diào)制等。利用PLZT陶瓷的電控可變雙折射效應(yīng)能制作二維 Si/PLZT混合集成空間光調(diào)制器,它由硅集成電路做成的光探測器和放大器以及PLZT光調(diào)制器組成,具有將硅集成計算效能與光互連通訊效能相結(jié)合的能力以及提高并行速度的特點;利用 PLZT的電控變雙折射特性,采用偏置應(yīng)變技術(shù),可以制成映像存儲器件、偏振應(yīng)變PLZT編頁器等。

利用PLZT陶瓷的電控可變光散射效應(yīng),可以開發(fā)出一系列具有不同性能的光開關(guān)器件,如新型偏振無關(guān)光開關(guān)、寬譜嚴(yán)格無阻塞 PLZT空分矩陣光開光、全波段亞微秒級響應(yīng)的單片PLZT門集成尾纖封裝關(guān)開關(guān)等。另一方面,PLZT 薄膜的制備,特別是非晶薄膜的成功制備,更加吸引了人們的興趣。因為非晶薄膜比晶體薄膜的生長要容易得多,這將大大降低成本;最重要的是這種非晶薄膜表現(xiàn)出鐵電性或者叫類鐵電性。鐵電薄膜具有許多優(yōu)良的物理性質(zhì)和效應(yīng),如鐵電開關(guān)特性、壓電效應(yīng)、熱釋電效應(yīng)、電光效應(yīng)、聲光效應(yīng)、光折變效應(yīng)和非線性光學(xué)效應(yīng)等。因此鐵電薄膜在微電子、光電子、集成光學(xué)和微機(jī)械學(xué)等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用,如熱電傳感器、鐵電記憶元件、電光開關(guān)以及電子元器件的微集成等。這些正是人們關(guān)注的熱點。

這類陶瓷多數(shù)為透明鐵電體,在相變過程中其折射率隨電場而變化,即產(chǎn)生電控雙折射效應(yīng)。主要用于光調(diào)制器、光存儲器,光-電傳感器、光譜濾波器、光開關(guān)、電激勵多色顯示器、光閥和記憶元件等。

陶瓷材料具有良好的耐熱性能、高的硬度、優(yōu)異的耐化學(xué)侵蝕能力以及各種有關(guān)的物理性能,令其在各個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。一般的陶瓷材料并不具有透光性。1957 年 Coble R L 首次成功地制備了透明氧化鋁陶瓷。經(jīng)過幾十年的發(fā)展,已經(jīng)研制出幾十種透明陶瓷材料。透明陶瓷材料除了本身具有寬范圍的透光性外,而且還具有高熱導(dǎo)性、低電導(dǎo)率、低介電常數(shù)和介電損耗、高強(qiáng)度、高硬度、耐摩擦等一系列優(yōu)異的綜合性能。由于透明陶瓷具有優(yōu)異的性能,英、美、日等許多國家以及中國對透明陶瓷做了大量的研究工作,使其飛速發(fā)展起來。根據(jù)透明陶瓷的用途和功能可將其分為透明結(jié)構(gòu)陶瓷和透明功能陶瓷。PLZT 透明光電陶瓷是透明功能陶瓷中的一種。自從 HaertlingG H 1970 年用球磨和熱壓燒結(jié)工藝制備了透明的電光陶瓷 PLZT以來,PLZT 透明電光陶瓷一直是光電材料研究的熱點。這里從 PLZT 透明電光陶瓷的發(fā)展、制備、性能和應(yīng)用等方面加以評述,較全面地對PLZT透明電光陶瓷進(jìn)行介紹,為相關(guān)的研究提供參考。

電光陶瓷常見問題

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電光陶瓷文獻(xiàn)

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electro-optical crystal

具有電光效應(yīng)的晶體材料。在外電場作用下,晶體的折射率發(fā)生變化的現(xiàn)象稱為電光效應(yīng)。

電光晶體

外電場作用于晶體材料所產(chǎn)生的電光效應(yīng)分為兩種,一種是泡克耳斯效應(yīng),產(chǎn)生這種效應(yīng)的晶體通常是不具有對稱中心的各向異性晶體;另一種是克爾效應(yīng),產(chǎn)生這種效應(yīng)的晶體通常是具有任意對稱性質(zhì)的晶體或各向同性介質(zhì)。已實用的電光晶體主要是一些高電光品質(zhì)因子的晶體和晶體薄膜。在可見波段,常用電光晶體有磷酸二氫鉀、磷酸二氫銨、鈮酸鋰、鉭酸鋰等晶體。前兩種晶體有高的光學(xué)質(zhì)量和光損傷閾值,但其半波電壓較高,而且要采用防潮解措施。后兩種晶體有低的半波電壓,物理化學(xué)性能穩(wěn)定,但其光損傷閾值較低。在紅外波段,實用的電光晶體主要是砷化鎵和碲化鎘等半導(dǎo)體晶體。電光晶體主要用于制作光調(diào)制器、掃描器、光開關(guān)等器件。在大屏幕激光顯示漢字信息處理以及光通信方面也有應(yīng)用前景。

1.一次電光效應(yīng)和晶體的折射率橢球

由電場所引起的晶體折射率的變化,稱為電光效應(yīng)。通常可將電場引起的折射率的變化用下式表示:

n=n0+aE0+bE02+……(1)

式中a和b為常數(shù),n0為不加電場時晶體的折射率。由一次項aE0引起折射率變化的效應(yīng),稱為一次電光效應(yīng),也稱線性電光效應(yīng)或普克爾(Pokells)效應(yīng);由二次項bE02引起折射率變化的效應(yīng),稱為二次電光效應(yīng),也稱平方電光效應(yīng)或克爾(Kerr)效應(yīng)。一次電光效應(yīng)只存在于不具有對稱中心的晶體中,二次電光效應(yīng)則可能存在于任何物質(zhì)中,一次效應(yīng)要比二次效應(yīng)顯著。

光在各向異性晶體中傳播時,因光的傳播方向不同或者是電矢量的振動方向不同,光的折射率也不同。如圖1,通常用折射率球來描述折射率與光的傳播方向、振動方向的關(guān)系。在主軸坐標(biāo)中,折射率橢球及其方程為

(2)

圖1

式中n1、n2、n3為橢球三個主軸方向上的折射率,稱為主折射率。當(dāng)晶體加上電場后,折射率橢球的形狀、大小、方位都發(fā)生變化,橢球方程變成

(3)

晶體的一次電光效應(yīng)分為縱向電光效應(yīng)和橫向電光效應(yīng)兩種??v向電光效應(yīng)是加在晶體上的電場方向與光在晶體里傳播的方向平行時產(chǎn)生的電光效應(yīng);橫向電光效應(yīng)是加在晶體上的電場方向與光在晶體里傳播方向垂直時產(chǎn)生的電光效應(yīng)。通常KD*P(磷酸二氘鉀)類型的晶體用它的縱向電光效應(yīng),LiNbO3(鈮酸鋰)類型的晶體用它的橫向電光效應(yīng)。本實驗研究鈮酸鋰晶體的一次電光效應(yīng),用鈮酸鋰晶體的橫向調(diào)制裝置測量鈮酸鋰晶體的半波電壓及電光系數(shù),并用兩種方法改變調(diào)制器的工作點,觀察相應(yīng)的輸出特性的變化。

鈮酸鋰晶體屬于三角晶系,3m晶類,主軸z方向有一個三次旋轉(zhuǎn)軸,光軸與z軸重合,是單軸晶體,折射率橢球是旋轉(zhuǎn)橢球,其表達(dá)式為

(4)

式中n0和ne分別為晶體的尋常光和非常光的折射率。加上電場后折射率橢球發(fā)生畸變,當(dāng)x軸方向加電場,光沿z軸方向傳播時,晶體由單軸晶變?yōu)殡p軸晶,垂直于光軸z軸方向的折射率橢球截面由圓變?yōu)闄E圓,此橢圓方程為

(5)

其中的稱為電光系數(shù)。上式進(jìn)行主軸變換后可得到

(6)

考慮到<<1,經(jīng)簡化得到

(7)

折射率橢球截面的橢圓方程化為

(8)

2.電光調(diào)制原理

要用激光作為傳遞信息的工具,首先要解決如何將傳輸信號加到激光輻射上去的問題,我們把信息加載于激光輻射的過程稱為激光調(diào)制,把完成這一過程的裝置稱為激光調(diào)制器。由已調(diào)制的激光輻射還原出所加載信息的過程則稱為解調(diào)。因為激光實際上只起到了"攜帶"低頻信號的作用,所以稱為載波,而起控制作用的低頻信號是我們所需要的,稱為調(diào)制信號,被調(diào)制的載波稱為已調(diào)波或調(diào)制光。按調(diào)制的性質(zhì)而言,激光調(diào)制與無線電波調(diào)制相類似,可以采用連續(xù)的調(diào)幅、調(diào)頻、調(diào)相以及脈沖調(diào)制等形式,但激光調(diào)制多采用強(qiáng)度調(diào)制。強(qiáng)度調(diào)制是根據(jù)光載波電場振幅的平方比例于調(diào)制信號,使輸出的激光輻射的強(qiáng)度按照調(diào)制信號的規(guī)律變化。激光調(diào)制之所以常采用強(qiáng)度調(diào)制形式,主要是因為光接收器一般都是直接地響應(yīng)其所接受的光強(qiáng)度變化的緣故。

激光調(diào)制的方法很多,如機(jī)械調(diào)制、電光調(diào)制、聲光調(diào)制、磁光調(diào)制和電源調(diào)制等。其中電光調(diào)制器開關(guān)速度快、結(jié)構(gòu)簡單。因此,在激光調(diào)制技術(shù)及混合型光學(xué)雙穩(wěn)器件等方面有廣泛的應(yīng)用。電光調(diào)制根據(jù)所施加的電場方向的不同,可分為縱向電光調(diào)制和橫向電光調(diào)制。利用縱向電光效應(yīng)的調(diào)制,叫做縱向電光調(diào)制,利用橫向電光效應(yīng)的調(diào)制,叫做橫向電光調(diào)制。這次實驗中,我們只做LiNbO3晶體的橫向調(diào)制實驗。

(1) 橫向電光調(diào)制

圖2

圖2為典型的利用LiNbO3晶體橫向電光效應(yīng)原理的激光振幅調(diào)制器。其中起偏振片的偏振方向平行于電光晶體的x軸,檢偏振片的偏振方向平行于y軸。因此入射光經(jīng)起偏振片后變?yōu)檎駝臃较蚱叫杏趚軸的線偏振光,它在晶體的感應(yīng)軸x′和y′軸上的投影的振幅和相位均相等,設(shè)分別為

ex′=A0cosωt,ey′=A0cosωt(9)

或用復(fù)振幅的表示方法,將位于晶體表面(z=0)的光波表示為

Ex′(0)=A,Ey′(0)=A(10)

所以,入射光的強(qiáng)度是

(11)

當(dāng)光通過長為l的電光晶體后,x′和y′兩分量之間就產(chǎn)生相位差δ,即

Ex′(l)=A,Ey′(l)=A(12)

通過檢偏振片出射的光,是該兩分量在y軸上的投影之和

(13)

其對應(yīng)的輸出光強(qiáng)It可寫成

(14)

由(11)和(14)式,光強(qiáng)透過率T為

(15)

由(7)式

(16)

由此可見,δ和加在晶體上的電壓有關(guān),當(dāng)電壓增加到某一值時x′、y′方向的偏振光經(jīng)過晶體后可產(chǎn)生λ/2的光程差,相應(yīng)的相位差δ=π,由(15)式可知此時光強(qiáng)透過率T=100%,這時加在晶體上的電壓稱作半波電壓,通常用表示。是描述晶體電光效應(yīng)的重要參數(shù)。在實驗中,這個電壓越小越好,如果小,需要的調(diào)制信號電壓也小。根據(jù)半波電壓值,我們可以估計出電光效應(yīng)控制透過強(qiáng)度所需電壓。由(16)式可得到

(17)

其中d和l分別為晶體的厚度和長度。由此可見,橫向電光效應(yīng)的半波電壓與晶片的幾何尺寸有關(guān)。由(17)式可知,如果使電極之間的距離d盡可能的減少,而增加通光方向的長度l,則可以使半波電壓減小,所以晶體通常加工成細(xì)長的扁長方體。由(16)、(17)式可得

因此,可將(15)式改寫成

(18)

其中U0是加在晶體上的直流電壓,Umsinωt是同時加在晶體上的交流調(diào)制信號,Um是其振幅,ω是調(diào)制頻率。從(18)式可以看出,改變U0或Um,輸出特性將相應(yīng)的有變化。對單色光和確定的晶體來說,為常數(shù),因而T將僅隨晶體上所加的電壓變化。

(2)改變直流偏壓對輸出特性的影響

①當(dāng)、Um<<時,將工作點選定在線性工作區(qū)的中心處,如圖3(a)所示,此時,可獲得較高效率的線性調(diào)制,把代入(18)式,得

(19)

由于Um<<時

即T∝sinωt(20)

這時,調(diào)制器輸出的信號和調(diào)制信號雖然振幅不同,但是兩者的頻率卻是相同的,輸出信號不失真,我們稱為線性調(diào)制。

②當(dāng)、Um<<時,如圖3(b)所示,把代入(18)式

即T∝cos2ωt(21)

從(21)式可以看出,輸出信號的頻率是調(diào)制信號頻率的二倍,即產(chǎn)生"倍頻"失真。若把代入(18)式,經(jīng)類似的推導(dǎo),可得

(22)

即T∝cos2ωt,輸出信號仍是"倍頻"失真的信號。

(a)(b)

圖3

③直流偏壓U0在0伏附近或在附近變化時,由于工作點不在線性工作區(qū),輸出波形將失真。

④當(dāng),Um>時,調(diào)制器的工作點雖然選定在線性工作區(qū)的中心,但不滿足小信號調(diào)制的要求,(19)式不能寫成(20)式的形式。因此,工作點雖然選定在了線性區(qū),輸出波形仍然是失真的。

【實驗儀器】

電光效應(yīng)實驗儀,電光調(diào)制電源、接收放大器、He-Ne激光器、二蹤示波器和萬用表。

(1)晶體電光調(diào)制電源。調(diào)制電源由-200V-+200V之間連續(xù)可調(diào)的直流電源、單一頻率振蕩器(振蕩頻率約為1kHz)、音樂片和放大器組成,電源面板上有三位半數(shù)字面板表,可顯示直流電壓值。晶體上加的直流電壓的極性可以通過面板上的"極性"鍵改變,直流電壓的大小用"偏壓"旋鈕調(diào)節(jié)。調(diào)制信號可由機(jī)內(nèi)振蕩器或音樂片提供,此調(diào)制信號是用裝在面板上的"信號選擇"鍵來選擇三個信號中的任意一個信號。所有的調(diào)制信號的大小是通過"幅度"旋鈕控制的。通過前面板上的"輸出"插孔輸出的參考信號,接到二蹤示波器的一個通道與被調(diào)制后的接收信號比較,觀察調(diào)制器的輸出特性。

(2)調(diào)制器。調(diào)制器由三個可旋轉(zhuǎn)的偏振片、一個可旋轉(zhuǎn)的1/4波片和一塊鈮酸鋰晶體組成,采用橫向調(diào)制方式。晶體放在兩個正交的偏振片之間,起偏振片和晶體的x軸平行。檢偏振片和晶體之間可插入1/4波片,偏振片和波片均可繞其幾何軸旋轉(zhuǎn)。晶體放在四維調(diào)節(jié)架上,可精細(xì)調(diào)節(jié),使光束嚴(yán)格沿晶體光軸方向通過。

(3)接收放大器。接收放大器由3DU光電三極管和功率放大器組成。光電三極管把被調(diào)制了的氦氖激光經(jīng)光電轉(zhuǎn)換,輸入到功率放大器上,放大后的信號接到二蹤示波器,同參考信號比較,觀察調(diào)制器的輸出特性。交流信號輸出的大小通過"交流輸出"旋鈕調(diào)節(jié)。放大器內(nèi)裝有揚(yáng)聲器,用來再現(xiàn)聲音調(diào)制信號,放大器面板上還有"直流輸出"插孔,接到萬用表的200mV直流電壓檔,用于測量光電三極管接收到的光強(qiáng)信號的大小。

電光花簡介

電光花屬于煙花產(chǎn)品中的一種,此產(chǎn)品采用燃點較低的金屬粉末,經(jīng)過一定比例加工而成電光花燃燒時,火星四射,雖然會帶有點煙產(chǎn)生,但并不會影響整體效果,四射的火星,也不用擔(dān)心會燃燒衣服.頭發(fā)等,注意的是電光花燃燒點有一定的溫度,因此,不易與易燃物接觸,電光花拿在手上即可燃放,規(guī)格各異,室內(nèi)外燃放均可,安全性能好,適于各年齡層次人士使用,尤其小孩,情侶,聚會,酒吧,KTV等使用,燃放時使之興奮激情。實屬家庭聚會及其他各類晚會賞玩之佳品。

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