電流密度單位公式

單位：安培每平方米，記作A/㎡。 它在物理中一般用J表示。

公式：J=I/S

I和J都是描寫電流的物理量，I是標量，描寫一個面的電流情況，J是矢量場，描寫每點的電流情況，

電流密度時?？梢越茷榕c電場成正比，以方程表達為

J=σE ；其中，E 是電場強度，J 是電流密度，σ是電導(dǎo)率，是電阻率的倒數(shù)。

歐姆定律：R（電阻=電壓/電流）

電阻公式闡明，一個均勻截面的物體的電阻與電阻率和導(dǎo)體長度成正比，與截面面積成反比。以方程表達

R=ρL/S ；其中，R 是電阻，L是物體長度，S是物體的截面面積，ρ是電阻率 。

根據(jù)歐姆定律，電壓 V等于電流 I乘以電阻：V=IR

所以，

V=I*ρL/S 。注意到在物體內(nèi)，電場與電壓的關(guān)系為E=Z*V/L

其中，Z是電流方向。

所以，E=Z*ρI/S=ρJ

電導(dǎo)率為電阻率的倒數(shù)， σ=1/ρ 。電流密度與電場的關(guān)系為

J=σE 。

有時，電流分布在導(dǎo)體表面的一個很薄的區(qū)域，將這樣的分布電流理想化為電流分布在無厚度的幾何表面內(nèi)，并稱為面電流密度， 記做Js，方向為正電荷運動的方向。

對于電力系統(tǒng)和電子系統(tǒng)的設(shè)計而言，電流密度是很重要的。電路的性能與電流量緊密相關(guān)，而電流密度又是由導(dǎo)體的物體尺寸決定。例如，隨著集成電路的尺寸越變越小，雖然較小的元件需要的電流也較小，為了要達到芯片內(nèi)含的元件數(shù)量密度增高的目標，電流密度會趨向于增高。更詳盡細節(jié)，請參閱摩爾定律。

在高頻頻域，由于趨膚效應(yīng)，傳導(dǎo)區(qū)域會更加局限于表面附近，因而促使電流密度增高。

電流密度過高會產(chǎn)生不理想后果。大多數(shù)電導(dǎo)體的電阻是有限的正值，會以熱能的形式消散功率。為了要避免電導(dǎo)體因過熱而被熔化或發(fā)生燃燒，并且防止絕緣材料遭到損壞，電流密度必須維持在過高值以下。假若電流密度過高，材料與材料之間的互連部分會開始移動，這現(xiàn)象稱為電遷移（electromigration）。在超導(dǎo)體里，過高的電流密度會產(chǎn)生很強的磁場，這會使得超導(dǎo)體自發(fā)地喪失超導(dǎo)性質(zhì)。

對于電流密度所做的分析和觀察，可以用來探測固體內(nèi)在的物理性質(zhì)，包括金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等等。在這科學(xué)領(lǐng)域，材料學(xué)家已經(jīng)研究發(fā)展出一套非常詳盡的理論形式論，來解釋很多機要的實驗觀察。

安培力定律描述電流密度與磁場之間的關(guān)系。電流密度是安培力定律的一個重要參數(shù)。

在變壓器設(shè)計中，不同鐵心大小，不同溫升，不同的壓降要求，不同的散熱條件電流密度都會不同，不能認為多大的線徑允許多大的電流密度是一個定值,

電流強度和電流密度之間的關(guān)系

電流密度是一種度量，以向量的形式定義，其方向是單位面積相應(yīng)截面的法向量，其大小是單位截面面積的電流。采用國際單位制，電流密度的單位是「安培/平方公尺」

ASF，即電流密度，單位是安培每平方米，記作A/㎡。電鍍業(yè)常用的電流密度為安培/平方英尺，記作A/F。

中文名

電流密度

外文名

ASF

單位

安培每平方米

電鍍業(yè)

安培/平方英尺

相關(guān)定義

電流密度是描述電路中某點電流強弱和流動方向的物理量。單位：安培每平方米，記作A/㎡。

電鍍業(yè)常用的電流密度為安培/平方英尺，記作A/F。

ASD：安培/平方分米

ASF：安培/平方英尺

9.29 ASF = 1 ASD

(1Ft=12in=304.8mm=3.048dm)

(1in=25.4mm)

簡介

面積陰極卜通過的電流強度稱為陰極電流密度，以AIm`或rnA Icm“表示。把電極作為陰極研究其電化學(xué)特性時，必須對陰極施加電流，隨著陰極電流密度的增加，陰極的電極電位向負方向蕊動 2100433B

經(jīng)濟電流密度由年運行費用確定，而運行費用主要由電能損耗、設(shè)備維修和折舊費用組成。其中電能損耗費用與導(dǎo)體材質(zhì)及年最大負荷運行小時數(shù)有關(guān)。當(dāng)導(dǎo)體為某一截面時年運行費最低，此時導(dǎo)體單位截面積流過的電流即為經(jīng)濟電流密度。在變電站中主變壓器進線回路的母線截面通常按經(jīng)濟電流密度進行選擇。