中文名 | 等離子一體刻蝕機(jī) | 產(chǎn)????地 | 美國(guó) |
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學(xué)科領(lǐng)域 | 信息科學(xué)與系統(tǒng)科學(xué) | 啟用日期 | 2015年1月13日 |
所屬類別 | 工藝試驗(yàn)儀器 > 電子工藝實(shí)驗(yàn)設(shè)備 > 電路板制造工藝實(shí)驗(yàn)設(shè)備 |
薄膜刻蝕。 2100433B
可刻蝕各種尺寸形狀的樣品, 最大面積達(dá)1000 cm2。
等離子體聚合物在結(jié)構(gòu)上與普通的聚合物顯著不同,它能形成含有活性基團(tuán)的高度交聯(lián)的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),從而具有良好的均勻性及對(duì)基質(zhì)的附著性[1,2].有關(guān)采用等離子體聚合膜的TSM傳感器的報(bào)道不多[3,4],本室已...
等離子體又叫做“電漿”,是由部分電子被剝奪后的原子及原子被電離后產(chǎn)生的正負(fù)電子組成的離子化氣體狀物質(zhì) 在人工生成等離子體的方法中,氣體放電法比加熱的辦法更加簡(jiǎn)便高效,如熒光燈、霓虹燈、電弧焊、電暈放電...
低溫等離子體:適合的應(yīng)用材料的表面清洗活化焊接,油漆,打印,密封,起泡,涂覆及硅化前表面活化處理。氣體裂解和高效滅菌加速化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)品特點(diǎn):突破低氣壓限制,可在大氣壓下引發(fā)等離子體;可對(duì)材料連續(xù)在線處理...
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等離子體刻蝕過(guò)程中有害氣體凈化的原理和方法——敘述了等離子體刻蝕過(guò)程中產(chǎn)生的有害氣體以及處理這些有害氣體的原理和方法。對(duì)燃燒分解、化學(xué)中和、 薄膜吸氣、等離子體凈化及脈沖電暈放電等作了簡(jiǎn)要的概述。指出等離子體凈化和脈沖電暈放電是凈化有害氣體的...
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TEGAL421 等離子刻蝕機(jī)射頻電源的維 修及調(diào)整 TEGAL421 等離子刻蝕機(jī)射頻電源的電路圖如下: 各部分電路的作用, DC Power Supply Board 板是一塊電源板提供射頻源 工作所需的各路電源,包括電子管工作的高低壓。 OSICLACTOR Board 板提供 射頻源的激勵(lì)信號(hào), Q1是震蕩管,Q4是推動(dòng)管,Q3,Q2組成脈寬功率調(diào)節(jié)電路。 V1和 V2是兩個(gè)輸出電子管,提供所需的射頻功率。其中 Lv 是低壓變壓器,機(jī) 器一通電,該變壓器就被通電。而 BV 是高壓變壓器,只有在需要射頻輸出時(shí)才 被通電。 Power Coupler 是入射功率和反射功率檢測(cè)模塊。主機(jī)背面的電位器 R5 和 R6 用于矯正入射和反射功率的偏差。 Test Port 測(cè)試端口用于檢測(cè)射頻電 源的工作參數(shù)。 射頻電源的調(diào)整 射頻電源調(diào)整的步驟如下: 1. 關(guān)閉交流電源。 2. 移除射頻電源
等離子刻蝕機(jī)濕法刻蝕相對(duì)于等離子刻蝕的缺點(diǎn)
1. 硅片水平運(yùn)行,機(jī)片高(等離子刻蝕去PSG槽式浸泡甩干,硅片受沖擊小);
2. 下料吸筆易污染硅片(等離子刻蝕去PSG后甩干);
3. 傳動(dòng)滾抽易變形(PVDF,PP材質(zhì)且水平放置易變形);
4. 成本高(化學(xué)品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加)。
此外,有些等離子刻蝕機(jī),如SCE等離子刻蝕機(jī)還具備"綠色"優(yōu)勢(shì):無(wú)氟氯化碳和污水、操作和環(huán)境安全、排除有毒和腐蝕性的液體。SCE等離子刻蝕機(jī)支持以下四種平面等離子體處理模式:
直接模式--基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上,以獲得最大的平面刻蝕效果。
定向模式--需要非等向性刻蝕(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式--基片可以放置在不帶電托架上,以便取得微小的等離子體效果。
定制模式--當(dāng)平面刻蝕配置不過(guò)理想時(shí),特制的電極配置可以提供。
1、 硅片水平運(yùn)行,機(jī)片高(等離子刻蝕去PSG槽式浸泡甩干,硅片受沖擊小);
2、下料吸筆易污染硅片(等離子刻蝕去PSG后甩干);
3、傳動(dòng)滾軸易變形(PVDF,PP材質(zhì)且水平放置易變形);
4、成本高(化學(xué)品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加)。
此外,有些等離子刻蝕機(jī),如SCE等離子刻蝕機(jī)還具備“綠色”優(yōu)勢(shì):無(wú)氟氯化碳和污水、操作和環(huán)境安全、排除有毒和腐蝕性的液體。SCE等離子刻蝕機(jī)支持以下四種平面等離子體處理模式:
直接模式——基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上,以獲得最大的平面刻蝕效果。
定向模式——需要非等向性刻蝕(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式——基片可以放置在不帶電托架上,以便取得微小的等離子體效果。
定制模式——當(dāng)平面刻蝕配置不過(guò)理想時(shí),特制的電極配置可以提供。
等離子刻蝕機(jī)的組成一般包括等離子發(fā)生器(工業(yè)上常用RF激發(fā)法),真空室,和電極。
其工作原理是用等離子體中的自由基(radical)去轟擊(bombard)或?yàn)R射(sputter)被刻蝕材料的表面分子,形成易揮發(fā)物質(zhì),從而實(shí)現(xiàn)刻蝕的目的。也有部分等離子刻蝕機(jī)采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)(Reactive Ion Etching)。