電容耦合高頻等離子體

介紹

電容耦合高頻等離子體(焰炬)capacili}ely caupfed high- frequency plasma[Torch)以小于30}MHa射頻為輻射頻率， 工作頻率在1U一1 OOMI-}a的一種電容藕合等離子體光源。 該光源由二極管振蕩器供給能量，并傳到電容器尖形電極上， 在尖端產(chǎn)生高場強。當(dāng)其周圍氣體電離時，便發(fā)生放電火炬， 且維持不熄;待測試液通過載氣霧化后，吸噴到放電區(qū)進行 激發(fā)。作為原子發(fā)射光i}分析光源 2100433B

電容耦合電路有多種同功能電路 ，它們都是電容耦合電路，但是各有不同，或是耦合電容的容量不同，或是電路形式不同。通過這些同功能電路的分析，可以擴展知識面，提高分析電路的能力。

1、高頻電容耦合電路

圖1-6所示是高頻耦合電容電路。C1是接在VT1集電極與VT2基極之間的高頻耦合電容，Cl是耦合電容，因為是高頻電路，所以Cl的容量較小，通常為0.01μF。電路的工作頻率越高，耦合電容的容量越小。

由于這是高頻電路，因此要求耦合電容采用高頻損耗小的高頻電容。

2、音頻電容耦合電路

圖1-7所示是音頻電容耦合電路，這是音頻電路中的電容耦合電路，音頻電路中的耦合電容容量通常為1～10μF。由于音頻電踣的工作頻率低，因此要求耦合電容容量大，故可以采用低頻電容，通常是有極性電解電容。

3、變形的音頻電容耦合電路

圖1-8所示是變形的電容耦合電路，這是變形的電容耦合電路，它在普通的電容耦合電路基礎(chǔ)上增加了一個電阻R1，R1串聯(lián)在耦合電容C1回路中，一些設(shè)計比較講究的電路通常會采用這種耦合電路。

作用提示：電阻R1的作用是用來防止可能出現(xiàn)的高頻振蕩，以提高電路工作的穩(wěn)定性。在音頻電路中，電阻R1通常取2.2kΩ。

4、集成電路輸入耦合電容電路和輸出耦合電容電路

圖1-9所示是集成電路輸入耦合電容電路和輸出耦合電容電路，串聯(lián)在集成電路A(502)輸入端（輸入引腳①）的電容C(553)是輸入端耦合電容，因為它是在集成電路的輸入端，所以被稱為輸入端耦合電容。

C(556)串聯(lián)在集成電路A(502)的輸出（輸出引腳③）回路中，所以被稱為輸出耦合電容。