多晶硅

中文名：多晶硅

英文名：polycrystalline silicon

灰色金屬光澤。密度2.32~2.34。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎(chǔ)材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。

多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如，在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面，遠(yuǎn)不如單晶硅明顯；在電學(xué)性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導(dǎo)電性。在化學(xué)活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類型和電阻率等。

多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，是當(dāng)代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料。被稱為“微電子大廈的基石”。

多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)主要為改良西門子法和硅烷法。西門子法通過氣相沉積的方式生產(chǎn)柱狀多晶硅，為了提高原料利用率和環(huán)境友好，在前者的基礎(chǔ)上采用了閉環(huán)式生產(chǎn)工藝即改良西門子法。該工藝將工業(yè)硅粉與HCl反應(yīng)，加工成SiHCI3 ，再讓SiHCl3在H2氣氛的還原爐中還原沉積得到多晶硅。還原爐排出的尾氣H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2 和HCl經(jīng)過分離后再循環(huán)利用。硅烷法是將硅烷通入以多晶硅晶種作為流化顆粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶種上沉積，從而得到顆粒狀多晶硅。改良西門子法和硅烷法主要生產(chǎn)電子級晶體硅，也可以生產(chǎn)太陽能級多晶硅。

西門子法是由德國Siemens公司發(fā)明并于1954 年申請了專利1965年左右實現(xiàn)了工業(yè)化。經(jīng)過幾十年的應(yīng)用和展，西門子法不斷完善，先后出現(xiàn)了第一代、第二代和第三代，第三代多晶硅生產(chǎn)工藝即改良西門子法，它在第二代的基礎(chǔ)上增加了還原尾氣干法回收系統(tǒng)、SiCl4回收氫化工藝，實現(xiàn)了完全閉環(huán)生產(chǎn)，是西門子法生產(chǎn)高純多晶硅技術(shù)的最新技術(shù)，其具體工藝流程如圖1所示。硅在西門子法多晶硅生產(chǎn)流程內(nèi)部的循環(huán)利用。

硅烷法是將硅烷通入以多晶硅晶種作為流化顆粒的流化床中， 是硅烷裂解并在晶種上沉積，從而得到顆粒狀多晶硅。因硅烷制備方法不同，有日本Komatsu發(fā)明的硅化鎂法，其具體流程如圖2所示、美國Union Carbide發(fā)明的歧化法、美國MEMC采用的NaAlH4與SiF4反應(yīng)方法。

硅化鎂法是用Mg2Si與NH C1在液氨中反應(yīng)生成硅烷。該法由于原料消耗量大，成本高，危險性大，而沒有推廣，目前只有日本Komatsu使用此法?，F(xiàn)代硅烷的制備采用歧化法，即以冶金級硅與SiC14為原料合成硅烷，首先用SiCl4、Si和H2反應(yīng)生成SiHCl3 ，然后SiHCl3 歧化反應(yīng)生成SiH2Cl2，最后由SiH2Cl2 進(jìn)行催化歧化反應(yīng)生成SiH4 ，即：3SiCl4+ Si+ 2H2= 4SiHCl3，2SiHC13= SiH2Cl2+ SiC14，3SiH2C12=SiH4+ 2SiHC13。由于上述每一步的轉(zhuǎn)換效率都比較低，所以物料需要多次循環(huán)，整個過程要反復(fù)加熱和冷卻，使得能耗比較高。制得的硅烷經(jīng)精餾提純后，通入類似西門子法固定床反應(yīng)器，在800℃下進(jìn)行熱分解，反應(yīng)如下：SiH4= Si+ 2H2。

硅烷氣體為有毒易燃性氣體，沸點低，反應(yīng)設(shè)備要密閉，并應(yīng)有防火、防凍、防爆等安全措施。硅烷又以它特有的自燃、爆炸性而著稱。硅烷有非常寬的自發(fā)著火范圍和極強的燃燒能量，決定了它是一種高危險性的氣體。硅烷應(yīng)用和推廣在很大程度上因其高危特性而受到限制在涉及硅烷的工程或?qū)嶒炛?，不?dāng)?shù)脑O(shè)計、操作或管理均會造成嚴(yán)重的事故甚至災(zāi)害。然而，實踐表明，過分的畏懼和不當(dāng)?shù)姆婪恫⒉荒芴峁?yīng)用硅烷的安全保障。因此，如何安全而有效地利用硅烷，一直是生產(chǎn)線和實驗室應(yīng)該高度關(guān)注的問題。

硅烷熱分解法與西門子法相比，其優(yōu)點主要在于：硅烷較易提純，含硅量較高（87.5%，分解速度快，分解率高達(dá)99%），分解溫度較低，生成的多晶硅的能耗僅為40 kW ·h/kg，且產(chǎn)品純度高。但是缺點也突出：硅烷不但制造成本較高，而且易燃、易爆、安全l生差，國外曾發(fā)生過硅烷工廠強烈爆炸的事故。因此，工業(yè)生產(chǎn)中，硅烷熱分解法的應(yīng)用不及西門子法。改良西門子法目前雖擁有最大的市場份額，但因其技術(shù)的固有缺點—產(chǎn)率低，能耗高，成本高，資金投入大，資金回收慢等，經(jīng)營風(fēng)險也最大。只有通過引人等離子體增強、流化床等先進(jìn)技術(shù)，加強技術(shù)創(chuàng)新，才有可能提高市場競爭能力。硅烷法的優(yōu)勢有利于為芯片產(chǎn)業(yè)服務(wù)，目前其生產(chǎn)安全性已逐步得到改進(jìn)，其生產(chǎn)規(guī)?？赡軙杆贁U大，甚至取代改良西門子法。雖然改良西門子法應(yīng)用廣泛，但是硅烷法很有發(fā)展前途。

與西門子方法相似，為了降低生產(chǎn)成本，流化床技術(shù)也被引入硅烷的熱分解過程，流化床分解爐可大大提高SiH4 的分解速率和Si的沉積速率。但是所得產(chǎn)品的純度不及固定床分解爐技術(shù)，但完全可以滿足太陽能級硅質(zhì)量要求，另外硅烷的安全性問題依然存在。

美國MEMC公司采用流化床技術(shù)實現(xiàn)了批量生產(chǎn)，其以NaA1H4 與SiF4 為原料制備硅烷，反應(yīng)式如下：SiF4+NaAlH4=Sil4+4NaAlF4。硅烷經(jīng)純化后在流化床式分解爐中進(jìn)行分解，反應(yīng)溫度為730℃左右，制得尺寸為1000微米的粒狀多晶硅。該法能耗低，粒狀多晶硅生產(chǎn)分解電耗為12kW·h/kg左右，約為改良西門子法的1/10，且一次轉(zhuǎn)化率高達(dá)98%，但是產(chǎn)物中存在大量微米尺度內(nèi)的粉塵，且粒狀多晶硅表面積大，易被污染，產(chǎn)品含氫量高，須進(jìn)行脫氫處理。

冶金法制備太陽能級多晶硅（Solar Grade Silicon簡稱SOG—Si），是指以冶金級硅（MetallurgicalGrade Silicon簡稱MG-Si）為原料（98.5%~99.5%）。經(jīng)過冶金提純制得純度在99.9999%以上用于生產(chǎn)太陽能電池的多晶硅原料的方法。冶金法在為太陽能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)服務(wù)上，存在成本低、能耗低、產(chǎn)出率高、投資門檻低等優(yōu)勢，通過發(fā)展新一代載能束高真空冶金技術(shù)，可使純度達(dá)到6N以上，并在若干年內(nèi)逐步發(fā)展成為太陽能級多晶硅的主流制備技術(shù)。

不同的冶金級硅含有的雜質(zhì)元素不同，但主要雜質(zhì)基本相同 ，主要包括Al、Fe、Ti、C、P、B等雜質(zhì)元素。而且針對不同的雜質(zhì)也研究了一些有效的去除方法。自從1975年Wacker公司用澆注法制備多晶硅材料以來，冶金法制備太陽能級多晶硅被認(rèn)為是一種有效降低生產(chǎn)成本、專門定位于太陽多級多晶硅的生產(chǎn)方法，可以滿足光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展需求。針對不同的雜質(zhì)性質(zhì)，制備太陽能級多晶硅的技術(shù)路線，如圖3所示。

多晶硅生產(chǎn)過程中主要危險、有害物質(zhì)中氯氣、氫氣、三氯氫硅、氯化氫等主要危險特性有：

1）氫氣：與空氣混合能形成爆炸性混合物，遇熱或明火即會發(fā)生爆炸。氣體比空氣輕，在室內(nèi)使用和儲存時，漏氣上升滯留屋頂不易排出，遇火星會引起爆炸。氫氣與氟、氯、溴等鹵素會劇烈反應(yīng)。

2）氧氣：助燃物、可燃物燃燒爆炸的基本要素之一，能氧化大多數(shù)活性物質(zhì)。與易燃物（如乙炔、甲烷等）形成有爆炸性的混合物。

3）氯：有刺激性氣味，能與許多化學(xué)品發(fā)生爆炸或生成爆炸性物質(zhì)。幾乎對金屬和非金屬都起腐蝕作用。屬高毒類。是一種強烈的刺激性氣體。

4）氯化氫：無水氯化氫無腐蝕性，但遇水時有強腐蝕性。能與一些活性金屬粉末發(fā)生反應(yīng)，放出氫氣。遇氰化物能產(chǎn)生劇毒的氰化氫氣體。

5）三氯氫硅：遇明火強烈燃燒。受高熱分解產(chǎn)生有毒的氯化物氣體。與氧化劑發(fā)生反應(yīng)，有燃燒危險。極易揮發(fā)，在空氣中發(fā)煙，遇水或水蒸氣能產(chǎn)生熱和有毒的腐蝕性煙霧。燃燒（分解）產(chǎn)物：氯化氫、氧化硅。

6）四氯化硅：受熱或遇水分解放熱，放出有毒的腐蝕性煙氣。

7）氫氟酸：腐蝕性極強。遇H發(fā)泡劑立即燃燒。能與普通金屬發(fā)生反應(yīng)，放出氫氣而與空氣形成爆炸性混合物。

8）硝酸：具有強氧化性。與易燃物（如苯）和有機物（如糖、纖維素等）接觸會發(fā)生劇烈反應(yīng)，甚至引起燃燒。與堿金屬能發(fā)生劇烈反應(yīng)。具有強腐蝕性。

9）氮氣：若遇高熱，容器內(nèi)壓增大。有開裂和爆炸的危險。

10）氟化氫：腐蝕性極強。若遇高熱，容器內(nèi)壓增大，有開裂和爆炸的危險。

11）氫氧化鈉：該品不燃，具強腐蝕性、強刺激性，可致人體灼傷。

在太陽能利用上，單晶硅和多晶硅也發(fā)揮著巨大的作用。雖然從目前來講，要使太陽能發(fā)電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，就必須提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本。從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。

當(dāng)前，晶體硅材料（包括多晶硅和單晶硅）是最主要的光伏材料，其市場占有率在90%以上，而且在今后相當(dāng)長的一段時期也依然是太陽能電池的主流材料。多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長期以來掌握在美、日、德等3個國家7個公司的10家工廠手中，形成技術(shù)封鎖、市場壟斷的狀況。

多晶硅的需求主要來自于半導(dǎo)體和太陽能電池。按純度要求不同，分為電子級和太陽能級。其中，用于電子級多晶硅占55%左右，太陽能級多晶硅占45%，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，太陽能電池對多晶硅需求量的增長速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展，預(yù)計到2008年太陽能多晶硅的需求量將超過電子級多晶硅。

1994年全世界太陽能電池的總產(chǎn)量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年里就增長了17倍。專家預(yù)測太陽能光伏產(chǎn)業(yè)在二十一世紀(jì)前半期將超過核電成為最重要的基礎(chǔ)能源之一。

據(jù)悉，美國能源部計劃到2010年累計安裝容量4600MW，日本計劃2010年達(dá)到5000MW，歐盟計劃達(dá)到6900MW，預(yù)計2010年世界累計安裝量至少18000MW。從上述的推測分析，至2010年太陽能電池用多晶硅至少在30000噸以上，表2給出了世界太陽能多晶硅工序的預(yù)測。據(jù)國外資料分析報道，世界多晶硅的產(chǎn)量2005年為28750噸，其中半導(dǎo)體級為20250噸，太陽能級為8500噸，半導(dǎo)體級需求量約為19000噸，略有過剩；太陽能級的需求量為15000噸，供不應(yīng)求，從2006年開始太陽能級和半導(dǎo)體級多晶硅需求的均有缺口，其中太陽能級產(chǎn)能缺口更大。

據(jù)日本稀有金屬雜志2005年11月24日報道，世界半導(dǎo)體與太陽能多晶硅需求緊張，主要是由于以歐洲為中心的太陽能市場迅速擴大，預(yù)計2006年，2007年多晶硅供應(yīng)不平衡的局面將為愈演愈烈，多晶硅價格方面半導(dǎo)體級與太陽能級原有的差別將逐步減小甚至消除，2005年世界太陽能電池產(chǎn)量約1GW，如果以1MW用多晶硅12噸計算，共需多晶硅是1.2萬噸，2005－2010年世界太陽能電池平均年增長率在25%，到2010年全世界半導(dǎo)體用于太陽能電池用多晶硅的年總的需求量將超過6.3萬噸。

世界多晶硅主要生產(chǎn)企業(yè)有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美國的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德國的Wacker公司等，其年產(chǎn)能絕大部分在1000噸以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三個公司生產(chǎn)規(guī)模最大，年生產(chǎn)能力均在3000－5000噸。

⑴多種生產(chǎn)工藝路線并存，產(chǎn)業(yè)化技術(shù)封鎖、壟斷局面不會改變。由于各多晶硅生產(chǎn)工廠所用主輔原料不盡相同，因此生產(chǎn)工藝技術(shù)不同；進(jìn)而對應(yīng)的多晶硅產(chǎn)品技術(shù)經(jīng)濟指標(biāo)、產(chǎn)品質(zhì)量指標(biāo)、用途、產(chǎn)品檢測方法、過程安全等方面也存在差異，各有技術(shù)特點和技術(shù)秘密，總的來說，目前國際上多晶硅生產(chǎn)主要的傳統(tǒng)工藝有：改良西門子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門子工藝生產(chǎn)的多晶硅的產(chǎn)能約占世界總產(chǎn)能的80%，短期內(nèi)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)壟斷封鎖的局面不會改變。

⑵新一代低成本多晶硅工藝技術(shù)研究空前活躍。除了傳統(tǒng)工藝（電子級和太陽能級兼容）及技術(shù)升級外，還涌現(xiàn)出了幾種專門生產(chǎn)太陽能級多晶硅的新工藝技術(shù)，主要有：改良西門子法的低價格工藝；冶金法從金屬硅中提取高純度硅；高純度SiO2直接制??；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；還原或熱分解工藝；無氯工藝技術(shù)，Al－Si溶體低溫制備太陽能級硅；熔鹽電解法等。

近年來，在中央政府大力推廣新能源政策的支持下，各地方省份也是積極跟進(jìn)，培養(yǎng)優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)。江西省抓住機遇，憑借粉石英（硅材料主要原料）儲量全國第一的資源優(yōu)勢，出臺多方面措施保障光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展。短短3、4年間，使得一大批光伏產(chǎn)業(yè)上下游項目迅速在江西集聚，成為中國重要的光伏產(chǎn)業(yè)基地。以新余為主產(chǎn)地、以賽維LDK和盛豐能源為核心企業(yè)的產(chǎn)業(yè)帶具有較強的生產(chǎn)能力，初步建立了從硅料、硅片到太陽能電池組件及配套產(chǎn)品的完整產(chǎn)業(yè)鏈，擁有了對外合作的有效途徑和一批關(guān)鍵人才，在國內(nèi)已具有較明顯的規(guī)模優(yōu)勢和市場競爭力。

2008年江西省光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，實現(xiàn)銷售收入128.9億元。另外該省生產(chǎn)的多晶硅片已占全球總產(chǎn)量的四分之一，龍頭企業(yè)賽維2008年的產(chǎn)能超過1400MW。

2009年初，經(jīng)省政府同意，由江西省發(fā)改委牽頭編制的《江西省光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》正式下發(fā)，為江西光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展確定了大的方向。規(guī)劃中提到，力爭到2012年將江西打造成為全球重要的光伏產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。按照規(guī)劃，未來數(shù)年，新余、豐城、南昌產(chǎn)業(yè)帶將建成全省光伏產(chǎn)業(yè)主要集聚區(qū)。

江西豐城工業(yè)園集中了國內(nèi)幾家主要的多晶硅生產(chǎn)企業(yè)，目前綜合產(chǎn)能達(dá)10000噸以上，其中江西盛豐新能源科技有限公司產(chǎn)能最大，2009年達(dá)到1500噸，2010年可達(dá)3000噸，預(yù)計2012年項目計劃工程完成后，產(chǎn)能將穩(wěn)定在4000噸以上。

江西盛豐新能源科技有限公司于2008年9月28日注冊成立。公司位于贛江之濱的豐城市豐源工業(yè)園，距省會南昌市僅60公里，距昌北機場1小時路程，周邊緊靠105國道、昌樟高速公路，交通便利。

盛豐能源是一家專業(yè)從事太陽能級多晶硅研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，擁有一批長期從事電力及硅材料提純生產(chǎn)的協(xié)作團隊，其具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新物理法太陽能級高純硅生產(chǎn)技術(shù)，將為國內(nèi)太陽能電池制造提供高效高純硅料并大幅降低太陽能電池制造成本，成為有別于西門子法高純硅生產(chǎn)技術(shù)依靠者，以大力提升光伏發(fā)電的競爭力。

江西賽維LDK太陽能高科技有限公司是世界規(guī)模最大的太陽能多晶硅片生產(chǎn)企業(yè)。工廠坐落于江西省新余市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，專注于太陽能多晶硅鑄錠及多晶硅片研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的高新技術(shù)光伏企業(yè)，擁有國際最先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。公司注冊資金11095萬美元，總投資近3億美元。2006年4月份投產(chǎn)， 7月份產(chǎn)能達(dá)到100兆瓦，8月份入選“RED HERRING亞洲百強企業(yè)”，10月份產(chǎn)能達(dá)到200兆瓦，被國際專業(yè)人士稱為“LDK速度奇跡”。榮獲“2006年中國新材料產(chǎn)業(yè)最具成長性企業(yè)”稱號。目前公司正致力于發(fā)展成為一個“世界級光伏企業(yè)”。

2007年6月1日，賽維LDK成功在美國紐約證交所上市，成為中國企業(yè)歷史上在美國單一發(fā)行最大的一次IPO；賽維LDK是江西省企業(yè)有史以來第一次在美國上市的企業(yè)，是中國新能源領(lǐng)域最大的一次IPO。

該公司1.5萬噸硅料項目近日已在江西省新余市正式啟動，該項目總固定資產(chǎn)投資120億元以上，預(yù)計將成為目前全球太陽能領(lǐng)域單個投資額最多、產(chǎn)能設(shè)計規(guī)模最大的項目之一。

據(jù)悉，該項目計劃首期在2008年底前建成投產(chǎn)，形成6000噸太陽能級硅料的年生產(chǎn)能力；2009年項目全部建成投產(chǎn)后，將形成1.5萬噸產(chǎn)能，從而使該公司成為世界主要的太陽能多晶硅原料生產(chǎn)企業(yè)。

2015年前三季度，多晶硅產(chǎn)量約為10.5萬噸，同比增長20%；硅片產(chǎn)量約為68億片，同比增長10%以上；電池片產(chǎn)量約為28GW，同比增長10%以上；組件產(chǎn)量約為31GW，同比增長26.4%。

多晶硅是高污染的項目，中國多數(shù)多晶硅企業(yè)環(huán)保不完全達(dá)標(biāo)。生產(chǎn)多晶硅的副產(chǎn)品——四氯化硅是高毒物質(zhì)。用于傾倒或掩埋四氯化硅的土地將變成不毛之地，草和樹都不會在這里生長。它具有潛在的極大危險，不僅有毒，還污染環(huán)境，回收成本巨大。

同國際先進(jìn)水平相比，國內(nèi)多晶硅生產(chǎn)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化方面的差距主要表現(xiàn)在以下幾個方面：

2005年中國太陽能用單晶硅企業(yè)開工率在20%－30%，半導(dǎo)體用單晶硅企業(yè)開工率在80%－90%，無法實現(xiàn)滿負(fù)荷生產(chǎn)，多晶硅技術(shù)和市場仍牢牢掌握在美、日、德國的少數(shù)幾個生產(chǎn)廠商中，嚴(yán)重制約中國產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

現(xiàn)在公認(rèn)的最小經(jīng)濟規(guī)模為1000噸/年，最佳經(jīng)濟規(guī)模在2500噸/年，而中國現(xiàn)階段多晶硅生產(chǎn)企業(yè)離此規(guī)模仍有較大的距離。

同類產(chǎn)品物料和電力消耗過大，三廢問題多，與國際水平相比，國內(nèi)多晶硅生產(chǎn)物耗能耗高出1倍以上，產(chǎn)品成本缺乏競爭力。

4、千噸級工藝和設(shè)備技術(shù)的可靠性、先進(jìn)性、成熟性以及各子系統(tǒng)的相互匹配性都有待生產(chǎn)運行驗證，并需要進(jìn)一步完善和改進(jìn)。

5、國內(nèi)多晶硅生產(chǎn)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新能力不強，基礎(chǔ)研究資金投入太少，尤其是非標(biāo)設(shè)備的研發(fā)制造能力差。

6、地方政府和企業(yè)項目投資多晶硅項目，存在低水平重復(fù)建設(shè)的隱憂。

1、發(fā)展壯大中國多晶硅產(chǎn)業(yè)的市場條件已經(jīng)基本具備、時機已經(jīng)成熟，國家相關(guān)部門加大對多晶硅產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)，科技創(chuàng)新、工藝完善、項目建設(shè)的支持力度，抓住有利時機發(fā)展壯大中國的多晶硅產(chǎn)業(yè)。

2、支持最具條件的改良西門子法共性技術(shù)的實施，加快突破千噸級多晶硅產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，形成從材料生產(chǎn)工藝、裝備、自動控制、回收循環(huán)利用的多晶硅產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線，材料性能接近國際同類產(chǎn)品指標(biāo)；建成節(jié)能、低耗、環(huán)保、循環(huán)、經(jīng)濟的多晶硅材料生產(chǎn)體系，提高我們多晶硅在國際上的競爭力。

3、依托高校以及研究院所，加強新一代低成本工藝技術(shù)基礎(chǔ)性及前瞻性研究，建立低成本太陽能及多晶硅研究開發(fā)的知識及技術(shù)創(chuàng)新體系，獲得具有自主知識產(chǎn)權(quán)的生產(chǎn)工藝和技術(shù)。

4、政府主管部門加強宏觀調(diào)控與行業(yè)管理，避免低水平項目的重復(fù)投資建設(shè)，保證產(chǎn)業(yè)的有序、可持續(xù)發(fā)展。

5、《多晶硅產(chǎn)能嚴(yán)重過剩 地方政府成主要推手》。2009年09月07日 07:07　來源：中央電視臺《經(jīng)濟半小時》。

多晶硅太陽能充電器是將光能轉(zhuǎn)換成電能的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備.

太陽能充電器的原理是：通過光電轉(zhuǎn)換板將光能轉(zhuǎn)換成電能并儲藏在內(nèi)置的容量為2600mAH的鋰電池里，然后再通過控制電路將內(nèi)置鋰電池的電能經(jīng)過輸出接口給手機，數(shù)碼相機,MP3,MP4等產(chǎn)品充電.

在長期無陽光照射的環(huán)境下，也可以通過市電（AC100V-240V）給內(nèi)置的鋰電池充電，適用于出差，旅游，長途乘車船，野外作業(yè)等環(huán)境的備用電源.

太陽能功率: 0.7W（多晶硅）

市電輸入： AC100V--240V

輸出電壓： DC5V或DC6V（可選）

最大輸出電流： DC300-500mA

內(nèi)置鋰電池： 2600mAH

產(chǎn)品重量： 110克

產(chǎn)品尺寸： 120X73X10mm

產(chǎn)品顏色： 紅藍(lán)銀黑金5種可選

為內(nèi)置鋰電充電：采用市電（交流100V--240V）給內(nèi)置鋰電池充電時，指示燈顯示為綠紅，約6-7個小時左右可以充滿，指示燈熄滅表示電池已充滿.將太陽能充電器放置于陽光下就可以給內(nèi)部自帶的電池充電了.紅燈亮表示正在充電，在陽光下約幾小時可以充滿.因陽光強弱而異.

為產(chǎn)品充電的使用方法：內(nèi)置鋰電池充滿后，就可以給手機，數(shù)碼相機，MP3,MP4等數(shù)碼產(chǎn)品充電了. 用充電連線將太陽能充電器與手機或數(shù)碼相機MP3,MP4等數(shù)碼產(chǎn)品連接好就可以充電了.充電時，指示燈顯示綠色，表明充電正常.

產(chǎn)品包裝及附件.

中性彩盒包裝.內(nèi)裝太陽能充電器1個，電源適配器1條，充電輸出線1條，轉(zhuǎn)換頭5個（摩托羅拉，三星，諾基亞，西門子，索愛）.中英文說明書一頁.

內(nèi)部設(shè)有保護電路，當(dāng)出現(xiàn)過載，短路時保護電路動作，輸出就沒有電壓了，解除保護的方法有二： 1，用市電AC100-240V充電數(shù)秒；2 在陽光下曬一下.這樣就可以恢復(fù)輸出了.

1.特別適用于應(yīng)急場合

當(dāng)您在野外作業(yè)或旅游，或者遇到停電時，太陽能充電器將會幫您的大忙，使您的手機隨時隨地保持工作狀態(tài)，讓您不間斷的與您的朋友和家人保持聯(lián)系.

2.使用方便

無論何時何地，您都可以極為方便的給您的手機或其它數(shù)碼產(chǎn)品充電

3.高效率充電

給您的手機充電60分鐘，可以獲得100-150分鐘通話時間

4.環(huán)保，節(jié)約資源

使用綠色能源太陽能，可為環(huán)保作出您的貢獻(xiàn).

5.外形時尚，攜帶方便

造型簡潔華貴，超薄不銹鋼外殼設(shè)計，小巧玲瓏，攜帶方便

6.使用安全

帶有充電過充保護，有效延長您的手機電池的使用壽命，使用安全

7.注意事項：第一次用市電充的時候可能要充久電，因為電池要個激過過程，可能要用上10多個小時，綠燈才會滅.要充上幾次過后,充電時間才可以慢慢縮短.

1、油脂：在多晶硅生產(chǎn)過程中，油分子對多晶硅的危害十分嚴(yán)重。實際證明，整個工藝系統(tǒng)幾ppm的油含量就可能造成多晶硅反應(yīng)速度減慢，產(chǎn)量降低，甚至硅反應(yīng)停止。因此，多晶硅設(shè)備的脫脂工藝尤為重要。

2、水分：水中含有大量的氯離子，氯離子對多晶硅的反應(yīng)十分敏感。設(shè)備及系統(tǒng)干燥工藝很關(guān)鍵。

3、氯離子殘留：水和其他溶液在設(shè)備表面殘留的氯離子對多晶硅影響十分大。因此，在清洗后對設(shè)備進(jìn)行純水沖洗工藝十分重要。

4、氧化物、灰塵其他雜質(zhì)：其他污垢的存在，對多晶硅的生產(chǎn)影響也很大。因此，在設(shè)備清洗過程中，采用酸洗工藝對其他污垢進(jìn)行清洗十分必要。

中華人民共和國工業(yè)和信息化部公告

工聯(lián)電子[2010]137號

為貫徹落實科學(xué)發(fā)展觀，促進(jìn)多晶硅行業(yè)節(jié)能降耗、淘汰落后和結(jié)構(gòu)調(diào)整，引導(dǎo)行業(yè)健康發(fā)展，根據(jù)國家有關(guān)法律法規(guī)和產(chǎn)業(yè)政策，工業(yè)和信息化部、國家發(fā)展改革委、環(huán)境保護部會同有關(guān)部門制定了《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入條件》，現(xiàn)予以公告。

有關(guān)部門在對多晶硅建設(shè)項目核準(zhǔn)、備案管理、土地審批、環(huán)境影響評價、信貸融資、生產(chǎn)許可、產(chǎn)品質(zhì)量認(rèn)證等工作中要以本準(zhǔn)入條件為依據(jù)。

附件：多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入條件

中華人民共和國工業(yè)和信息化部

中華人民共和國國家發(fā)展和改革委員會

中華人民共和國環(huán)境保護部

二〇一〇年十二月三十一日

附件：

多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入條件

為深入貫徹落實科學(xué)發(fā)展觀，規(guī)范和引導(dǎo)多晶硅行業(yè)健康發(fā)展，堅決抑制行業(yè)重復(fù)建設(shè)和產(chǎn)能過剩，根據(jù)國家有關(guān)法律法規(guī)和產(chǎn)業(yè)政策，按照優(yōu)化布局、調(diào)整結(jié)構(gòu)、節(jié)約能源、降低消耗、保護環(huán)境、安全生產(chǎn)的原則，特制訂多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入條件。

一、項目建設(shè)條件和生產(chǎn)布局

一多晶硅項目應(yīng)當(dāng)符合國家產(chǎn)業(yè)政策、用地政策及行業(yè)發(fā)展規(guī)劃，新建和改擴建項目投資中最低資本金比例不得低于30%。嚴(yán)格控制在能源短缺、電價較高的地區(qū)新建多晶硅項目，對缺乏綜合配套、安全衛(wèi)生和環(huán)保不達(dá)標(biāo)的多晶硅項目不予核準(zhǔn)或備案。

二在依法設(shè)立的基本農(nóng)田保護區(qū)、自然保護區(qū)、風(fēng)景名勝區(qū)、飲用水水源保護區(qū)，居民集中區(qū)、療養(yǎng)地、食品生產(chǎn)地等環(huán)境條件要求高的區(qū)域周邊1000米內(nèi)或國家、地方規(guī)劃的重點生態(tài)功能區(qū)的敏感區(qū)域內(nèi)，不得新建多晶硅項目。已在上述區(qū)域內(nèi)投產(chǎn)運營的多晶硅項目要根據(jù)該區(qū)域有關(guān)規(guī)劃，依法通過搬遷、轉(zhuǎn)停產(chǎn)等方式逐步退出。

三在政府投資項目核準(zhǔn)新目錄出臺前，新建多晶硅項目原則上不再批準(zhǔn)。但對加強技術(shù)創(chuàng)新、促進(jìn)節(jié)能環(huán)保等確有必要建設(shè)的項目，報國務(wù)院投資主管部門組織論證和核準(zhǔn)。

二、生產(chǎn)規(guī)模與技術(shù)設(shè)備

一太陽能級多晶硅項目每期規(guī)模大于3000噸/年，半導(dǎo)體級多晶硅項目規(guī)模大于1000噸/年。

二多晶硅企業(yè)應(yīng)積極采用符合本準(zhǔn)入條件要求的先進(jìn)工藝技術(shù)和產(chǎn)污強度小、節(jié)能環(huán)保的工藝設(shè)備以及安全設(shè)施，主要工段、設(shè)備參數(shù)應(yīng)能實現(xiàn)連續(xù)流程在線檢測。

三、資源回收利用及能耗

一新建多晶硅項目生產(chǎn)占地面積小于6公頃/千噸。現(xiàn)有多晶硅項目應(yīng)當(dāng)厲行節(jié)約集約用地原則。

二太陽能級多晶硅還原電耗小于80千瓦時/千克，到2011年底前小于60千瓦時/千克。

三半導(dǎo)體級直拉用多晶硅還原電耗小于100千瓦時/千克，半導(dǎo)體級區(qū)熔用多晶硅還原電耗小于120千瓦時/千克。

四還原尾氣中四氯化硅、氯化氫、氫氣回收利用率不低于98.5%、99%、99%。

五引導(dǎo)、支持多晶硅企業(yè)以多種方式實現(xiàn)多晶硅-電廠-化工聯(lián)營，支持節(jié)能環(huán)保太陽能級多晶硅技術(shù)研發(fā)，降低成本。

六到2011年底前，淘汰綜合電耗大于200千瓦時/千克的太陽能級多晶硅生產(chǎn)線。

七水資源實現(xiàn)綜合回收利用，水循環(huán)利用率≥95%。

四、環(huán)境保護

一新建和改擴建項目應(yīng)嚴(yán)格執(zhí)行《環(huán)境影響評價法》，依法向有審批權(quán)限的環(huán)境保護行政主管部門報批環(huán)境影響評價文件。按照環(huán)境保護“三同時”的要求，建設(shè)項目配套環(huán)境保護設(shè)施并依法申請項目竣工環(huán)境保護驗收，驗收合格后方可投入生產(chǎn)運行。未通過環(huán)境評價審批的項目一律不準(zhǔn)開工建設(shè)?，F(xiàn)有企業(yè)應(yīng)依法定期實施清潔生產(chǎn)審核，并通過評估驗收，兩次審核的時間間隔不得超過三年。

二廢氣

尾氣及NOx、HF酸霧排放部位均應(yīng)當(dāng)配備凈化裝置，采用溶液吸收法或其他方法對其凈化處理，廢氣排放達(dá)到《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB16297）和污染物排放總量控制要求。項目所在地有地方標(biāo)準(zhǔn)和要求的，應(yīng)當(dāng)執(zhí)行地方標(biāo)準(zhǔn)和要求。

三廢水

按照法律、行政法規(guī)和國務(wù)院環(huán)境保護主管部門的規(guī)定設(shè)置排污口。廢水排放應(yīng)符合國家相應(yīng)水污染物排放標(biāo)準(zhǔn)要求。凡是向已有地方排放標(biāo)準(zhǔn)的水體排放污染物的，應(yīng)當(dāng)執(zhí)行地方標(biāo)準(zhǔn)。

四固體廢物

一般工業(yè)固體廢物的貯存應(yīng)符合《一般工業(yè)固體廢物貯存、處置場污染控制標(biāo)準(zhǔn)》（GB18599），對產(chǎn)生的四氯化硅等危險廢物，應(yīng)嚴(yán)格執(zhí)行危險廢物相關(guān)管理規(guī)定。

五噪聲

廠界噪聲符合《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB12348）。

五、產(chǎn)品質(zhì)量

企業(yè)應(yīng)有質(zhì)量檢驗機構(gòu)和專職檢驗人員，有健全的質(zhì)量檢驗管理制度。半導(dǎo)體級多晶硅產(chǎn)品符合國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T12963所規(guī)定的質(zhì)量要求，太陽能級多晶硅產(chǎn)品符合國家標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的質(zhì)量要求。

六、安全、衛(wèi)生和社會責(zé)任

一多晶硅項目應(yīng)當(dāng)嚴(yán)格遵循職業(yè)危害防護設(shè)施和安全設(shè)施“三同時”制度要求。企業(yè)應(yīng)當(dāng)遵守《安全生產(chǎn)法》、《職業(yè)病防治法》等法律法規(guī)，執(zhí)行保障安全生產(chǎn)的國家標(biāo)準(zhǔn)或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

二企業(yè)應(yīng)當(dāng)有健全的安全生產(chǎn)組織管理體系，有職工安全生產(chǎn)培訓(xùn)制度和安全生產(chǎn)檢查制度。

三企業(yè)應(yīng)當(dāng)遵守《危險化學(xué)品安全管理條例》（國務(wù)院令第344號）、《危險化學(xué)品建設(shè)項目安全許可實施辦法》（國家安全生產(chǎn)監(jiān)督管理總局令第8號）、《安全預(yù)評價導(dǎo)則》、《危險化學(xué)品建設(shè)項目安全評價細(xì)則（試行）》（安監(jiān)總?；痆2007]255號）及相關(guān)規(guī)定，依法實施危險化學(xué)品建設(shè)項目安全許可和危險化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)安全生產(chǎn)許可，獲取《安全生產(chǎn)許可證》后方可投入運行。

四企業(yè)應(yīng)當(dāng)有職業(yè)危害防治措施，對重大危險源有檢測、評估、監(jiān)控措施和應(yīng)急預(yù)案，并配備必要的器材和設(shè)備。塵毒作業(yè)場所達(dá)到國家衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)。

五企業(yè)應(yīng)當(dāng)遵守國家法律法規(guī)，依法參加養(yǎng)老、失業(yè)、醫(yī)療、工傷等保險，并為從業(yè)人員繳足相關(guān)保險費用。

七、監(jiān)督與管理

一工業(yè)和信息化部負(fù)責(zé)多晶硅行業(yè)管理，商有關(guān)部門后以聯(lián)合公告形式發(fā)布符合準(zhǔn)入條件的多晶硅企業(yè)名單，形成《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入名單》，實行社會監(jiān)督、動態(tài)管理。

二對現(xiàn)有項目：

1.企業(yè)應(yīng)對照準(zhǔn)入條件編制《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入申請報告》并通過當(dāng)?shù)毓I(yè)和信息化主管部門報送工業(yè)和信息化部。

2.省級工業(yè)和信息化主管部門負(fù)責(zé)受理該地區(qū)多晶硅企業(yè)的申請，按準(zhǔn)入條件要求會同同級發(fā)展改革部門、環(huán)保部門對企業(yè)情況進(jìn)行核實并提出初審意見，附企業(yè)申請材料報送工業(yè)和信息化部。

3.工業(yè)和信息化部收到申請后，會同有關(guān)部門對企業(yè)申請材料組織審查，對符合準(zhǔn)入條件的企業(yè)進(jìn)行公示，無異議后予以公告。

對不符合準(zhǔn)入條件的企業(yè)，工業(yè)和信息化部通知省級工業(yè)和信息化主管部門責(zé)令企業(yè)整改，整改仍不達(dá)標(biāo)的企業(yè)應(yīng)當(dāng)逐步退出多晶硅生產(chǎn)。

三對新建和改擴建項目：

1.國務(wù)院投資主管部門按照準(zhǔn)入條件要求對新建和改擴建項目組織論證和核準(zhǔn)。

2.企業(yè)應(yīng)自投產(chǎn)之日起半年內(nèi)申請，省級工業(yè)和信息化主管部門會同同級發(fā)展改革部門、環(huán)保部門對其進(jìn)行檢查并提出檢查意見，附企業(yè)申請材料報送工業(yè)和信息化部。工業(yè)和信息化部對企業(yè)申請材料組織審查，對符合準(zhǔn)入條件的企業(yè)進(jìn)行公示，無異議后予以公告。

對不符合準(zhǔn)入條件的企業(yè)，工業(yè)和信息化部通知省級工業(yè)和信息化主管部門責(zé)令企業(yè)整改，整改仍不達(dá)標(biāo)的企業(yè)應(yīng)當(dāng)停止多晶硅生產(chǎn)。

四地方工業(yè)和信息化主管部門每年要會同有關(guān)部門對該地區(qū)企業(yè)生產(chǎn)過程中執(zhí)行準(zhǔn)入條件的情況進(jìn)行監(jiān)督檢查，工業(yè)和信息化部組織有關(guān)部門對公告企業(yè)進(jìn)行抽查。

五公告企業(yè)有下列情況，將撤銷其公告資格：

1.填報資料有弄虛作假行為；

2.拒絕接受監(jiān)督檢查；

3.不能保持準(zhǔn)入條件要求；

4.發(fā)生重大安全和污染責(zé)任事故；

5.違反法律、法規(guī)和國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)定。

六對不符合規(guī)劃布局、生產(chǎn)規(guī)模、資源利用、環(huán)境保護、安全衛(wèi)生等要求的多晶硅項目，投資管理部門不予核準(zhǔn)和備案，國土資源管理、環(huán)境保護、質(zhì)檢、安監(jiān)等部門不得辦理有關(guān)手續(xù)，金融機構(gòu)不得提供貸款和其它形式的授信支持。

七有關(guān)行業(yè)協(xié)會、產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中介機構(gòu)要協(xié)助做好準(zhǔn)入條件實施工作，組織企業(yè)加強協(xié)調(diào)和自律管理。

八、附則

一本準(zhǔn)入條件適用于中華人民共和國境內(nèi)（臺灣、香港、澳門地區(qū)除外）所有類型的多晶硅企業(yè)和項目。

二本準(zhǔn)入條件涉及的法律法規(guī)、國家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)政策若進(jìn)行修訂，按修訂后的規(guī)定執(zhí)行。

三本準(zhǔn)入條件自發(fā)布之日起實施，由工業(yè)和信息化部負(fù)責(zé)解釋，并根據(jù)行業(yè)發(fā)展情況和宏觀調(diào)控要求會同有關(guān)部門適時進(jìn)行修訂。

工業(yè)和信息化部關(guān)于印發(fā)《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入申請報告》的通知

【發(fā)布時間：2011年06月03日 】

信廳電子[2011]106號

各省、自治區(qū)、直轄市及計劃單列市、新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團工業(yè)和信息化主管部門：

為貫徹落實《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入條件》，切實引導(dǎo)和規(guī)范多晶硅行業(yè)發(fā)展，推動中國光伏產(chǎn)業(yè)健康持續(xù)發(fā)展，我部會同發(fā)展改革委、環(huán)境保護部制定了《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入申請報告》，現(xiàn)印發(fā)你們，并就有關(guān)事項通知如下：

一、各省、自治區(qū)、直轄市及計劃單列市、新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團工業(yè)和信息化主管部門負(fù)責(zé)受理該地區(qū)的多晶硅企業(yè)準(zhǔn)入公告申請，并會同同級相關(guān)部門按照《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入條件》和《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入申請報告》的工作程序和要求，對申請公告的企業(yè)所提供的材料進(jìn)行核實，將核實意見和企業(yè)填報材料一并報送我部（電子信息司）。

二、我部在組織專家并委托相關(guān)檢測機構(gòu)對申報材料復(fù)核、檢查后，會同有關(guān)部委以公告形式發(fā)布符合準(zhǔn)入條件的多晶硅企業(yè)名單。

三、請負(fù)責(zé)此項工作的省級主管部門認(rèn)真組織好該地區(qū)多晶硅企業(yè)準(zhǔn)入申請管理工作，于2011年7月15日前將第一批申請企業(yè)的核實意見及相關(guān)材料（一式六份）報送我部。

二〇一一年五月二十七日 ? ?

據(jù)美國《芝加哥論壇報》網(wǎng)站7月30日報道，市場研究公司“國際數(shù)據(jù)公司”(IDC)近日發(fā)布報告稱，今年第二季度智能手機出貨量近300萬部，與去年同期相比增長了近25%。

三星出貨量為7430萬部，仍然保持著市場領(lǐng)頭羊的地位。但據(jù)報告，與去年第二季度的7730萬相比，三星出貨量還是有所下滑。其市場份額也從32.3%降至了25.2%。

聯(lián)想集團出貨量從1140萬上漲到了1580萬，同比增長了38.7%。其智能手機市場份額也從4.7%上升到了5.4%。一月份聯(lián)想曾表示將從谷歌手中以29.1億美元收購手機制造商摩托羅拉移動公司。

IDC研究經(jīng)理Ramon Llamas稱，智能手機產(chǎn)業(yè)的增長大部分是由亞洲南美和中東等地區(qū)的新興市場帶動的，因為這些地區(qū)的手機價格更為低廉。

據(jù)IDC報告，以下是排名前五位的智能手機廠商：

三星：出貨量7430萬，市場份額25.2%。

蘋果：出貨量3510萬，市場份額11.9%。

華為：出貨量2030萬，市場份額6.9%。

聯(lián)想：出貨量1580萬，市場份額5.4%。

LG電子：出貨量1450萬，市場份額4.9%。

單晶硅太陽電池的生產(chǎn)需要消耗大量的高純硅材料，而制造這些材料工藝復(fù)雜，電耗很大，在太陽電池生產(chǎn)總成本中己超二分之一，加之拉制的單晶硅棒呈圓柱狀，切片制作太陽電池也是圓片，組成太陽能組件平面利用率低。因此，80年代以來，歐美一些國家投入了多晶硅太陽電池的研制。目前太陽電池使用的多晶硅材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或用廢次單晶硅料和冶金級硅材料熔化澆鑄而成。其工藝過程是選擇電阻率為100～300歐姆·厘米的多晶塊料或單晶硅頭尾料，經(jīng)破碎，用1：5的氫氟酸和硝酸混合液進(jìn)行適當(dāng)?shù)母g，然后用去離子水沖洗呈中性，并烘干。用石英坩堝裝好多晶硅料，加人適量硼硅，放人澆鑄爐，在真空狀態(tài)中加熱熔化。熔化后應(yīng)保溫約20分鐘，然后注入石墨鑄模中，待慢慢凝固冷卻后，即得多晶硅錠。這種硅錠可鑄成立方體，以便切片加工成方形太陽電池片，可提高材質(zhì)利用率和方便組裝。多晶硅太陽電池的制作工藝與單晶硅太陽電池差不多，其光電轉(zhuǎn)換效率約12%左右，稍低于單晶硅太陽電池，但是材料制造簡便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到大量發(fā)展。隨著技術(shù)得提高，目前多晶硅的轉(zhuǎn)換效率也可以達(dá)到14%左右。