多晶硅影響因素

1、油脂：在多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中，油分子對(duì)多晶硅的危害十分嚴(yán)重。實(shí)際證明，整個(gè)工藝系統(tǒng)幾ppm的油含量就可能造成多晶硅反應(yīng)速度減慢，產(chǎn)量降低，甚至硅反應(yīng)停止。因此，多晶硅設(shè)備的脫脂工藝尤為重要。

2、水分：水中含有大量的氯離子，氯離子對(duì)多晶硅的反應(yīng)十分敏感。設(shè)備及系統(tǒng)干燥工藝很關(guān)鍵。

3、氯離子殘留：水和其他溶液在設(shè)備表面殘留的氯離子對(duì)多晶硅影響十分大。因此，在清洗后對(duì)設(shè)備進(jìn)行純水沖洗工藝十分重要。

4、氧化物、灰塵其他雜質(zhì)：其他污垢的存在，對(duì)多晶硅的生產(chǎn)影響也很大。因此，在設(shè)備清洗過(guò)程中，采用酸洗工藝對(duì)其他污垢進(jìn)行清洗十分必要。

多晶硅太陽(yáng)能充電器是將光能轉(zhuǎn)換成電能的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備.

太陽(yáng)能充電器的原理是：通過(guò)光電轉(zhuǎn)換板將光能轉(zhuǎn)換成電能并儲(chǔ)藏在內(nèi)置的容量為2600mAH的鋰電池里，然后再通過(guò)控制電路將內(nèi)置鋰電池的電能經(jīng)過(guò)輸出接口給手機(jī)，數(shù)碼相機(jī),MP3,MP4等產(chǎn)品充電.

在長(zhǎng)期無(wú)陽(yáng)光照射的環(huán)境下，也可以通過(guò)市電（AC100V-240V）給內(nèi)置的鋰電池充電，適用于出差，旅游，長(zhǎng)途乘車船，野外作業(yè)等環(huán)境的備用電源.

太陽(yáng)能功率: 0.7W（多晶硅）

市電輸入： AC100V--240V

輸出電壓： DC5V或DC6V（可選）

最大輸出電流： DC300-500mA

內(nèi)置鋰電池： 2600mAH

產(chǎn)品重量： 110克

產(chǎn)品尺寸： 120X73X10mm

產(chǎn)品顏色： 紅藍(lán)銀黑金5種可選

為內(nèi)置鋰電充電：采用市電（交流100V--240V）給內(nèi)置鋰電池充電時(shí)，指示燈顯示為綠紅，約6-7個(gè)小時(shí)左右可以充滿，指示燈熄滅表示電池已充滿.將太陽(yáng)能充電器放置于陽(yáng)光下就可以給內(nèi)部自帶的電池充電了.紅燈亮表示正在充電，在陽(yáng)光下約幾小時(shí)可以充滿.因陽(yáng)光強(qiáng)弱而異.

為產(chǎn)品充電的使用方法：內(nèi)置鋰電池充滿后，就可以給手機(jī)，數(shù)碼相機(jī)，MP3,MP4等數(shù)碼產(chǎn)品充電了. 用充電連線將太陽(yáng)能充電器與手機(jī)或數(shù)碼相機(jī)MP3,MP4等數(shù)碼產(chǎn)品連接好就可以充電了.充電時(shí)，指示燈顯示綠色，表明充電正常.

產(chǎn)品包裝及附件.

中性彩盒包裝.內(nèi)裝太陽(yáng)能充電器1個(gè)，電源適配器1條，充電輸出線1條，轉(zhuǎn)換頭5個(gè)（摩托羅拉，三星，諾基亞，西門子，索愛(ài)）.中英文說(shuō)明書(shū)一頁(yè).

內(nèi)部設(shè)有保護(hù)電路，當(dāng)出現(xiàn)過(guò)載，短路時(shí)保護(hù)電路動(dòng)作，輸出就沒(méi)有電壓了，解除保護(hù)的方法有二： 1，用市電AC100-240V充電數(shù)秒；2 在陽(yáng)光下曬一下.這樣就可以恢復(fù)輸出了.

1.特別適用于應(yīng)急場(chǎng)合

當(dāng)您在野外作業(yè)或旅游，或者遇到停電時(shí)，太陽(yáng)能充電器將會(huì)幫您的大忙，使您的手機(jī)隨時(shí)隨地保持工作狀態(tài)，讓您不間斷的與您的朋友和家人保持聯(lián)系.

2.使用方便

無(wú)論何時(shí)何地，您都可以極為方便的給您的手機(jī)或其它數(shù)碼產(chǎn)品充電

3.高效率充電

給您的手機(jī)充電60分鐘，可以獲得100-150分鐘通話時(shí)間

4.環(huán)保，節(jié)約資源

使用綠色能源太陽(yáng)能，可為環(huán)保作出您的貢獻(xiàn).

5.外形時(shí)尚，攜帶方便

造型簡(jiǎn)潔華貴，超薄不銹鋼外殼設(shè)計(jì)，小巧玲瓏，攜帶方便

6.使用安全

帶有充電過(guò)充保護(hù)，有效延長(zhǎng)您的手機(jī)電池的使用壽命，使用安全

7.注意事項(xiàng)：第一次用市電充的時(shí)候可能要充久電，因?yàn)殡姵匾獋€(gè)激過(guò)過(guò)程，可能要用上10多個(gè)小時(shí)，綠燈才會(huì)滅.要充上幾次過(guò)后,充電時(shí)間才可以慢慢縮短.

1、發(fā)展壯大中國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)條件已經(jīng)基本具備、時(shí)機(jī)已經(jīng)成熟，國(guó)家相關(guān)部門加大對(duì)多晶硅產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)，科技創(chuàng)新、工藝完善、項(xiàng)目建設(shè)的支持力度，抓住有利時(shí)機(jī)發(fā)展壯大中國(guó)的多晶硅產(chǎn)業(yè)。

2、支持最具條件的改良西門子法共性技術(shù)的實(shí)施，加快突破千噸級(jí)多晶硅產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，形成從材料生產(chǎn)工藝、裝備、自動(dòng)控制、回收循環(huán)利用的多晶硅產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線，材料性能接近國(guó)際同類產(chǎn)品指標(biāo)；建成節(jié)能、低耗、環(huán)保、循環(huán)、經(jīng)濟(jì)的多晶硅材料生產(chǎn)體系，提高我們多晶硅在國(guó)際上的競(jìng)爭(zhēng)力。

3、依托高校以及研究院所，加強(qiáng)新一代低成本工藝技術(shù)基礎(chǔ)性及前瞻性研究，建立低成本太陽(yáng)能及多晶硅研究開(kāi)發(fā)的知識(shí)及技術(shù)創(chuàng)新體系，獲得具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的生產(chǎn)工藝和技術(shù)。

4、政府主管部門加強(qiáng)宏觀調(diào)控與行業(yè)管理，避免低水平項(xiàng)目的重復(fù)投資建設(shè)，保證產(chǎn)業(yè)的有序、可持續(xù)發(fā)展。

5、《多晶硅產(chǎn)能嚴(yán)重過(guò)剩 地方政府成主要推手》。2009年09月07日 07:07　來(lái)源：中央電視臺(tái)《經(jīng)濟(jì)半小時(shí)》。

多晶硅是高污染的項(xiàng)目，中國(guó)多數(shù)多晶硅企業(yè)環(huán)保不完全達(dá)標(biāo)。生產(chǎn)多晶硅的副產(chǎn)品——四氯化硅是高毒物質(zhì)。用于傾倒或掩埋四氯化硅的土地將變成不毛之地，草和樹(shù)都不會(huì)在這里生長(zhǎng)。它具有潛在的極大危險(xiǎn)，不僅有毒，還污染環(huán)境，回收成本巨大。

同國(guó)際先進(jìn)水平相比，國(guó)內(nèi)多晶硅生產(chǎn)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化方面的差距主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

2005年中國(guó)太陽(yáng)能用單晶硅企業(yè)開(kāi)工率在20%－30%，半導(dǎo)體用單晶硅企業(yè)開(kāi)工率在80%－90%，無(wú)法實(shí)現(xiàn)滿負(fù)荷生產(chǎn)，多晶硅技術(shù)和市場(chǎng)仍牢牢掌握在美、日、德國(guó)的少數(shù)幾個(gè)生產(chǎn)廠商中，嚴(yán)重制約中國(guó)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

現(xiàn)在公認(rèn)的最小經(jīng)濟(jì)規(guī)模為1000噸/年，最佳經(jīng)濟(jì)規(guī)模在2500噸/年，而中國(guó)現(xiàn)階段多晶硅生產(chǎn)企業(yè)離此規(guī)模仍有較大的距離。

同類產(chǎn)品物料和電力消耗過(guò)大，三廢問(wèn)題多，與國(guó)際水平相比，國(guó)內(nèi)多晶硅生產(chǎn)物耗能耗高出1倍以上，產(chǎn)品成本缺乏競(jìng)爭(zhēng)力。

4、千噸級(jí)工藝和設(shè)備技術(shù)的可靠性、先進(jìn)性、成熟性以及各子系統(tǒng)的相互匹配性都有待生產(chǎn)運(yùn)行驗(yàn)證，并需要進(jìn)一步完善和改進(jìn)。

5、國(guó)內(nèi)多晶硅生產(chǎn)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新能力不強(qiáng)，基礎(chǔ)研究資金投入太少，尤其是非標(biāo)設(shè)備的研發(fā)制造能力差。

6、地方政府和企業(yè)項(xiàng)目投資多晶硅項(xiàng)目，存在低水平重復(fù)建設(shè)的隱憂。

近年來(lái)，在中央政府大力推廣新能源政策的支持下，各地方省份也是積極跟進(jìn)，培養(yǎng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)。江西省抓住機(jī)遇，憑借粉石英（硅材料主要原料）儲(chǔ)量全國(guó)第一的資源優(yōu)勢(shì)，出臺(tái)多方面措施保障光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展。短短3、4年間，使得一大批光伏產(chǎn)業(yè)上下游項(xiàng)目迅速在江西集聚，成為中國(guó)重要的光伏產(chǎn)業(yè)基地。以新余為主產(chǎn)地、以賽維LDK和盛豐能源為核心企業(yè)的產(chǎn)業(yè)帶具有較強(qiáng)的生產(chǎn)能力，初步建立了從硅料、硅片到太陽(yáng)能電池組件及配套產(chǎn)品的完整產(chǎn)業(yè)鏈，擁有了對(duì)外合作的有效途徑和一批關(guān)鍵人才，在國(guó)內(nèi)已具有較明顯的規(guī)模優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

2008年江西省光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，實(shí)現(xiàn)銷售收入128.9億元。另外該省生產(chǎn)的多晶硅片已占全球總產(chǎn)量的四分之一，龍頭企業(yè)賽維2008年的產(chǎn)能超過(guò)1400MW。

2009年初，經(jīng)省政府同意，由江西省發(fā)改委牽頭編制的《江西省光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》正式下發(fā)，為江西光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展確定了大的方向。規(guī)劃中提到，力爭(zhēng)到2012年將江西打造成為全球重要的光伏產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。按照規(guī)劃，未來(lái)數(shù)年，新余、豐城、南昌產(chǎn)業(yè)帶將建成全省光伏產(chǎn)業(yè)主要集聚區(qū)。

江西豐城工業(yè)園集中了國(guó)內(nèi)幾家主要的多晶硅生產(chǎn)企業(yè)，目前綜合產(chǎn)能達(dá)10000噸以上，其中江西盛豐新能源科技有限公司產(chǎn)能最大，2009年達(dá)到1500噸，2010年可達(dá)3000噸，預(yù)計(jì)2012年項(xiàng)目計(jì)劃工程完成后，產(chǎn)能將穩(wěn)定在4000噸以上。

江西盛豐新能源科技有限公司于2008年9月28日注冊(cè)成立。公司位于贛江之濱的豐城市豐源工業(yè)園，距省會(huì)南昌市僅60公里，距昌北機(jī)場(chǎng)1小時(shí)路程，周邊緊靠105國(guó)道、昌樟高速公路，交通便利。

盛豐能源是一家專業(yè)從事太陽(yáng)能級(jí)多晶硅研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，擁有一批長(zhǎng)期從事電力及硅材料提純生產(chǎn)的協(xié)作團(tuán)隊(duì)，其具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新物理法太陽(yáng)能級(jí)高純硅生產(chǎn)技術(shù)，將為國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能電池制造提供高效高純硅料并大幅降低太陽(yáng)能電池制造成本，成為有別于西門子法高純硅生產(chǎn)技術(shù)依靠者，以大力提升光伏發(fā)電的競(jìng)爭(zhēng)力。

江西賽維LDK太陽(yáng)能高科技有限公司是世界規(guī)模最大的太陽(yáng)能多晶硅片生產(chǎn)企業(yè)。工廠坐落于江西省新余市經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)，專注于太陽(yáng)能多晶硅鑄錠及多晶硅片研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的高新技術(shù)光伏企業(yè)，擁有國(guó)際最先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。公司注冊(cè)資金11095萬(wàn)美元，總投資近3億美元。2006年4月份投產(chǎn)， 7月份產(chǎn)能達(dá)到100兆瓦，8月份入選“RED HERRING亞洲百?gòu)?qiáng)企業(yè)”，10月份產(chǎn)能達(dá)到200兆瓦，被國(guó)際專業(yè)人士稱為“LDK速度奇跡”。榮獲“2006年中國(guó)新材料產(chǎn)業(yè)最具成長(zhǎng)性企業(yè)”稱號(hào)。目前公司正致力于發(fā)展成為一個(gè)“世界級(jí)光伏企業(yè)”。

2007年6月1日，賽維LDK成功在美國(guó)紐約證交所上市，成為中國(guó)企業(yè)歷史上在美國(guó)單一發(fā)行最大的一次IPO；賽維LDK是江西省企業(yè)有史以來(lái)第一次在美國(guó)上市的企業(yè)，是中國(guó)新能源領(lǐng)域最大的一次IPO。

該公司1.5萬(wàn)噸硅料項(xiàng)目近日已在江西省新余市正式啟動(dòng)，該項(xiàng)目總固定資產(chǎn)投資120億元以上，預(yù)計(jì)將成為目前全球太陽(yáng)能領(lǐng)域單個(gè)投資額最多、產(chǎn)能設(shè)計(jì)規(guī)模最大的項(xiàng)目之一。

據(jù)悉，該項(xiàng)目計(jì)劃首期在2008年底前建成投產(chǎn)，形成6000噸太陽(yáng)能級(jí)硅料的年生產(chǎn)能力；2009年項(xiàng)目全部建成投產(chǎn)后，將形成1.5萬(wàn)噸產(chǎn)能，從而使該公司成為世界主要的太陽(yáng)能多晶硅原料生產(chǎn)企業(yè)。

2015年前三季度，多晶硅產(chǎn)量約為10.5萬(wàn)噸，同比增長(zhǎng)20%；硅片產(chǎn)量約為68億片，同比增長(zhǎng)10%以上；電池片產(chǎn)量約為28GW，同比增長(zhǎng)10%以上；組件產(chǎn)量約為31GW，同比增長(zhǎng)26.4%。

⑴多種生產(chǎn)工藝路線并存，產(chǎn)業(yè)化技術(shù)封鎖、壟斷局面不會(huì)改變。由于各多晶硅生產(chǎn)工廠所用主輔原料不盡相同，因此生產(chǎn)工藝技術(shù)不同；進(jìn)而對(duì)應(yīng)的多晶硅產(chǎn)品技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)、產(chǎn)品質(zhì)量指標(biāo)、用途、產(chǎn)品檢測(cè)方法、過(guò)程安全等方面也存在差異，各有技術(shù)特點(diǎn)和技術(shù)秘密，總的來(lái)說(shuō)，目前國(guó)際上多晶硅生產(chǎn)主要的傳統(tǒng)工藝有：改良西門子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門子工藝生產(chǎn)的多晶硅的產(chǎn)能約占世界總產(chǎn)能的80%，短期內(nèi)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)壟斷封鎖的局面不會(huì)改變。

⑵新一代低成本多晶硅工藝技術(shù)研究空前活躍。除了傳統(tǒng)工藝（電子級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)兼容）及技術(shù)升級(jí)外，還涌現(xiàn)出了幾種專門生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的新工藝技術(shù)，主要有：改良西門子法的低價(jià)格工藝；冶金法從金屬硅中提取高純度硅；高純度SiO2直接制??；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；還原或熱分解工藝；無(wú)氯工藝技術(shù)，Al－Si溶體低溫制備太陽(yáng)能級(jí)硅；熔鹽電解法等。

當(dāng)前，晶體硅材料（包括多晶硅和單晶硅）是最主要的光伏材料，其市場(chǎng)占有率在90%以上，而且在今后相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)期也依然是太陽(yáng)能電池的主流材料。多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長(zhǎng)期以來(lái)掌握在美、日、德等3個(gè)國(guó)家7個(gè)公司的10家工廠手中，形成技術(shù)封鎖、市場(chǎng)壟斷的狀況。

多晶硅的需求主要來(lái)自于半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池。按純度要求不同，分為電子級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)。其中，用于電子級(jí)多晶硅占55%左右，太陽(yáng)能級(jí)多晶硅占45%，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，太陽(yáng)能電池對(duì)多晶硅需求量的增長(zhǎng)速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展，預(yù)計(jì)到2008年太陽(yáng)能多晶硅的需求量將超過(guò)電子級(jí)多晶硅。

1994年全世界太陽(yáng)能電池的總產(chǎn)量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年里就增長(zhǎng)了17倍。專家預(yù)測(cè)太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)在二十一世紀(jì)前半期將超過(guò)核電成為最重要的基礎(chǔ)能源之一。

據(jù)悉，美國(guó)能源部計(jì)劃到2010年累計(jì)安裝容量4600MW，日本計(jì)劃2010年達(dá)到5000MW，歐盟計(jì)劃達(dá)到6900MW，預(yù)計(jì)2010年世界累計(jì)安裝量至少18000MW。從上述的推測(cè)分析，至2010年太陽(yáng)能電池用多晶硅至少在30000噸以上，表2給出了世界太陽(yáng)能多晶硅工序的預(yù)測(cè)。據(jù)國(guó)外資料分析報(bào)道，世界多晶硅的產(chǎn)量2005年為28750噸，其中半導(dǎo)體級(jí)為20250噸，太陽(yáng)能級(jí)為8500噸，半導(dǎo)體級(jí)需求量約為19000噸，略有過(guò)剩；太陽(yáng)能級(jí)的需求量為15000噸，供不應(yīng)求，從2006年開(kāi)始太陽(yáng)能級(jí)和半導(dǎo)體級(jí)多晶硅需求的均有缺口，其中太陽(yáng)能級(jí)產(chǎn)能缺口更大。

據(jù)日本稀有金屬雜志2005年11月24日?qǐng)?bào)道，世界半導(dǎo)體與太陽(yáng)能多晶硅需求緊張，主要是由于以歐洲為中心的太陽(yáng)能市場(chǎng)迅速擴(kuò)大，預(yù)計(jì)2006年，2007年多晶硅供應(yīng)不平衡的局面將為愈演愈烈，多晶硅價(jià)格方面半導(dǎo)體級(jí)與太陽(yáng)能級(jí)原有的差別將逐步減小甚至消除，2005年世界太陽(yáng)能電池產(chǎn)量約1GW，如果以1MW用多晶硅12噸計(jì)算，共需多晶硅是1.2萬(wàn)噸，2005－2010年世界太陽(yáng)能電池平均年增長(zhǎng)率在25%，到2010年全世界半導(dǎo)體用于太陽(yáng)能電池用多晶硅的年總的需求量將超過(guò)6.3萬(wàn)噸。

世界多晶硅主要生產(chǎn)企業(yè)有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美國(guó)的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德國(guó)的Wacker公司等，其年產(chǎn)能絕大部分在1000噸以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三個(gè)公司生產(chǎn)規(guī)模最大，年生產(chǎn)能力均在3000－5000噸。

在太陽(yáng)能利用上，單晶硅和多晶硅也發(fā)揮著巨大的作用。雖然從目前來(lái)講，要使太陽(yáng)能發(fā)電具有較大的市場(chǎng)，被廣大的消費(fèi)者接受，就必須提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本。從目前國(guó)際太陽(yáng)電池的發(fā)展過(guò)程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。

多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中主要危險(xiǎn)、有害物質(zhì)中氯氣、氫氣、三氯氫硅、氯化氫等主要危險(xiǎn)特性有：

1）氫氣：與空氣混合能形成爆炸性混合物，遇熱或明火即會(huì)發(fā)生爆炸。氣體比空氣輕，在室內(nèi)使用和儲(chǔ)存時(shí)，漏氣上升滯留屋頂不易排出，遇火星會(huì)引起爆炸。氫氣與氟、氯、溴等鹵素會(huì)劇烈反應(yīng)。

2）氧氣：助燃物、可燃物燃燒爆炸的基本要素之一，能氧化大多數(shù)活性物質(zhì)。與易燃物（如乙炔、甲烷等）形成有爆炸性的混合物。

3）氯：有刺激性氣味，能與許多化學(xué)品發(fā)生爆炸或生成爆炸性物質(zhì)。幾乎對(duì)金屬和非金屬都起腐蝕作用。屬高毒類。是一種強(qiáng)烈的刺激性氣體。

4）氯化氫：無(wú)水氯化氫無(wú)腐蝕性，但遇水時(shí)有強(qiáng)腐蝕性。能與一些活性金屬粉末發(fā)生反應(yīng)，放出氫氣。遇氰化物能產(chǎn)生劇毒的氰化氫氣體。

5）三氯氫硅：遇明火強(qiáng)烈燃燒。受高熱分解產(chǎn)生有毒的氯化物氣體。與氧化劑發(fā)生反應(yīng)，有燃燒危險(xiǎn)。極易揮發(fā)，在空氣中發(fā)煙，遇水或水蒸氣能產(chǎn)生熱和有毒的腐蝕性煙霧。燃燒（分解）產(chǎn)物：氯化氫、氧化硅。

6）四氯化硅：受熱或遇水分解放熱，放出有毒的腐蝕性煙氣。

7）氫氟酸：腐蝕性極強(qiáng)。遇H發(fā)泡劑立即燃燒。能與普通金屬發(fā)生反應(yīng)，放出氫氣而與空氣形成爆炸性混合物。

8）硝酸：具有強(qiáng)氧化性。與易燃物（如苯）和有機(jī)物（如糖、纖維素等）接觸會(huì)發(fā)生劇烈反應(yīng)，甚至引起燃燒。與堿金屬能發(fā)生劇烈反應(yīng)。具有強(qiáng)腐蝕性。

9）氮?dú)猓喝粲龈邿幔萜鲀?nèi)壓增大。有開(kāi)裂和爆炸的危險(xiǎn)。

10）氟化氫：腐蝕性極強(qiáng)。若遇高熱，容器內(nèi)壓增大，有開(kāi)裂和爆炸的危險(xiǎn)。

11）氫氧化鈉：該品不燃，具強(qiáng)腐蝕性、強(qiáng)刺激性，可致人體灼傷。

多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)主要為改良西門子法和硅烷法。西門子法通過(guò)氣相沉積的方式生產(chǎn)柱狀多晶硅，為了提高原料利用率和環(huán)境友好，在前者的基礎(chǔ)上采用了閉環(huán)式生產(chǎn)工藝即改良西門子法。該工藝將工業(yè)硅粉與HCl反應(yīng)，加工成SiHCI3 ，再讓SiHCl3在H2氣氛的還原爐中還原沉積得到多晶硅。還原爐排出的尾氣H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2 和HCl經(jīng)過(guò)分離后再循環(huán)利用。硅烷法是將硅烷通入以多晶硅晶種作為流化顆粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶種上沉積，從而得到顆粒狀多晶硅。改良西門子法和硅烷法主要生產(chǎn)電子級(jí)晶體硅，也可以生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。

西門子法是由德國(guó)Siemens公司發(fā)明并于1954 年申請(qǐng)了專利1965年左右實(shí)現(xiàn)了工業(yè)化。經(jīng)過(guò)幾十年的應(yīng)用和展，西門子法不斷完善，先后出現(xiàn)了第一代、第二代和第三代，第三代多晶硅生產(chǎn)工藝即改良西門子法，它在第二代的基礎(chǔ)上增加了還原尾氣干法回收系統(tǒng)、SiCl4回收氫化工藝，實(shí)現(xiàn)了完全閉環(huán)生產(chǎn)，是西門子法生產(chǎn)高純多晶硅技術(shù)的最新技術(shù)，其具體工藝流程如圖1所示。硅在西門子法多晶硅生產(chǎn)流程內(nèi)部的循環(huán)利用。

硅烷法是將硅烷通入以多晶硅晶種作為流化顆粒的流化床中， 是硅烷裂解并在晶種上沉積，從而得到顆粒狀多晶硅。因硅烷制備方法不同，有日本Komatsu發(fā)明的硅化鎂法，其具體流程如圖2所示、美國(guó)Union Carbide發(fā)明的歧化法、美國(guó)MEMC采用的NaAlH4與SiF4反應(yīng)方法。

硅化鎂法是用Mg2Si與NH C1在液氨中反應(yīng)生成硅烷。該法由于原料消耗量大，成本高，危險(xiǎn)性大，而沒(méi)有推廣，目前只有日本Komatsu使用此法?，F(xiàn)代硅烷的制備采用歧化法，即以冶金級(jí)硅與SiC14為原料合成硅烷，首先用SiCl4、Si和H2反應(yīng)生成SiHCl3 ，然后SiHCl3 歧化反應(yīng)生成SiH2Cl2，最后由SiH2Cl2 進(jìn)行催化歧化反應(yīng)生成SiH4 ，即：3SiCl4+ Si+ 2H2= 4SiHCl3，2SiHC13= SiH2Cl2+ SiC14，3SiH2C12=SiH4+ 2SiHC13。由于上述每一步的轉(zhuǎn)換效率都比較低，所以物料需要多次循環(huán)，整個(gè)過(guò)程要反復(fù)加熱和冷卻，使得能耗比較高。制得的硅烷經(jīng)精餾提純后，通入類似西門子法固定床反應(yīng)器，在800℃下進(jìn)行熱分解，反應(yīng)如下：SiH4= Si+ 2H2。

硅烷氣體為有毒易燃性氣體，沸點(diǎn)低，反應(yīng)設(shè)備要密閉，并應(yīng)有防火、防凍、防爆等安全措施。硅烷又以它特有的自燃、爆炸性而著稱。硅烷有非常寬的自發(fā)著火范圍和極強(qiáng)的燃燒能量，決定了它是一種高危險(xiǎn)性的氣體。硅烷應(yīng)用和推廣在很大程度上因其高危特性而受到限制在涉及硅烷的工程或?qū)嶒?yàn)中，不當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)、操作或管理均會(huì)造成嚴(yán)重的事故甚至災(zāi)害。然而，實(shí)踐表明，過(guò)分的畏懼和不當(dāng)?shù)姆婪恫⒉荒芴峁?yīng)用硅烷的安全保障。因此，如何安全而有效地利用硅烷，一直是生產(chǎn)線和實(shí)驗(yàn)室應(yīng)該高度關(guān)注的問(wèn)題。

硅烷熱分解法與西門子法相比，其優(yōu)點(diǎn)主要在于：硅烷較易提純，含硅量較高（87.5%，分解速度快，分解率高達(dá)99%），分解溫度較低，生成的多晶硅的能耗僅為40 kW ·h/kg，且產(chǎn)品純度高。但是缺點(diǎn)也突出：硅烷不但制造成本較高，而且易燃、易爆、安全l生差，國(guó)外曾發(fā)生過(guò)硅烷工廠強(qiáng)烈爆炸的事故。因此，工業(yè)生產(chǎn)中，硅烷熱分解法的應(yīng)用不及西門子法。改良西門子法目前雖擁有最大的市場(chǎng)份額，但因其技術(shù)的固有缺點(diǎn)—產(chǎn)率低，能耗高，成本高，資金投入大，資金回收慢等，經(jīng)營(yíng)風(fēng)險(xiǎn)也最大。只有通過(guò)引人等離子體增強(qiáng)、流化床等先進(jìn)技術(shù)，加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新，才有可能提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)能力。硅烷法的優(yōu)勢(shì)有利于為芯片產(chǎn)業(yè)服務(wù)，目前其生產(chǎn)安全性已逐步得到改進(jìn)，其生產(chǎn)規(guī)模可能會(huì)迅速擴(kuò)大，甚至取代改良西門子法。雖然改良西門子法應(yīng)用廣泛，但是硅烷法很有發(fā)展前途。

與西門子方法相似，為了降低生產(chǎn)成本，流化床技術(shù)也被引入硅烷的熱分解過(guò)程，流化床分解爐可大大提高SiH4 的分解速率和Si的沉積速率。但是所得產(chǎn)品的純度不及固定床分解爐技術(shù)，但完全可以滿足太陽(yáng)能級(jí)硅質(zhì)量要求，另外硅烷的安全性問(wèn)題依然存在。

美國(guó)MEMC公司采用流化床技術(shù)實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)，其以NaA1H4 與SiF4 為原料制備硅烷，反應(yīng)式如下：SiF4+NaAlH4=Sil4+4NaAlF4。硅烷經(jīng)純化后在流化床式分解爐中進(jìn)行分解，反應(yīng)溫度為730℃左右，制得尺寸為1000微米的粒狀多晶硅。該法能耗低，粒狀多晶硅生產(chǎn)分解電耗為12kW·h/kg左右，約為改良西門子法的1/10，且一次轉(zhuǎn)化率高達(dá)98%，但是產(chǎn)物中存在大量微米尺度內(nèi)的粉塵，且粒狀多晶硅表面積大，易被污染，產(chǎn)品含氫量高，須進(jìn)行脫氫處理。

冶金法制備太陽(yáng)能級(jí)多晶硅（Solar Grade Silicon簡(jiǎn)稱SOG—Si），是指以冶金級(jí)硅（MetallurgicalGrade Silicon簡(jiǎn)稱MG-Si）為原料（98.5%~99.5%）。經(jīng)過(guò)冶金提純制得純度在99.9999%以上用于生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的多晶硅原料的方法。冶金法在為太陽(yáng)能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)服務(wù)上，存在成本低、能耗低、產(chǎn)出率高、投資門檻低等優(yōu)勢(shì)，通過(guò)發(fā)展新一代載能束高真空冶金技術(shù)，可使純度達(dá)到6N以上，并在若干年內(nèi)逐步發(fā)展成為太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的主流制備技術(shù)。

不同的冶金級(jí)硅含有的雜質(zhì)元素不同，但主要雜質(zhì)基本相同 ，主要包括Al、Fe、Ti、C、P、B等雜質(zhì)元素。而且針對(duì)不同的雜質(zhì)也研究了一些有效的去除方法。自從1975年Wacker公司用澆注法制備多晶硅材料以來(lái)，冶金法制備太陽(yáng)能級(jí)多晶硅被認(rèn)為是一種有效降低生產(chǎn)成本、專門定位于太陽(yáng)多級(jí)多晶硅的生產(chǎn)方法，可以滿足光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展需求。針對(duì)不同的雜質(zhì)性質(zhì)，制備太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的技術(shù)路線，如圖3所示。

灰色金屬光澤。密度2.32~2.34。熔點(diǎn)1410℃。沸點(diǎn)2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時(shí)易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時(shí)顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等的基礎(chǔ)材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。

多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如，在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面，遠(yuǎn)不如單晶硅明顯；在電學(xué)性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒(méi)有導(dǎo)電性。在化學(xué)活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過(guò)分析測(cè)定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類型和電阻率等。

多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，是當(dāng)代人工智能、自動(dòng)控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料。被稱為“微電子大廈的基石”。

中文名：多晶硅

英文名：polycrystalline silicon

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部公告

工聯(lián)電子[2010]137號(hào)

為貫徹落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀，促進(jìn)多晶硅行業(yè)節(jié)能降耗、淘汰落后和結(jié)構(gòu)調(diào)整，引導(dǎo)行業(yè)健康發(fā)展，根據(jù)國(guó)家有關(guān)法律法規(guī)和產(chǎn)業(yè)政策，工業(yè)和信息化部、國(guó)家發(fā)展改革委、環(huán)境保護(hù)部會(huì)同有關(guān)部門制定了《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入條件》，現(xiàn)予以公告。

有關(guān)部門在對(duì)多晶硅建設(shè)項(xiàng)目核準(zhǔn)、備案管理、土地審批、環(huán)境影響評(píng)價(jià)、信貸融資、生產(chǎn)許可、產(chǎn)品質(zhì)量認(rèn)證等工作中要以本準(zhǔn)入條件為依據(jù)。

附件：多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入條件

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部

中華人民共和國(guó)國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)

中華人民共和國(guó)環(huán)境保護(hù)部

二〇一〇年十二月三十一日

附件：

多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入條件

為深入貫徹落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀，規(guī)范和引導(dǎo)多晶硅行業(yè)健康發(fā)展，堅(jiān)決抑制行業(yè)重復(fù)建設(shè)和產(chǎn)能過(guò)剩，根據(jù)國(guó)家有關(guān)法律法規(guī)和產(chǎn)業(yè)政策，按照優(yōu)化布局、調(diào)整結(jié)構(gòu)、節(jié)約能源、降低消耗、保護(hù)環(huán)境、安全生產(chǎn)的原則，特制訂多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入條件。

一、項(xiàng)目建設(shè)條件和生產(chǎn)布局

一多晶硅項(xiàng)目應(yīng)當(dāng)符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策、用地政策及行業(yè)發(fā)展規(guī)劃，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目投資中最低資本金比例不得低于30%。嚴(yán)格控制在能源短缺、電價(jià)較高的地區(qū)新建多晶硅項(xiàng)目，對(duì)缺乏綜合配套、安全衛(wèi)生和環(huán)保不達(dá)標(biāo)的多晶硅項(xiàng)目不予核準(zhǔn)或備案。

二在依法設(shè)立的基本農(nóng)田保護(hù)區(qū)、自然保護(hù)區(qū)、風(fēng)景名勝區(qū)、飲用水水源保護(hù)區(qū)，居民集中區(qū)、療養(yǎng)地、食品生產(chǎn)地等環(huán)境條件要求高的區(qū)域周邊1000米內(nèi)或國(guó)家、地方規(guī)劃的重點(diǎn)生態(tài)功能區(qū)的敏感區(qū)域內(nèi)，不得新建多晶硅項(xiàng)目。已在上述區(qū)域內(nèi)投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)的多晶硅項(xiàng)目要根據(jù)該區(qū)域有關(guān)規(guī)劃，依法通過(guò)搬遷、轉(zhuǎn)停產(chǎn)等方式逐步退出。

三在政府投資項(xiàng)目核準(zhǔn)新目錄出臺(tái)前，新建多晶硅項(xiàng)目原則上不再批準(zhǔn)。但對(duì)加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新、促進(jìn)節(jié)能環(huán)保等確有必要建設(shè)的項(xiàng)目，報(bào)國(guó)務(wù)院投資主管部門組織論證和核準(zhǔn)。

二、生產(chǎn)規(guī)模與技術(shù)設(shè)備

一太陽(yáng)能級(jí)多晶硅項(xiàng)目每期規(guī)模大于3000噸/年，半導(dǎo)體級(jí)多晶硅項(xiàng)目規(guī)模大于1000噸/年。

二多晶硅企業(yè)應(yīng)積極采用符合本準(zhǔn)入條件要求的先進(jìn)工藝技術(shù)和產(chǎn)污強(qiáng)度小、節(jié)能環(huán)保的工藝設(shè)備以及安全設(shè)施，主要工段、設(shè)備參數(shù)應(yīng)能實(shí)現(xiàn)連續(xù)流程在線檢測(cè)。

三、資源回收利用及能耗

一新建多晶硅項(xiàng)目生產(chǎn)占地面積小于6公頃/千噸?，F(xiàn)有多晶硅項(xiàng)目應(yīng)當(dāng)厲行節(jié)約集約用地原則。

二太陽(yáng)能級(jí)多晶硅還原電耗小于80千瓦時(shí)/千克，到2011年底前小于60千瓦時(shí)/千克。

三半導(dǎo)體級(jí)直拉用多晶硅還原電耗小于100千瓦時(shí)/千克，半導(dǎo)體級(jí)區(qū)熔用多晶硅還原電耗小于120千瓦時(shí)/千克。

四還原尾氣中四氯化硅、氯化氫、氫氣回收利用率不低于98.5%、99%、99%。

五引導(dǎo)、支持多晶硅企業(yè)以多種方式實(shí)現(xiàn)多晶硅-電廠-化工聯(lián)營(yíng)，支持節(jié)能環(huán)保太陽(yáng)能級(jí)多晶硅技術(shù)研發(fā)，降低成本。

六到2011年底前，淘汰綜合電耗大于200千瓦時(shí)/千克的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅生產(chǎn)線。

七水資源實(shí)現(xiàn)綜合回收利用，水循環(huán)利用率≥95%。

四、環(huán)境保護(hù)

一新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目應(yīng)嚴(yán)格執(zhí)行《環(huán)境影響評(píng)價(jià)法》，依法向有審批權(quán)限的環(huán)境保護(hù)行政主管部門報(bào)批環(huán)境影響評(píng)價(jià)文件。按照環(huán)境保護(hù)“三同時(shí)”的要求，建設(shè)項(xiàng)目配套環(huán)境保護(hù)設(shè)施并依法申請(qǐng)項(xiàng)目竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收，驗(yàn)收合格后方可投入生產(chǎn)運(yùn)行。未通過(guò)環(huán)境評(píng)價(jià)審批的項(xiàng)目一律不準(zhǔn)開(kāi)工建設(shè)?，F(xiàn)有企業(yè)應(yīng)依法定期實(shí)施清潔生產(chǎn)審核，并通過(guò)評(píng)估驗(yàn)收，兩次審核的時(shí)間間隔不得超過(guò)三年。

二廢氣

尾氣及NOx、HF酸霧排放部位均應(yīng)當(dāng)配備凈化裝置，采用溶液吸收法或其他方法對(duì)其凈化處理，廢氣排放達(dá)到《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB16297）和污染物排放總量控制要求。項(xiàng)目所在地有地方標(biāo)準(zhǔn)和要求的，應(yīng)當(dāng)執(zhí)行地方標(biāo)準(zhǔn)和要求。

三廢水

按照法律、行政法規(guī)和國(guó)務(wù)院環(huán)境保護(hù)主管部門的規(guī)定設(shè)置排污口。廢水排放應(yīng)符合國(guó)家相應(yīng)水污染物排放標(biāo)準(zhǔn)要求。凡是向已有地方排放標(biāo)準(zhǔn)的水體排放污染物的，應(yīng)當(dāng)執(zhí)行地方標(biāo)準(zhǔn)。

四固體廢物

一般工業(yè)固體廢物的貯存應(yīng)符合《一般工業(yè)固體廢物貯存、處置場(chǎng)污染控制標(biāo)準(zhǔn)》（GB18599），對(duì)產(chǎn)生的四氯化硅等危險(xiǎn)廢物，應(yīng)嚴(yán)格執(zhí)行危險(xiǎn)廢物相關(guān)管理規(guī)定。

五噪聲

廠界噪聲符合《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB12348）。

五、產(chǎn)品質(zhì)量

企業(yè)應(yīng)有質(zhì)量檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)和專職檢驗(yàn)人員，有健全的質(zhì)量檢驗(yàn)管理制度。半導(dǎo)體級(jí)多晶硅產(chǎn)品符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T12963所規(guī)定的質(zhì)量要求，太陽(yáng)能級(jí)多晶硅產(chǎn)品符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的質(zhì)量要求。

六、安全、衛(wèi)生和社會(huì)責(zé)任

一多晶硅項(xiàng)目應(yīng)當(dāng)嚴(yán)格遵循職業(yè)危害防護(hù)設(shè)施和安全設(shè)施“三同時(shí)”制度要求。企業(yè)應(yīng)當(dāng)遵守《安全生產(chǎn)法》、《職業(yè)病防治法》等法律法規(guī)，執(zhí)行保障安全生產(chǎn)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

二企業(yè)應(yīng)當(dāng)有健全的安全生產(chǎn)組織管理體系，有職工安全生產(chǎn)培訓(xùn)制度和安全生產(chǎn)檢查制度。

三企業(yè)應(yīng)當(dāng)遵守《危險(xiǎn)化學(xué)品安全管理?xiàng)l例》（國(guó)務(wù)院令第344號(hào)）、《危險(xiǎn)化學(xué)品建設(shè)項(xiàng)目安全許可實(shí)施辦法》（國(guó)家安全生產(chǎn)監(jiān)督管理總局令第8號(hào)）、《安全預(yù)評(píng)價(jià)導(dǎo)則》、《危險(xiǎn)化學(xué)品建設(shè)項(xiàng)目安全評(píng)價(jià)細(xì)則（試行）》（安監(jiān)總?；痆2007]255號(hào)）及相關(guān)規(guī)定，依法實(shí)施危險(xiǎn)化學(xué)品建設(shè)項(xiàng)目安全許可和危險(xiǎn)化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)安全生產(chǎn)許可，獲取《安全生產(chǎn)許可證》后方可投入運(yùn)行。

四企業(yè)應(yīng)當(dāng)有職業(yè)危害防治措施，對(duì)重大危險(xiǎn)源有檢測(cè)、評(píng)估、監(jiān)控措施和應(yīng)急預(yù)案，并配備必要的器材和設(shè)備。塵毒作業(yè)場(chǎng)所達(dá)到國(guó)家衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)。

五企業(yè)應(yīng)當(dāng)遵守國(guó)家法律法規(guī)，依法參加養(yǎng)老、失業(yè)、醫(yī)療、工傷等保險(xiǎn)，并為從業(yè)人員繳足相關(guān)保險(xiǎn)費(fèi)用。

七、監(jiān)督與管理

一工業(yè)和信息化部負(fù)責(zé)多晶硅行業(yè)管理，商有關(guān)部門后以聯(lián)合公告形式發(fā)布符合準(zhǔn)入條件的多晶硅企業(yè)名單，形成《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入名單》，實(shí)行社會(huì)監(jiān)督、動(dòng)態(tài)管理。

二對(duì)現(xiàn)有項(xiàng)目：

1.企業(yè)應(yīng)對(duì)照準(zhǔn)入條件編制《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入申請(qǐng)報(bào)告》并通過(guò)當(dāng)?shù)毓I(yè)和信息化主管部門報(bào)送工業(yè)和信息化部。

2.省級(jí)工業(yè)和信息化主管部門負(fù)責(zé)受理該地區(qū)多晶硅企業(yè)的申請(qǐng)，按準(zhǔn)入條件要求會(huì)同同級(jí)發(fā)展改革部門、環(huán)保部門對(duì)企業(yè)情況進(jìn)行核實(shí)并提出初審意見(jiàn)，附企業(yè)申請(qǐng)材料報(bào)送工業(yè)和信息化部。

3.工業(yè)和信息化部收到申請(qǐng)后，會(huì)同有關(guān)部門對(duì)企業(yè)申請(qǐng)材料組織審查，對(duì)符合準(zhǔn)入條件的企業(yè)進(jìn)行公示，無(wú)異議后予以公告。

對(duì)不符合準(zhǔn)入條件的企業(yè)，工業(yè)和信息化部通知省級(jí)工業(yè)和信息化主管部門責(zé)令企業(yè)整改，整改仍不達(dá)標(biāo)的企業(yè)應(yīng)當(dāng)逐步退出多晶硅生產(chǎn)。

三對(duì)新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目：

1.國(guó)務(wù)院投資主管部門按照準(zhǔn)入條件要求對(duì)新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目組織論證和核準(zhǔn)。

2.企業(yè)應(yīng)自投產(chǎn)之日起半年內(nèi)申請(qǐng)，省級(jí)工業(yè)和信息化主管部門會(huì)同同級(jí)發(fā)展改革部門、環(huán)保部門對(duì)其進(jìn)行檢查并提出檢查意見(jiàn)，附企業(yè)申請(qǐng)材料報(bào)送工業(yè)和信息化部。工業(yè)和信息化部對(duì)企業(yè)申請(qǐng)材料組織審查，對(duì)符合準(zhǔn)入條件的企業(yè)進(jìn)行公示，無(wú)異議后予以公告。

對(duì)不符合準(zhǔn)入條件的企業(yè)，工業(yè)和信息化部通知省級(jí)工業(yè)和信息化主管部門責(zé)令企業(yè)整改，整改仍不達(dá)標(biāo)的企業(yè)應(yīng)當(dāng)停止多晶硅生產(chǎn)。

四地方工業(yè)和信息化主管部門每年要會(huì)同有關(guān)部門對(duì)該地區(qū)企業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中執(zhí)行準(zhǔn)入條件的情況進(jìn)行監(jiān)督檢查，工業(yè)和信息化部組織有關(guān)部門對(duì)公告企業(yè)進(jìn)行抽查。

五公告企業(yè)有下列情況，將撤銷其公告資格：

1.填報(bào)資料有弄虛作假行為；

2.拒絕接受監(jiān)督檢查；

3.不能保持準(zhǔn)入條件要求；

4.發(fā)生重大安全和污染責(zé)任事故；

5.違反法律、法規(guī)和國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)定。

六對(duì)不符合規(guī)劃布局、生產(chǎn)規(guī)模、資源利用、環(huán)境保護(hù)、安全衛(wèi)生等要求的多晶硅項(xiàng)目，投資管理部門不予核準(zhǔn)和備案，國(guó)土資源管理、環(huán)境保護(hù)、質(zhì)檢、安監(jiān)等部門不得辦理有關(guān)手續(xù)，金融機(jī)構(gòu)不得提供貸款和其它形式的授信支持。

七有關(guān)行業(yè)協(xié)會(huì)、產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中介機(jī)構(gòu)要協(xié)助做好準(zhǔn)入條件實(shí)施工作，組織企業(yè)加強(qiáng)協(xié)調(diào)和自律管理。

八、附則

一本準(zhǔn)入條件適用于中華人民共和國(guó)境內(nèi)（臺(tái)灣、香港、澳門地區(qū)除外）所有類型的多晶硅企業(yè)和項(xiàng)目。

二本準(zhǔn)入條件涉及的法律法規(guī)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)政策若進(jìn)行修訂，按修訂后的規(guī)定執(zhí)行。

三本準(zhǔn)入條件自發(fā)布之日起實(shí)施，由工業(yè)和信息化部負(fù)責(zé)解釋，并根據(jù)行業(yè)發(fā)展情況和宏觀調(diào)控要求會(huì)同有關(guān)部門適時(shí)進(jìn)行修訂。

工業(yè)和信息化部關(guān)于印發(fā)《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入申請(qǐng)報(bào)告》的通知

【發(fā)布時(shí)間：2011年06月03日 】

信廳電子[2011]106號(hào)

各省、自治區(qū)、直轄市及計(jì)劃單列市、新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團(tuán)工業(yè)和信息化主管部門：

為貫徹落實(shí)《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入條件》，切實(shí)引導(dǎo)和規(guī)范多晶硅行業(yè)發(fā)展，推動(dòng)中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)健康持續(xù)發(fā)展，我部會(huì)同發(fā)展改革委、環(huán)境保護(hù)部制定了《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入申請(qǐng)報(bào)告》，現(xiàn)印發(fā)你們，并就有關(guān)事項(xiàng)通知如下：

一、各省、自治區(qū)、直轄市及計(jì)劃單列市、新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團(tuán)工業(yè)和信息化主管部門負(fù)責(zé)受理該地區(qū)的多晶硅企業(yè)準(zhǔn)入公告申請(qǐng)，并會(huì)同同級(jí)相關(guān)部門按照《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入條件》和《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入申請(qǐng)報(bào)告》的工作程序和要求，對(duì)申請(qǐng)公告的企業(yè)所提供的材料進(jìn)行核實(shí)，將核實(shí)意見(jiàn)和企業(yè)填報(bào)材料一并報(bào)送我部（電子信息司）。

二、我部在組織專家并委托相關(guān)檢測(cè)機(jī)構(gòu)對(duì)申報(bào)材料復(fù)核、檢查后，會(huì)同有關(guān)部委以公告形式發(fā)布符合準(zhǔn)入條件的多晶硅企業(yè)名單。

三、請(qǐng)負(fù)責(zé)此項(xiàng)工作的省級(jí)主管部門認(rèn)真組織好該地區(qū)多晶硅企業(yè)準(zhǔn)入申請(qǐng)管理工作，于2011年7月15日前將第一批申請(qǐng)企業(yè)的核實(shí)意見(jiàn)及相關(guān)材料（一式六份）報(bào)送我部。

二〇一一年五月二十七日 ? ?

據(jù)美國(guó)《芝加哥論壇報(bào)》網(wǎng)站7月30日?qǐng)?bào)道，市場(chǎng)研究公司“國(guó)際數(shù)據(jù)公司”(IDC)近日發(fā)布報(bào)告稱，今年第二季度智能手機(jī)出貨量近300萬(wàn)部，與去年同期相比增長(zhǎng)了近25%。

三星出貨量為7430萬(wàn)部，仍然保持著市場(chǎng)領(lǐng)頭羊的地位。但據(jù)報(bào)告，與去年第二季度的7730萬(wàn)相比，三星出貨量還是有所下滑。其市場(chǎng)份額也從32.3%降至了25.2%。

聯(lián)想集團(tuán)出貨量從1140萬(wàn)上漲到了1580萬(wàn)，同比增長(zhǎng)了38.7%。其智能手機(jī)市場(chǎng)份額也從4.7%上升到了5.4%。一月份聯(lián)想曾表示將從谷歌手中以29.1億美元收購(gòu)手機(jī)制造商摩托羅拉移動(dòng)公司。

IDC研究經(jīng)理Ramon Llamas稱，智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)的增長(zhǎng)大部分是由亞洲南美和中東等地區(qū)的新興市場(chǎng)帶動(dòng)的，因?yàn)檫@些地區(qū)的手機(jī)價(jià)格更為低廉。

據(jù)IDC報(bào)告，以下是排名前五位的智能手機(jī)廠商：

三星：出貨量7430萬(wàn)，市場(chǎng)份額25.2%。

蘋果：出貨量3510萬(wàn)，市場(chǎng)份額11.9%。

華為：出貨量2030萬(wàn)，市場(chǎng)份額6.9%。

聯(lián)想：出貨量1580萬(wàn)，市場(chǎng)份額5.4%。

LG電子：出貨量1450萬(wàn)，市場(chǎng)份額4.9%。

單晶硅太陽(yáng)電池的生產(chǎn)需要消耗大量的高純硅材料，而制造這些材料工藝復(fù)雜，電耗很大，在太陽(yáng)電池生產(chǎn)總成本中己超二分之一，加之拉制的單晶硅棒呈圓柱狀，切片制作太陽(yáng)電池也是圓片，組成太陽(yáng)能組件平面利用率低。因此，80年代以來(lái)，歐美一些國(guó)家投入了多晶硅太陽(yáng)電池的研制。目前太陽(yáng)電池使用的多晶硅材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或用廢次單晶硅料和冶金級(jí)硅材料熔化澆鑄而成。其工藝過(guò)程是選擇電阻率為100～300歐姆·厘米的多晶塊料或單晶硅頭尾料，經(jīng)破碎，用1：5的氫氟酸和硝酸混合液進(jìn)行適當(dāng)?shù)母g，然后用去離子水沖洗呈中性，并烘干。用石英坩堝裝好多晶硅料，加人適量硼硅，放人澆鑄爐，在真空狀態(tài)中加熱熔化。熔化后應(yīng)保溫約20分鐘，然后注入石墨鑄模中，待慢慢凝固冷卻后，即得多晶硅錠。這種硅錠可鑄成立方體，以便切片加工成方形太陽(yáng)電池片，可提高材質(zhì)利用率和方便組裝。多晶硅太陽(yáng)電池的制作工藝與單晶硅太陽(yáng)電池差不多，其光電轉(zhuǎn)換效率約12%左右，稍低于單晶硅太陽(yáng)電池，但是材料制造簡(jiǎn)便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到大量發(fā)展。隨著技術(shù)得提高，目前多晶硅的轉(zhuǎn)換效率也可以達(dá)到14%左右。