電子或空穴的遷移率比離子大得多,因此材料中即使有少量的電子或空穴存在時,其對電導(dǎo)的貢獻(xiàn)不能忽略,并取決于這類載流子的濃度。相對于不同的載流子濃度,陶瓷材料電子導(dǎo)電行為可以相差很大,從接近于金屬到接近于絕緣體。
電子導(dǎo)電的特征是具有Hall效應(yīng),即當(dāng)電流流過試樣時,如在垂直于電流方向上施加一個磁場,則會在垂直于電流和磁場的平面上產(chǎn)生一個電場。如果材料中存在自由電子或空穴,它們在電場作用下會產(chǎn)生定向移動。由于離子的質(zhì)量比電子大得多,因而在磁場的作用下離子不會產(chǎn)生橫向移動。因此,利用Hall效應(yīng)可以區(qū)分陶瓷材料是離子導(dǎo)電還是電子(空穴)導(dǎo)電。
陶瓷材料的電子導(dǎo)電從本質(zhì)上說有兩類:一類是由材料本身能帶中的電子引起的,如過渡金屬氧化物VO、TiO、CrO2等。由于電子軌道的重疊,產(chǎn)生寬的未填滿的d或f能帶,從而引起1022~1023/cm3濃度的準(zhǔn)自由電子,形成類似金屬的電導(dǎo),這種情況在陶瓷材料中并不多見。另一類是由于電子或空穴的移動引起的,這是陶瓷材料中電子導(dǎo)電的主要原因。
在化學(xué)計量整數(shù)比的純材料中,電子的數(shù)目等于空穴的數(shù)目。但由于摻雜和晶體缺陷等原因,材料中的電子數(shù)目可以不等于空穴的數(shù)目,典型的為P型(空穴多余)和n型(電子多余)兩類半導(dǎo)體。電子導(dǎo)電的電導(dǎo)率正比于載流子的濃度和遷移率。陶瓷材料中的載流子通常有三個來源:本征激發(fā)、雜質(zhì)激發(fā)和偏離化學(xué)計量比。圖2示意性地畫出了這三種激發(fā)過程。這里Eg代表能帶間隙,離導(dǎo)帶較近的Ed代表施主能級,它可以被離子化而給出一個電子。離價帶較近的Ea代表受主能級,它可以接受一個電子而被離子化。
固體電介質(zhì)的結(jié)構(gòu)可分為晶體和非晶體或無定形體兩類,晶體可以是離子晶體如LiF等鹵化物,或共價晶體如金剛石之類,無定形結(jié)構(gòu)如玻璃。另外也有許多是非完整的晶體,或是顆粒很小的微晶。因此很難用統(tǒng)一的模型來描述電介質(zhì)內(nèi)電子電導(dǎo)的過程。一般來說,電子電導(dǎo)包括電子激發(fā)到導(dǎo)帶以及導(dǎo)帶中電子遷移兩步。
電介質(zhì)在弱電場下,由于熱運動激發(fā)而進(jìn)入導(dǎo)帶的電子數(shù)極少,電介質(zhì)內(nèi)的電子流小到可以忽略不計,否則就成為半導(dǎo)體了。但是,當(dāng)電場強度超過某臨界值時,可能發(fā)生其他形式的電子發(fā)射,使導(dǎo)帶中的電子濃度明顯增長。由電場引起的電子發(fā)射形式大致有六種不同情況,如圖1所示。
圖1表示電介質(zhì)放在金屬A和金屬B兩個電極之間,由于電場的作用,使能帶發(fā)生傾斜,這就引起了不同形式的電子發(fā)射。圖中過程①是電子從電介質(zhì)的價帶穿過禁區(qū)直接進(jìn)入導(dǎo)帶,這叫齊納(Zener)效應(yīng);過程②是電子從禁區(qū)的雜質(zhì)能級直接進(jìn)入導(dǎo)帶;電子也可以從金屬電極的導(dǎo)帶直接進(jìn)入電介質(zhì)的導(dǎo)帶③,或電子由電介質(zhì)的價帶進(jìn)入電極金屬的導(dǎo)帶④。以上四種形式是屬于量子力學(xué)隧道發(fā)射過程。另外,電子可以從電極的導(dǎo)帶越過勢壘進(jìn)入電介質(zhì)的導(dǎo)帶⑤,這叫肖特基效應(yīng);電子也可以從電介質(zhì)的雜質(zhì)能級越過勢壘進(jìn)入導(dǎo)帶⑥,這叫Poole-Frenkel效應(yīng)。
導(dǎo)電材料是電子元器件和集成電路中應(yīng)用最廣泛的一種材料,用來制造傳輸電能的電線、電纜,傳導(dǎo)電信息的導(dǎo)線、引線和布線。導(dǎo)電材料最主要的性質(zhì)是良好的導(dǎo)電性能,希望其電阻率盡可能的小(≤10Ω·m)。根據(jù)使用目的不同,除了導(dǎo)電性外,有時還要求有足夠的機械強度、耐磨、彈性、耐高溫、抗氧化、耐蝕、耐電弧、高的熱導(dǎo)率等。導(dǎo)電材料主要包括金屬、電極、厚膜導(dǎo)電材料、薄膜導(dǎo)電材料等。
金屬導(dǎo)電材料,用得最多的是銅,其次是鋁、鐵等。
1)銅及銅合金
銅的密度為8.92g/cm3,熔點為1083.4℃,沸點為2567℃,氣化溫度為1132℃,再結(jié)晶溫度為200~300℃,電阻率為1.67μΩ·cm,電阻溫度系數(shù)(TCR)為4300×10-6/℃:銅的晶體結(jié)構(gòu)為面心立方體,晶格常數(shù)為0.3617nm。為了保證銅合金既具有高導(dǎo)電性、高導(dǎo)熱性能,又具有高強度、良好的斷后伸長率等加工性能,可以采用粉末冶金法生產(chǎn)彌散強化銅和采用時效熱處理法生產(chǎn)高導(dǎo)電性、高強度銅合金。
用作導(dǎo)電材料的銅由電解法制得,即所謂電解銅,其純度在99.90%以上,含有極少量的Au、Ag、Ce、Pb、Sb等雜質(zhì)。電解銅鑄造后加工退火成為制品,在常溫下壓延或拉伸處理后質(zhì)地較硬。
2)鋁及鋁合金
鋁是具有僅次于銅的電導(dǎo)率的金屬,近年來由于銅產(chǎn)量的不足而作為銅的代用材料而得到廣泛應(yīng)用。
鋁的物理性質(zhì)根據(jù)其純度的不同而相差較大。一般純度越高,電導(dǎo)率和電阻溫度系數(shù)越高,抗拉強度和硬度越小,耐腐性越強。作為導(dǎo)電材料用的鋁線一般為硬引線。
電極是電容器的重要組成部分,它在電容器中起著形成電場、聚集電荷的作用。盡管電極的形式隨著電容器的結(jié)構(gòu)不同而有變化,但作用是相同的。
鋁的導(dǎo)電性能僅次于金、銀和銅,是一種良好的導(dǎo)電材料。由于鋁的面心立方晶格結(jié)構(gòu)而富于延展性,具有優(yōu)良的加工性。其力學(xué)強度良好,密度又小,因此,在電子元器件中,廣泛用作電板和引線材料。
在厚膜混合集成電路中,厚膜導(dǎo)電材料的作用是固定分立的有源器件和無源元件,作為元件之間的互連線,厚膜電容的上、下電板及外引線的焊區(qū)等。厚膜導(dǎo)電材料漿料是厚膜工藝中使用的一種漿料,現(xiàn)在常用的漿料是含貴金屬的厚膜導(dǎo)電材料漿料,所用的貴金屬主要為金,銀-金合金以及銀、鉑、鈀的二元或三元合金。這些厚膜導(dǎo)電材料的導(dǎo)電性能很好,并且鉑-金導(dǎo)體具有非常好的抗焊料溶解性。
由于貴金屬價格上漲.需要尋求價格低廉而性能優(yōu)良的新導(dǎo)體材料,因此出現(xiàn)了一起賤金屬厚膜導(dǎo)電材料,常見的有銅、鎳-硼合金、鋁-硼合金。其中銅導(dǎo)體是比較成熟的。
薄膜導(dǎo)電材料的電阻率高于同種的塊狀材料,這是由于薄膜的厚度較薄從內(nèi)產(chǎn)生表面散射效應(yīng),以及薄膜具有較高的雜質(zhì)和缺陷濃度所造成的結(jié)果。連續(xù)金屬薄膜的電阻率為聲子、雜質(zhì)、缺陷、晶界和表面對電子散射所產(chǎn)生的電阻率之和。
薄膜導(dǎo)電材料分為兩類:單元素薄膜和多層薄膜。前者系指用單一金屬形成的薄膜導(dǎo)電材料,其主要材料是鋁膜;后者系指不同的金屬膜構(gòu)成的薄膜導(dǎo)電材料,有二元系統(tǒng)(如鉻-金)三元系統(tǒng)(如鈦-鈀-金);四元系統(tǒng)(如鈦-銅-鎳-金)等。薄膜混合集成電路中,應(yīng)用最為廣泛的薄膜導(dǎo)電材料是多層薄膜。這是因為多層薄膜能較好地滿足對薄膜導(dǎo)電材料的要求。
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現(xiàn)狀:1/3的成年人患有高血壓,不加控制的直接后果就是:致殘的腦出血和腦梗死(腦卒中)、腎功能衰竭、大血管狹窄撕裂以及心功能衰竭.成年人高血壓的診斷標(biāo)準(zhǔn),已經(jīng)由大于160/95毫米汞柱降到了目前的大于140/90毫米汞柱,只要靜息狀態(tài)下3次偶測血壓,無論舒張壓(俗稱低壓)和收縮壓(俗稱高壓),只要有一個達(dá)到上述標(biāo)準(zhǔn),即可診斷.血壓升高表現(xiàn)頭暈頭痛發(fā)脹犯困高血壓早期的常見癥狀有頭暈、頭痛、頸部發(fā)脹、發(fā)困,以清晨或中午明顯,不少人認(rèn)為是感冒或晚上沒有休息好的緣故,不加注意.也有部分高血壓病人早期,甚至血壓高達(dá)200/130毫米汞柱以上也沒有任何癥狀.因此,不舒服時要及時測量血壓,有家族史時更要注意,父母高血壓,子女一半都會出現(xiàn)高血壓.
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電子方案設(shè)計的一般方法與步驟 電子方案設(shè)計呢下面是小編整理的電子方案設(shè)計的一般方法與 步驟歡迎大家閱讀! 一、總體方案的設(shè)計與選擇 1. 方案原理的構(gòu)想 (1) 提出原理方案 一個復(fù)雜的系統(tǒng)需要進(jìn)行原理方案的構(gòu)思也就是用什么原理來 實現(xiàn)系統(tǒng)要求因此應(yīng)對課題的任務(wù)、 要求和條件進(jìn)行仔細(xì)的分析與研 究找出其關(guān)鍵問題然后根據(jù)此關(guān)鍵問題提出實現(xiàn)的原理與方法并畫 出其原理框圖(即提出原理方案) 提出原理方案關(guān)系到設(shè)計全局應(yīng)廣 泛收集與查閱有關(guān)資料廣開思路 ,開動腦筋 ,利用已有的各種理論知 識提出盡可能多的方案以便作出更合理的選擇所提方案必須對關(guān)鍵 部分的可行性進(jìn)行討論一般應(yīng)通過試驗加以確認(rèn) (2) 原理方案的比較選擇 原理方案提出后必須對所提出的幾種方案進(jìn)行分析比較在詳細(xì) 的總體方案尚未完成之前 ,只能就原理方案的簡單與復(fù)雜方案實現(xiàn)的 難易程度進(jìn)行分析比較并作出初步的
傳統(tǒng)的陶瓷材料,雖然是不導(dǎo)電的絕緣體,但通過摻雜加熱或其它激發(fā)方法,外層價電子獲得足夠能量,擺脫原子核對它的束縛和控制,成為自由電子(或空穴)即可參與導(dǎo)電 。
電子導(dǎo)電陶瓷是指由自由電子(或空穴在電場作用下作定向運動而產(chǎn)生高電導(dǎo)率的陶瓷。
屬于電子導(dǎo)電的陶瓷還有LaNi02、LaMnO3(sr)、CoCrO4、 LaCoO3(sr)、InO2/SnO2、SiC、MoSi2等 。