光纖通信用光電子器件制作工藝基礎

第1章 器件與工藝技術(shù)物理基礎

1.1 能帶概念

1.2 本征半導體與態(tài)密度

1.3 施主與受主

1.4 雜質(zhì)電離

1.5 載流子的運動

1.6 p-n結(jié)

1.7 p-n結(jié)擊穿

1.8 異質(zhì)結(jié)

第2章 光電子器件的基本結(jié)構(gòu)及其關(guān)鍵制作工藝

2.1 激光二級管的基本結(jié)構(gòu)和制作

2.2 光電探測器的結(jié)構(gòu)和制作

2.3 半導體放大器的結(jié)構(gòu)和制作

2.4 光調(diào)制器的結(jié)構(gòu)與制作

2.5 半導體光開關(guān)的結(jié)構(gòu)和制作

2.6 集成光電子器件的結(jié)構(gòu)和制作

第3章 光電子器件的材料制備技術(shù)

3.1 基底片制備

3.2 光電子器件用Si基材料的制備

3.3 光電子器件用Ⅲ-V族化合物半導體材料和外延生長

3.4 Ⅲ-V族化合物的液相外延生長

3.5 Ⅲ-V族化合物的鹵化物輸運汽相外延生長

3.6 金屬有機化合物汽相淀積

3.7 分子束外延生長

3.8 化學束外延生長

3.9 原子層、分子層外延生長

3.10 Ⅲ-V族化合物低維半導體材料的制備技術(shù)

3.11 光子晶體薄膜有其制備

3.12 異質(zhì)材料的晶片鍵合技術(shù)

3.13 光電子器件外延層質(zhì)量檢測

第4章 光電子器件制作中的光刻和腐蝕

第5章 光電子器件的摻雜技術(shù)

第6章 光電子器件中的介質(zhì)薄膜及其制備

第7章 光電子器件的電極金屬膜及其制備

第8章 光電子器件和組件的組裝和封裝

第9章 光電子器件在制作和使用中引入缺陷及其缺陷控制和檢測

附錄 英文縮寫詞

參考文獻

本書較全面地介紹了光纖通信用光電子器件和組件的制作工藝(包括工藝理論基礎和可供參考的工藝數(shù)據(jù))。它從激光二極管、光探測器、光調(diào)制器和半導體光放大器等主要光電子器件的結(jié)構(gòu)入手，論述為實現(xiàn)這些結(jié)構(gòu)所必須的主要制作工藝技術(shù)，重點介紹了Si基和Ⅲ-V族化合物基光電子器件的材料制備(包括各種外延生長技術(shù))、光刻和腐蝕、摻雜、介質(zhì)膜和金屬膜制備、器件和組件的組裝和封裝等工藝技術(shù)。

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