高壓液封直拉法是用高壓?jiǎn)尉t拉制GaAs單晶，拉晶時(shí)爐內(nèi)惰性氣體壓力為3-6兆帕，B2O3覆蓋層的厚度為10-20毫米。由于其合成溫度低，時(shí)間短，則可有效地控制硅及其他雜質(zhì)的污染，使半絕緣GaAs堆晶的遷移率大幅度提高。而且，這一方法還可制取較大直徑的圓形<100>晶片。工藝中控制砷/鎵比是獲得半絕緣不摻雜質(zhì)單晶的關(guān)鍵。

高壓液封直拉法，可提高單晶純度，擴(kuò)大<100>單晶圓片直徑，簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝，降低成本。比水平法和常壓直拉法的單晶，更能符合微波場(chǎng)效應(yīng)器件和超高速大容量集成電路的需要。

2100433B

高壓液封直拉法造價(jià)信息

市場(chǎng)價(jià) 信息價(jià) 詢(xún)價(jià)
材料名稱(chēng) 規(guī)格/型號(hào) 市場(chǎng)價(jià)
（除稅）		 工程建議價(jià)
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)日期
旋翼濕式液封水表 LXS-40F(DN40) 查看價(jià)格 查看價(jià)格

寧波

 臺(tái) 13% 寧波水表股份有限公司
旋翼濕式液封水表 LXS-50F(DN50) 查看價(jià)格 查看價(jià)格

寧波

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旋翼濕式液封水表 LXS-32F(DN32) 查看價(jià)格 查看價(jià)格

寧波

 臺(tái) 13% 寧波水表股份有限公司
旋翼濕式液封水表 LXS-15F (DN15) 查看價(jià)格 查看價(jià)格

寧波

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旋翼濕式液封水表 LXS-20F(DN20) 查看價(jià)格 查看價(jià)格

寧波

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旋翼濕式液封水表 LXS-25F(DN25) 查看價(jià)格 查看價(jià)格

寧波

 臺(tái) 13% 寧波水表股份有限公司
PAM制備系統(tǒng)（加藥裝置） 制備量5000L/h,三槽式,304不銹鋼 查看價(jià)格 查看價(jià)格

江蘇新地

 臺(tái) 13% 廣西立淇環(huán)保有限公司
水平螺翼式液封水表太陽(yáng)帆 WP5D-50 (DN50) 查看價(jià)格 查看價(jià)格

寧波

 臺(tái) 13% 寧波水表股份有限公司
材料名稱(chēng) 規(guī)格/型號(hào) 除稅
信息價(jià)		 含稅
信息價(jià)		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時(shí)間
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臺(tái)班 汕頭市2012年4季度信息價(jià)
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臺(tái)班 汕頭市2012年3季度信息價(jià)
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臺(tái)班 廣州市2010年4季度信息價(jià)
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臺(tái)班 廣州市2007年4季度信息價(jià)
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臺(tái)班 廣州市2007年3季度信息價(jià)
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臺(tái)班 廣州市2007年9月信息價(jià)
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臺(tái)班 廣州市2007年8月信息價(jià)
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臺(tái)班 汕頭市2007年2月信息價(jià)
材料名稱(chēng) 規(guī)格/需求量 報(bào)價(jià)數(shù) 最新報(bào)價(jià)
（元）		 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)地區(qū) 最新報(bào)價(jià)時(shí)間
樣本制備間臺(tái) 樣本制備間臺(tái)|1m 1 查看價(jià)格 蘇州中恒物流科技有限公司 廣東   2021-11-05
單晶光伏組件 540W單晶光伏組件|372塊 1 查看價(jià)格 廣東昇陽(yáng)太陽(yáng)能科技有限公司 全國(guó)   2022-03-08
PAM制備裝置 制備能力:1000L/h|1套 1 查看價(jià)格 浙江力高泵業(yè)科技有限公司 全國(guó)   2021-07-09
PAM制備裝置 JY-1000,制備濃度0.1%|1套 2 查看價(jià)格 濰坊華美水處理設(shè)備有限公司 全國(guó)   2019-12-06
450w單晶組件 450w單晶組件|445000瓦 1 查看價(jià)格 深圳市福能電力科技有限公司 全國(guó)   2021-11-16
絮凝劑制備裝置 制備能力≥3kg/h,制備濃度0.5%,P=2kw|1.0套 2 查看價(jià)格 北京沃洋洲環(huán)保裝備有限公司    2017-08-14
純水制備系統(tǒng) AFS 150 純水制備系統(tǒng)|2套 1 查看價(jià)格 默克密理博廣州分公司    2016-06-17
PAM制備系統(tǒng) 1.類(lèi)型:PAM制備系統(tǒng)2.規(guī)格:儲(chǔ)藥容積2m3,制備量1200L/h,N=2.2kW|1套 1 查看價(jià)格 廣東新環(huán)環(huán)保產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司 全國(guó)   2020-12-24

目前用于制備磷化鎵的高壓?jiǎn)尉t可充100-200大氣壓的惰性氣體。這種工藝的拉晶技術(shù)大體上和液封直拉法相同，只是因?yàn)闋t內(nèi)惰性氣體壓力很大，因此引起強(qiáng)烈的對(duì)流，從而給單晶生長(zhǎng)帶來(lái)更多的困難。但它目前仍然是從熔體中生長(zhǎng)大直徑磷化物單晶的最好方法之一。

由于Ⅲ一V族化合物半導(dǎo)體中的磷化銦、磷化鎵等在熔點(diǎn)時(shí)具有很高的離解壓，因此從熔體中生長(zhǎng)單晶的工藝變得十分困難。自從出現(xiàn)液封直拉法后，又進(jìn)一步改進(jìn)爐子的機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，解決了由于爐內(nèi)充高壓惰性氣氛帶來(lái)的高壓氣體密封問(wèn)題。采用氧化硼為密封劑，進(jìn)行磷化鎵等直拉單晶生長(zhǎng)，這種技術(shù)稱(chēng)為高壓液封直拉法。

高壓液封直拉法制備砷化鎵單晶常見(jiàn)問(wèn)題

  • 液封槽

    化工生產(chǎn)中，把管子彎下來(lái)放進(jìn)一個(gè)液體槽中，以達(dá)到密封關(guān)內(nèi)氣體、防止漏氣的作用，所用到的承裝液體的槽就叫液封槽。

  • 砷化鎵光電池價(jià)格是多少?

    1.劍沙數(shù)碼專(zhuān)營(yíng)店   ??松下CR2032砷化鎵光電池   ??價(jià)格12.5元 2.盈洲數(shù)碼專(zhuān)營(yíng)店   ?砷化鎵光電池  &nb...

  • 請(qǐng)問(wèn)襯底對(duì)砷化鎵電池的影響是什么？

    太陽(yáng)能光伏發(fā)電在全球取得長(zhǎng)足發(fā)展。常用光伏電池一般為多晶硅和單晶硅電池，然而由于原材料多晶硅的供應(yīng)能力有限，加上國(guó)際炒家的炒作，導(dǎo)致國(guó)際市場(chǎng)上多晶硅價(jià)格一路攀升，最近一年來(lái)，由于受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響，價(jià)格有...

高壓液封直拉法制備砷化鎵單晶文獻(xiàn)

溝槽襯底砷化鎵-鋁鎵砷雙異質(zhì)結(jié)條形激光器 溝槽襯底砷化鎵-鋁鎵砷雙異質(zhì)結(jié)條形激光器

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評(píng)分： 4.7

半導(dǎo)體激光器是光纖通信系統(tǒng)最有希望的光源.但是由于橫模不穩(wěn)定引起的L-I(光功率—電源)特性的扭曲,嚴(yán)重地影響了它的應(yīng)用范圍.因此,努力改進(jìn)其性能,特別是控制其橫模得到了廣泛的重視.本文所報(bào)導(dǎo)的溝槽襯底條形激光器工藝簡(jiǎn)單,而且在沿結(jié)平面方向因第一外延層n-Al_(0.3)Ga_(0.7) As厚度變化引起了有效折射率的變化,產(chǎn)生了一定的波導(dǎo)作用,從而穩(wěn)定了橫模.同時(shí)這種激光器的作用區(qū)是圓弧形的,有利于跟光纖的耦合.溝槽襯底條形激光器的橫向電流限制是用溝槽區(qū)外的p-n-p-n結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的.它的制造工藝主要是采用普通的化學(xué)腐蝕和液相外延.首先在(100)取向的n-GaAs襯底上擴(kuò)散Zn形成一層厚約 2微米的P-GaAs,

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用脈沖噴射電沉積法制備納米晶鎳鍍層 用脈沖噴射電沉積法制備納米晶鎳鍍層

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頁(yè)數(shù)： 6頁(yè)

評(píng)分： 4.6

用脈沖噴射電沉積法制備納米晶鎳鍍層 作者： 江山， 潘勇， 唐甜， 周益春， JIANG Shan， PAN Yong， TANG Tian， ZHOU Yi-chun 作者單位： 江山,JIANG Shan(河南工業(yè)大學(xué)理學(xué)院,河南,鄭州,450007;湘潭大學(xué)先進(jìn)材料及其流變特性 教育部重點(diǎn)試驗(yàn)室,湖南,湘潭,411105) ， 潘勇,唐甜,周益春,PAN Yong,TANG Tian,ZHOU Yi-chun(湘潭大學(xué)先進(jìn)材料及其流變特性教育部重點(diǎn)試驗(yàn)室,湖南,湘潭,411105;湘潭大學(xué)材 料與光電物理學(xué)院,湖南,湘潭,411105) 刊名： 材料保護(hù) 英文刊名： MATERIALS PROTECTION 年，卷(期)： 2007,40(3) 被引用次數(shù)： 5次 參考文獻(xiàn)(15條) 1.盧柯;周飛 納米晶體材料的研究現(xiàn)狀 1997(01) 2.徐承坤;楊中東 電沉積制備納

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中文名稱(chēng)
液封覆蓋直拉法
英文名稱(chēng)
liquid encapsulated Czochralski method
定　　義
熔體表面有一層覆蓋劑，晶體是從被覆蓋劑包裹的熔體中拉制出來(lái)。主要用于制備具有揮發(fā)性組分的化合物半導(dǎo)體單晶的方法。
應(yīng)用學(xué)科
材料科學(xué)技術(shù)（一級(jí)學(xué)科），半導(dǎo)體材料（二級(jí)學(xué)科），半導(dǎo)體材料制備（三級(jí)學(xué)科）

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《電子學(xué)名詞》第一版。 2100433B

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1993年，經(jīng)全國(guó)科學(xué)技術(shù)名詞審定委員會(huì)審定發(fā)布。

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