化學機械研磨,晶圓制造中,隨著制程技術的升級、導線與柵極尺寸的縮小,光刻(Lithography)技術對晶圓表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越來越高,IBM公司于1985年發(fā)展CMOS產(chǎn)品引入,并在1990年成功應用于64MB的DRAM生產(chǎn)中。1995年以后,CMP技術得到了快速發(fā)展,大量應用于半導體產(chǎn)業(yè)?;瘜W機械研磨亦稱為化學機械拋光,其原理是化學腐蝕作用和機械去除作用相結合的加工技術,是目前機械加工中唯一可以實現(xiàn)表面全局平坦化的技術。
中文名稱 | 化學機械研磨 | 外文名稱 | chemical mechanical polish(CMP) |
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分類 | 硅研磨、硅氧化物研磨 | 應用 | 晶圓制造 |
研磨耗材 | 研磨液、研磨墊 |
研磨耗材分為以下幾大類:研磨液(Slurry)、研磨墊(Pad)、金剛石盤(Disk)、研磨頭(Head)、清洗刷(Brush)和化學清洗劑與保護劑(Chemical)等。
化學機械研磨技術綜合了化學研磨和機械研磨的優(yōu)勢。單純的化學研磨,表面精度較高,損傷低,完整性好,不容易出現(xiàn)表面/亞表面損傷,但是研磨速率較慢,材料去除效率較低,不能修正表面型面精度,研磨一致性比較差;單純的機械研磨,研磨一致性好,表面平整度高,研磨效率高,但是容易出現(xiàn)表面層/亞表面層損傷,表面粗糙度值比較低?;瘜W機械研磨吸收了兩者各自的優(yōu)點,可以在保證材料去除效率的同時,獲得較完美的表面,得到的平整度比單純使用這兩種研磨要高出1-2個數(shù)量級,并且可以實現(xiàn)納米級到原子級的表面粗糙度。
研磨制程根據(jù)研磨對象不同主要分為:硅研磨(Poly CMP)、硅氧化物研磨(Silicon oxide CMP)、碳化硅研磨(Silicon carbide CMP)、鎢研磨(W CMP)和銅研磨(Cu CMP)。
擴孔型錨栓是利用機械原理固定的化學錨栓是利用類似于膠水原理來固定的。
定額機械中的機械非現(xiàn)場實際使用機械,這時定額的機械可以換為相應的機械么?
你好,這個是不可以換的。
物理性質(zhì):英文縮寫:PTFE中文名稱:聚四氟乙烯中文別名:PTFE;鐵氟龍;特氟龍;teflon;特氟隆;F4;塑料之王;英文名稱: Polytetrafluoroethylene(英文縮寫為Tefl...
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研磨拋光機的機械部分主要是由傳動系統(tǒng)、磨盤、磨盤連接接頭、主體支架、工件夾緊盤和供液系統(tǒng)組成.在LZM-6B研磨拋光機工作過程中,主體結構影響擺動,傳動機構影響加載均勻性.研磨拋光液的均勻性對拋光的質(zhì)量也有很大的影響.本文從拋光機的主體結構、傳動機構、夾具和供應系統(tǒng)等方面,介紹改造行星式研磨拋光機的機械部分的設計經(jīng)驗.
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為了提高光纖連接器端面的加工效率和加工質(zhì)量,改善連接器光傳輸性能,探討了在機械研磨的界面上引入超聲能的復合研磨方式,設計了相應的超聲機械研磨裝置.實驗結果顯示,超聲機械研磨效率是機械研磨的4- 8倍,光纖表面粗糙度達到2-5nm,插入損耗小于0.1 dB、回波損耗小于-60 dB.研究表明,超聲機械研磨技術可以提高光纖連接器的研磨效率和質(zhì)量,使傳輸性能獲得顯著改善.
作品目錄
第1章 晶體成長和晶圓制作
第2章 磊晶沉積設備
第3章 微影照相設備
第4章 化學氣相沉積爐
第5章 氧化擴散高溫爐
第6章 離子植入機
第7章 乾蝕刻機
第8章 蒸鍍機
第9章 濺鍍機
第10章 化學機械研磨