首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為
無窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,則判斷此極為柵極(G )。
其余兩極再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調(diào)換表筆后測量阻值較小。
在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。
將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGBT 的
發(fā)射極(E),此時(shí)萬用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電
極(C),這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住
指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時(shí)
IGBT 被阻斷,萬用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。
任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí),一定要將萬用
表撥在R×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測好
壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通,而無法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測
功率場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。
變頻器、軟起動(dòng)器、PLC、人機(jī)界面、低壓電器、電氣自動(dòng)化工程、恒壓供水設(shè)備、音樂噴泉控制系統(tǒng)、變頻器維修等。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的英文縮寫??梢苑g做絕緣柵雙極晶體管。 IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于...
IGBT管正對著自己,左腳是控制極,中間腳是集電極,右腳是發(fā)射極,現(xiàn)在的IGBT管內(nèi)含阻尼二極管,并聯(lián)在集電極和發(fā)射極。數(shù)字萬用表電阻檔測量,控制極和其它兩極無窮大,好的;二極管檔測,黑表筆接中間集電...
IGBT單管:分立IGBT,封裝較模塊小,電流通常在50A以下,常見有TO247 TO3P等封裝。 IGBT模塊:即模塊化封裝的IGBT芯片。常見的有1in1,2in1,6in1等。 PIM模塊:集成...
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IGBT 并聯(lián)技術(shù)技術(shù)詳解 IGBT 并聯(lián)均流問題 影響靜態(tài)均流的因素 1、并聯(lián) IGBT 的直流母 線側(cè)連接點(diǎn)的電阻分量,因 此需要盡量對稱; 2、 IGBT 芯片的 Vce(sat) 和二極管芯片的 VF的差異,因此盡量采取同一批次的產(chǎn)品。 3、 IGBT 模塊所處的溫度差異,設(shè)計(jì)機(jī)械結(jié)構(gòu)及風(fēng)道時(shí)需要考慮; 4、 IGBT 模塊所處的磁場差異; 5、柵極電壓 Vge 的差異。 影響動(dòng)態(tài)均流的因素 1、 IGBT 模塊的開通門檻電壓 VGEth 的差異, VGEth 越高, IGBT 開通時(shí)刻越晚, 不同模塊會(huì)有差異; 2、每個(gè)并聯(lián)的 IGBT 模塊的直流母線雜散電感 L 的差異; 3、門極電壓 Vge 的差異; 4、門極回路中的雜散電感量的差異; 5、 IGBT 模塊所處溫度的差異; 6、 IGBT 模塊所處的磁場的差異。 IGBT 芯片溫度對均流的影響 IGBT 芯片的溫度對于動(dòng)態(tài)均
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評分: 4.6
測試方法(晶川):萬用表只能測量不全面:若 IGBT損壞一般可以測 出;但是若 IGBT是好的,它無法肯定是好的。 IGBT損壞:GE,EG,CE,GC,CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù),即損壞。 (GE表示G接正表筆, E接負(fù)表筆;其他雷同) IGBT 的 EC 之間接有二極管,所以為導(dǎo)通態(tài),電壓為 0.34V左右。 若想完整測試 IGBT需要用晶體管圖示儀。 IGBT損壞:GE,EG,CE,GC,CG任意一組出現(xiàn)電阻檔有讀數(shù), 即損壞。(GE 表示G接正表筆, E接負(fù)表筆;其他雷同) 新 IGBT 紅表筆 -黑表筆 電阻檔 二極管檔 1-2 無窮大 斷路 2-1 無窮大 斷路 4-3 無窮大 斷路 3-4 無窮大 斷路 8-10 無窮大 斷路 10-8 0.447MΩ 0.324 9-8 無窮大 斷路 8-9 0.448MΩ 0.324 5-4 無窮大 斷路 4-5 無窮
將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGBT 的
發(fā)射極(E),此時(shí)萬用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電
極(C),這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住
指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時(shí)
IGBT 被阻斷,萬用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。
任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí),一定要將萬用
表撥在R×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測好
壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通,而無法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測
功率場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。
變頻器、軟起動(dòng)器、PLC、人機(jī)界面、低壓電器、電氣自動(dòng)化工程、恒壓供水設(shè)備、音樂噴泉控制系統(tǒng)、變頻器維修等。
首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為
無窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,則判斷此極為柵極(G )。
其余兩極再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調(diào)換表筆后測量阻值較小。
在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。